第三代半导体大势所趋，碳化硅更适合作为衬底材料:
第三代半导体材料主要分为碳化硅SiC和氮 化镓GaN，相比于第一、二代半导体，其具有更高的禁带宽度、高击穿电压、电导率和热导率，在高 温、高压、高功率和高频领域将替代前两代半导体材料。氮化镓因缺乏大尺寸单晶，第三代半导体材 料的主要形式为碳化硅基碳化硅外延器件、碳化硅基氮化镓外延器件，碳化硅应用更为广泛。
新能源汽车为碳化硅材料带来巨大增量，国际大厂纷纷布局。
新能源汽车为碳化硅的最重要下游领 域，主要应用包括主驱逆变器、DC/DC转换器、充电系统中的车载充电机和充电桩等，根据Yole数 据，碳化硅功率器件市场规模将从2018年的4亿美金增加到2024年的50亿美金，复合增速约51%。 碳化硅衬底材料市场规模将从2018年的1.21亿美金增长到2024年的11亿美金，复合增速达44%。目 前CREE等国际大厂和国内企业纷纷大力布局碳化硅。
国内厂商在第三代半导体进行全产业链布局，自主可控能力较强。
国内厂商布局第三代半导体的设 备、衬底、外延和器件全产业链环节，包括难度最大的衬底长晶环节，自动化程度较高的外延环节和 应用于下游市场的器件环节，第三代半导体全产业链布局，可完全自主可控。
重点企业:
设备厂商:露笑科技、三安光电、晶盛机电;
衬底厂商:露笑科技、三安光 电、天科合达、山东天岳等;
外延厂商:瀚天天成和东莞天域等;
器件厂商:三安光电、华润微、斯 达半导、扬杰科技等
（报告观点属于原作者，仅供参考。作者：光大证券，刘凯）
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