存储器是用来存储数据、信息和各类程序软件的记忆部件。依据存储介质不同，可以分 为半导体存储、磁性存储和光学存储；其中，半导体存储器是以半导体电路作为存储媒 介、用于保存二进制数据的记忆设备，是市面上的主流存储器，具有体积小、存储速度 快、存储密度高、与逻辑电路接口容易等优点；被广泛应用于各类电子产品中。存储器 按照电源在关断后数据是否被保存可分为 RAM（随机存储器）、ROM（只读存储器）和 新型 RAM（基于新材料研制而成，尚未实现商业化）。其中，RAM 大头是 DRAM、ROM 大头是 NAND Flash 为主。
DRAM（动态随机存取存储器、断电后数据丢失）是存储器细分产品中的营收占比最大 的产品。DRAM 基本存储单元由一个晶体管和一个电容（1T1C）构成，被广泛应用在 主机内存上，产品主要分为 DDR、LPDDR、GDDR、HBM 等。HBM 是 3D 堆叠构成 的“高带宽、高速”DRAM 内存，其 DRAM die 之间以 TSV 连接；通过 3D 堆叠，HBM 实现内存容量与带宽瓶颈的突破。由于 HBM 的带宽领先其他技术一个数量级之多，更 好适配高度并行计算、科学计算、计算机视觉、AI 等使用场景。
NAND Flash 是最为常见的非易失存储介质，其标准化的生产过程、容量大、且断电不 会丢失存储信息的特征，决定了 NAND Flash 被广泛应用在资料存储的应用属性。
存储行业：周期成长性突出，竞争格局集中
存储行业市场规模在周期波动中呈现出持续增长之势，主要系存储位元需求整体呈现逐 年提升，产品价格的周期性变化使得行业规模在波动中持续增长。我们预计 2026 年存 储行业市场规模或将超 3000 亿美元。
存储行业呈现出寡头竞争的格局。其中，DRAM（含 HBM）的主要玩家为三星、海力士、 美光，top3 市占率超 90%；NAND Flash 的主要玩家为三星、海力士、美光、闪迪、铠 侠（其中闪迪、铠侠共用产线），top5 市占率超 90%。由此可见，DRAM 和 NAND Flash 均是高度垄断的行业。
IDM 模式下的重资本投入。存储行业的生产模式为 IDM 的模式，据 IC Insight 统计数据 显示，近年来，存储器资本开支占存储器营收的 30%-40%。对不同制程节点扩产所需 设备的投资额分析可以发现，10-20nm 制程的每 5 万片晶圆产能所需设备投资额在 47-63 亿美元之间，随着存储制程来到 10nm+，设备投资额度的加大是其资本开支不断增 长的原因之一（注：10-20nm 制程不含 10nm、含 20nm）；行业具备重资产投入属性。
对存储产品的历史价格进行分析，可知：存储价格都有着显著的“暴涨—暴跌”的循环 变化；我们认为，尽管全球存储需求中长期在快速增长，但中短期需求具有一定的波动， 同时受制于供给端厂商新建产线往往需要较长的时间（两年左右）集中释放产能，供需 时空上的错配是致使存储器周期性波动的核心所在。本轮在 AI 驱动的强需求下，存储 供给持续紧张，价格整体上涨幅度超历史存储周期。在需求持续增长、且价格持续上升 之际，当前行业主要玩家的整体盈利能力持续提升。
AI 数据中心的存储架构整体呈现“金字塔式”的架构。AI 时代，数据中心将完全为 AI 构建，AI 数据中心的存储通过将 HBM、DRAM、NAND Flash 等不同传输速度等存储 进行分级搭建，有效保证了高效的数据传输，用于支持复杂的 AI 计算；在减少数据中 心的瓶颈的同时，亦降低总拥有成本。我们认为，伴随着大模型参数的持续增加及推理 时代的来临，AI 驱动存储需求高速扩张。
HBM 代际升级、市场规模持续扩大
有别于传统的 DRAM 产品形态，HBM（（高带宽内存）借助硅通孔技术实现 DRAM 颗粒 的空间堆叠（单位面积下内存容量的提升）、并有效增加引脚数量（x1024/2028，HBM— HBM3E），从而实现带宽数量级式的抬升。自 2013 年海力士研发出业内首颗 HBM 芯 片以来，HBM 现已迭代至第六代产品 HBM4；在产品持续迭代的过程中，HBM 存储容 量、带宽均实现持续增长。HBM4 产品单颗最大容量有望达 48GB、带宽达 2TB/s。当 前，三大原厂三星、海力士、美光均已正式推出 HBM4。
以英伟达系列 GPU 为例，单卡所搭载 HBM 在产品代际持续提升之际、搭载容量亦呈 现出持续提升之势。从 H100 到 Rubin 系列，单卡搭载 HBM 从 HBM3 升级至 HBM4， 搭载容量亦从 80GB 提升至 288GB。HBM 作为与 GPU/ASIC 直接封装的存储芯片，其 市场随着 GPU/ASIC 的产品升级和高速增长，而呈现出快速扩容之势。据美光预计 2028 年 HBM 市场规模有望达 1000 亿美元，2025-2028 年复合增速达 40%。
NAND Flash 需求持续增长，HBF 技术落地可期
AI 大模型参数拓展至数万亿级参数和步骤推理，生产大量的上下文数据以键值（KV） 缓存表示，KV Cache 长期存储在 HBM 会造成实时推理瓶颈；为了解决该瓶颈，会将 KV cache 卸载至 G2 系统内存和 G3 本地 NAND Flash。
随着模型参数及推理规模的增加，G1-G3 存储容量仍难以满足 KV cache 存储需求，英 伟达 CES 大会推出推理上下文存储平台（ICMS 平台）；通过建立专为 KV cache 优化 的用以太网连接的 G3.5 闪存层，为 GPU 服务器额外增配 PB 级别的共享存储，有效扩 展了 GPU 存储容量。参考英伟达 ICMS 平台，我们预计未来其他 GPU/ASIC 对 NAND Flash 的配置比例亦呈现持续提升之势。整体而言，AI 时代，随着 KV cache 卸载至 NAND Flash 及推理时代来临，NAND Flash 需求将呈现高速增长。
HBF 技术落地可期。大模型参数持续增加对计算的要求持续提升，而 DRAM 技术发展 进程相对缓慢，为解决日益扩大的计算与内存缺口（“内存墙”问题），海力士、三星、 闪迪等原厂很早便启动了 AIN B 的研发工作（即 HBF、高带宽闪存——通过堆叠 NAND Flash 闪存以扩大带宽的闪存解决方案）；其核心在于将高容量、低成本的 NAND 闪存 与 HBM 堆叠结构相结合，以解决大模型对于存储容量和带宽的双高要求。
单颗 HBF 容量可达 512GB，GPU 如若采用 6 颗 HBF+2 颗 HBM 堆栈可实现 3120GB 的存储容量。相较于采用 8 颗 HBM（（单颗存储容量为 24GB）实现 192GB 存储容量的 GPU，可大幅提升单 GPU 存储容量。
据闪迪预计，HBF 有望于 2026 年下半年实现样品级产品交付，首批基于 HBF 驱动的 产品有望于 2027 年初采用。
美光科技是全球存储的龙头企业之一，以 2025 年统计口径看，公司 DRAM、NAND Flash 全球市占率分别为 23%、13%。公司成立于 1978 年，美光科技在 45 年的发展史中始 终保持产品的推出处于业内领先水平；公司以 IDM 的模式围绕核心存储持续展开产品 布局，现拥有 DDR、LPDDR、GDDR、HBM、NAND Flash 等主要存储产品矩阵。公 司围绕全球范围内展开全面的客户合作，现在全球 30+的主要城市设立办公室，并拥有 13 个制造基地和 13 个客户实验室。
公司以 DRAM、NAND Flash 为核心展开产品矩阵的搭建与销售。DRAM 产品线包括 DDR、LPDDR 颗粒、DRAM 模组、LPDDR 模组、高带宽内存条、HBM、GDDR、CXL 内存等；Flash 产品线主要包括 NAND Flash 颗粒、SSD、UFS、eMMC、存储卡等； 公司亦提供多芯片封装的解决方案。
（本文仅供参考，不代表我们的任何投资建议。如需使用相关信息，请参阅报告原文。）
