1.1 深耕多年促进技术迭代，广覆盖推进开拓增长空间
深耕光通信电芯片领域二十余载，持续夯实行业地位。优迅股份的发展历程可分为三阶 段。 第一阶段为创立与早期技术积累期。2003 年 2 月优迅股份前身厦门科芯微电子技术有 限公司成立，后于 2003 年 9 月更名为优迅有限，专注光通信电芯片研发设计。2005 年， 公司推出 155Mbps 和 1.25Gbps 套片解决方案，初步构建光通信电芯片产品线。 第二阶段为技术体系升级与产品线拓展期。2010 年公司推出集成 DDM 功能的 GPON ONU 三合一芯片，无需外挂 MCU 即可实现智能化控制，降低客户系统成本。2016 年， 公司量产 10G 光收发芯片组，实现产品整体向 10G 速率的迭代升级。而后公司深耕高端 领域突破，于 2019 年推出基于 CMOS 工艺、集成 DDM 功能的 10G LR 和 SR 三合一芯 片，进一步拓展应用场景；在 2022 年发布 10G PON 局端解决方案，推动光接入网升级； 2023 年则推出 10Gbps 带 CDR 城域网解决方案，以及 25Gbps、4 通道 100Gbps 产品， 切入 5G 无线前传及数据中心领域。 第三阶段为资本化推进与业务扩张期。2024 年，公司召开创立大会由优迅有限整体变更 为股份有限公司，正式更名为厦门优迅芯片股份有限公司，完善现代企业制度，为资本 化铺路。2025 年，推进首次公开发行股票并在科创板上市，公开发行 2000 万股，募集 资金投向下一代接入网电芯片、车载电芯片、800G 及以上光通信电芯片等项目。截至 2025 年，公司已实现 155Mbps~100Gbps 速率光通信电芯片产品的批量出货，并正在积 极研发 50G PON 收发芯片、400Gbps 及 800Gbps 数据中心收发芯片、4 通道 128Gbaud 相干收发芯片、FMCW 激光雷达前端电芯片、车载光通信电芯片等系列新产品。
构建覆盖多场景的光通信电芯片产品矩阵。优迅股份在光通信电芯片设计领域形成了完 备的核心技术体系，在收发合一、高速调制、光电协同等关键领域实现国产化技术突破。 基于产品持续的创新、优越的性能、稳定的质量表现，优迅股份已成为国内光通信电芯 片领域的领军企业。公司拥有集研发、设计、销售于一体的高性能光通信电芯片的完整 产业链，产品深度渗透现代信息基础设施关键领域，包括固网接入、4G/5G/5G-A 无线网 络、城域和骨干传输网络及数据中心互联等领域。同时注重客户需求，形成完整、高集 成、低功耗、易于客户生产的差异化产品解决方案。公司主要产品包括激光驱动器芯片 （LDD）、跨阻放大器芯片（TIA）、限幅放大器芯片（LA）、光通信收发合一芯片等。 这些产品协同工作，为光通信实现高效、可靠的光电/电光信号转换、放大和处理提供了 完整的解决方案。应用场景覆盖包括（1）电信侧：覆盖固网接入（FTTH/FTTR）、4G/5G/5G-A 无线网络、城域和骨干传输网络；（2）数据中心侧：适配数据中心内部及互联场景， 支撑边缘、核心数据中心高速数据交互；（3）终端侧：布局车载光通信电芯片、FMCW 激光雷达前端电芯片，拓展智能制造、医疗健康等新兴场景。
1.2 公司股权稳定，高管团队经验丰富
公司股权结构稳定，机构与员工平台共持股。截至 2025 年 12 月 19 日，公司的实际控 制人为公司董事长柯炳粦先生，持股比例为 8.19%；公司董事陈涵霖先生持股比例为 5.99%。圣邦微电子（北京）股份有限公司为第二大股东，持股 7.69%。其后为深圳市 远致星火私募股权投资基金合伙企业、福州市鼓楼区萍妮茹创业投资合伙企业等。
公司核心技术团队成员具备丰富行业经验。公司董事长柯炳粦先生 1983 年起就职于厦 门大学、厦门商业对外贸易总公司、厦门商业购物中心、厦门斯坦利咨询顾问有限公司、 中印胜欣能源技术（北京）有限公司。于 2003 年创立公司前身厦门科芯微，并历任厦门 科芯微及优迅有限董事长、优迅有限董事长兼总经理；2024 年 4 月至今，任优迅股份董 事长。董事兼总经理柯腾隆先生自 2010 年起先后任职于澳大利亚 PCIA 投资管理公司、 厦门乃尔电子有限公司。2014 年 5 月至 2024 年 4 月，历任优迅有限董事长助理、常务 副总经理、董事；2024 年 4 月至今，任优迅股份董事、总经理。他们在光通信电芯片领 域积累深厚技术，对行业具备前瞻判断能力，带领公司快速发展。
公司 8.09 亿募投，聚焦攻坚光通信与车载芯片。优迅股份募投项目聚焦产品技术迭代 升级与市场地位提升，核心围绕光通信高端芯片、车载芯片两大方向。由于产业政策支 持、优质客户积累、高素质技术人才参与，募投项目具有极强的可行性。项目总投资为 8.09 亿元，旨在强化技术壁垒、丰富产品矩阵、打开增长新空间。其中核心募投项目具 体包括（1）下一代接入网及高速数据中心电芯片开发及产业化项目：聚焦 400G/800G 高速数据中心电芯片研发与量产，重点布局现有 10GPON 接入网设备电芯片针对 FTTR 场景的升级迭代，并开发支持 50GPON 标准的下一代解决方案；（2）车载电芯片研发及 产业化项目：锁定车载环境下的高精度感知与高速数据传输两大核心环节，研发激光雷 达电芯片与车载光通信电芯片系列产品，切入智能驾驶感知与车载互联赛道；（ 3）800G 及以上光通信电芯片与硅光组件研发项目：专注 800G 及以上高速光通信电芯片研发与 硅光组件系统集成，致力于突破高端硅光芯片国产化瓶颈，构建“芯片-组件”全链条能 力。
1.3 稳增调升筑根基，多维精耕拓新局
调整回升态势明确，市场扩张促进稳健增长。在过去几年公司实现了稳健发展，营业总 收入从 2022 年的 3.39 亿元增长至 2024 年的 4.11 亿元。2023 年，由于行业周期波动、 市场竞争加剧、下游光模块厂商需求调整导致销售规模收缩、行业新进入者增多导致竞 争加剧公司，营业总收入下降至 3.13 亿元。同年，归母净利润降至 0.72 亿元。2024 年 至 2025 年 9 月，公司营业收入、归属于母公司所有者的净利润均较上年同期增加，主 要系固网接入市场、数据中心市场扩张背景下，公司相关产品出货量增加所致。总而言 之，2025 年公司发展势头进一步向好，前三季度营业总收入同比增长 18.33%至 3.57 亿 元，经营规模稳步扩张，核心业务保持良性发展态势。这一成果得益于公司在技术研发、 产品布局、供应链管理、产品品控和客户服务等多维度构建的体系化竞争力。归母净利 润同比增长 17.11%至 0.73 亿元，展现出强大的经营韧性与增长潜力。
精耕细作，盈利能力修复与费用管控显效。盈利端看，公司销售毛利率在 2022 年处于 55.43%的高位，后续随行业及产品结构调整小幅回落至 2023 年的 49.14%与 2024 年 的 46.75%，但 2025 年前三季度仍保持在 44.15%的稳健水平；2022-2025 前三季度销 售净利率虽有波动，整体保持在 20%左右的合理区间，盈利质量扎实。从费用端看，期 间费用率呈现优化趋势：销售费用率稳步下降，2022 年销售费用率为 5.01%，一路下滑 至 2025 年前三季度 2.80%，由于与部分同行业上市公司销售策略差异，低于平均值； 管理费用率在 2022-2023 年由 11.5%迅速下降至 8.63%，后保持稳定；财务费用率持续 处于负低位。费用管控效率提升，进一步支撑了盈利水平的修复与稳定。
光通信收发合一芯片占比最高。从收入构成看，公司主营业务收入主要来自于光通信收 发合一芯片、跨阻放大器芯片、限幅放大器芯片、激光驱动器芯片等芯片产品的销售。 其中光通信收发合一芯片是公司绝对的支柱业务，从 2022 年到 2025 年前三季度光通信 收发合一芯片收入占比分别为 86.35%、87.10%、82.89%、85.54%。
聚焦核心，研发费用率优化与投入效率提升并行。公司在坚持技术创新的同时，通过规 模化效应与研发流程优化，实现研发费用率稳步下行，投入产出比持续改善。研发费用 率从 2022 年的 21.24%逐步回落至 2024 年的 18.98%，呈现稳步优化态势；同期研发 费用金额从 2022 年的 0.72 亿元波动增长至 2024 年的 0.78 亿元，研发投入强度未减， 形成“费用率下降、投入额增长”的良性格局，为产品升级和新领域拓展提供坚实保障。 公司始终秉承以技术、创新构建产品核心竞争力的理念，深度践行创新驱动发展路径。 坚持以自主研发为主，合作研发为辅，持续加大研发投入，不断夯实技术积累与产品迭 代能力，为核心产品升级迭代、市场份额拓展及长期竞争力提升筑牢坚实根基。
2.1 电芯片位于光通信模块上游核心位置，高速率需求打开成长空间
光通信电芯片是产业链上游的核心元器件。光通信产业链涵盖了从上游的核心光电元件 到下游的光模组和光设备。位于产业链上游的电芯片是实现光信号发射、接收和信号处 理等功能的基础，可以与光芯片、其他基础构件进一步加工形成光组件、光模块。光通 信电芯片是光电协同系统的“神经中枢”，主要承担信号优化，传输链路的增强，以提 升传输效能并实现复杂的数字信号处理，保障光信号的高效转换与传输。整体来看，光 通信电芯片在半导体集成电路领域内属于技术要求较高的细分类别。《中国光电子器件 产业技术发展路线图（2018-2022 年）》指出，光通信电芯片与光芯片相比投资更大、 研发和生产周期更长。
光通信电芯片由多类功能模块构成，行业正由分立器件向多功能集成方案演进。从类型 划分来看，光通信电芯片主要包括激光驱动器芯片（ LDD）、跨阻放大器芯片（TIA）、 限幅放大器芯片（LA）、时钟数据恢复芯片（CDR）、数字信号处理芯片（DSP）及收发 合一芯片等。LDD 位于发射端，主要用于对电压数据信号进行处理转换，驱动激光器发 出激光脉冲，保证信号稳定性和可靠性；TIA 和 LA 位于接收端，TIA 用于将探测器输出 的微弱电流信号放大，LA 对 TIA 输出的信号进行整形，共同确保接收端信号的质量和强 度；CDR 负责从高速信号中提取时钟及相位信号并完成数据重定时整形，提高信号质量， 具有低功耗、低时延、低成本的优势，工作速率及信号补偿能力弱于 DSP；DSP 通过数 字算法对信号进行补偿和处理，主要适用于长距离相干传输或超高速数据中心互联。
随着光模块集成度提升，电芯片收发功能集成方案应用范围逐步扩大。光通信收发合一 芯片通过系统级整合与混合信号设计，将激光驱动器（LDD）、限幅放大器（LA）、时 钟数据恢复器（CDR）及数字诊断监控（DDM）、数模/模数转换器、温度传感器等功能 模块集成于单颗芯片，实现光模块收发链路的全功能融合。光通信收发合一芯片不仅减 少了互连损耗和封装复杂度，还可显著降低功耗，同时利用混合信号设计实现模拟电路 与数字逻辑的共存，从而大幅缩小芯片面积、降低成本。这种集成化方案不仅满足了光 模块高密度封装的需求，更通过功能模块的优化协同，为高速信号的高精度恢复提供了 硬件基础。
光通信电芯片的速率演进直接影响光通信网络的传输效率与容量。在 AI 智算中心及数 据中心应用需求拉动下，光通信电芯片速率持续升级，由低速率向高速及超高速演进， 形成多层级速率体系。由于系统架构设计差异，电芯片与光模块速率之间并非简单线性 对应，单一速率电芯片可通过多通道并行聚合方式，满足不同光模块速率方案的实现需 求。例如 100Gbps 光模块既可采用单通道 100Gbps 电芯片实现，也可通过 2 通道 50Gbps 电芯片或 4 通道 25Gbps 电芯片并行传输实现。前者通过提升单通道传输速率减少了所 需的光通道数量，后者则依赖多通道并行传输来叠加速率。这种非一一对应的速率关系 在高速率模块中更为显著。
在无线网络和数据中心应用场景中，电芯片性能与传输距离密切相关。根据传输距离差 异，电芯片可分为短距（SR）、中长距（LR）、长距（ER）和超长距（ZR/ZR+）等类 型。SR 电芯片主要应用于企业网和数据中心机架内互联等短距离场景，对成本和功耗较 为敏感，并对端口密度要求较高。近年来，随着 AI 算力需求激增，电芯片设计聚焦于高 密度并行通道，以满足数据中心机架内高吞吐量需求；LR 电芯片主要用于城域接入网及 无线基站前传/中传场景，传输距离通常在 0–10 公里范围内，强调在中等距离下兼顾性 能与成本；ER 电芯片主要面向区域数据中心互联等长距离场景，需要克服光纤色散、非 线性效应等物理限制；ZR/ZR+电芯片用于超长距城域网和数据中心互联，传输距离一般 为 80–120 公里，其设计需重点关注功耗、工艺一致性以及老化测试和冗余设计等可靠 性要求;此外在固网接入场景中，电芯片主要面向光线路终端（OLT）和光网络单元（ONU） 进行设计。OLT 作为局端设备，通过光分配网络与多个 ONU 建立连接，负责带宽分配及 信号管理；ONU 作为用户侧终端，实现光电信号转换并提供接入功能。对应地，OLT 电 芯片需支持突发模式接收和多 ONU 通信，ONU 电芯片则强调在低功耗条件下实现稳定 传输。
2.2 光通信电芯片需求稳步增长，高速率产品自给亟待推进
多下游应用共同推进光通信电芯片市场持续扩容。得益于人工智能、数据中心及 5G 通 信的持续发展，光通信电芯片在多类应用场景中的需求同步提升，带动行业整体销售规 模不断扩大。从应用结构看，电芯片市场主要覆盖电信侧、数据中心侧及终端侧等不同 领域，各场景在增长节奏上存在差异。 在电信侧应用场景中，光通信电芯片主要服务于骨干网、城域网、无线接入及固网接入 等领域。根据 ICC 数据，2024 年全球电信侧光通信电芯片市场规模为 18.5 亿美元，预 计到 2029 年将增长至 37 亿美元，对应复合年增长率为 14.97%。从速率结构看，100G及以上高速率产品占比持续提升，是电信侧市场规模增长的主要驱动力，而 10G 及以下 速率产品规模相对稳定。
在数据中心侧应用场景中，光通信电芯片主要应用于云计算、AI 智算中心以及园区和企 业网络等领域。2024 年全球数据中心侧光通信电芯片市场规模为 20.9 亿美元，预计到 2029 年将增长至 60.2 亿美元，复合年增长率达到 23.60%，增速显著高于电信侧。从速 率结构看，100G 及以上高速率产品在数据中心侧占据绝对主导地位，且市场规模随时间 快速扩大，而中低速率产品占比持续下降。
近年来，汽车光电子、激光雷达、自动驾驶及具身智能等终端应用快速发展，为光通信 技术拓展了新的应用空间。根据 Yole Group 数据，全球车载激光雷达市场规模预计将由 2024 年的 8.59 亿美元增长至 2030 年的 35.6 亿美元，其中中国厂商已在市场中占据主 导地位。从技术层面看，激光雷达模组在光电信号转换方面与光通信模块具备一定相似 性，表明光通信电芯片技术在相关系统中具备应用基础。随着 AI 技术在终端设备中的持 续渗透，具身智能机器人等新兴场景有望逐步放量，因此光通信电芯片在算力硬件部分 仍将发挥重要的作用。
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