美光科技-MU.US-HBM构筑高弹性空间，技术升级叠加扩产共塑份额红利.pdf

本文是对美光科技（MU）的深度研究报告，核心观点认为存储行业正在完成从“周期股”到“AI算力基础设施”的估值范式切换，美光作为美国本土唯一兼具DRAM与NAND双重弹性的厂商，是本轮AI推理周期最直接的受益者。

在HBM领域，美光凭借极强的产品执行力迅速重塑竞争格局。公司2026年HBM产能已全面售罄，专为英伟达Vera Rubin平台设计的HBM4已于2026年第一季度率先量产出货，总带宽超2.8TB/s。叠加全球首发的1γ（1-gamma）EUV先进制程，美光在高壁垒的AI存储赛道持续领跑，中长期有望迎来“量价齐升”与“份额扩张”。

在NAND领域，推理时代来临，RAG与企业级SSD构成第二增长极。存储需求从“训练侧一次性爆发”转向“推理侧持续性消耗”，KV Cache卸载至SSD成为新增量。FY26Q2美光NAND营收环比大幅增长，数据中心SSD份额连续四年提升，Micron 9650（PCIe Gen6）已率先量产。

供给端方面，AI挤压效应重塑供给结构。庞大的AI算力需求挤占传统DRAM有效供给，NAND端向高层QLC转产导致总体产能结构性收紧，存储芯片大盘供需紧缺或将延续数年，美光将享受行业价格中枢上移带来的高额红利。

盈利预测方面，预计公司FY2026-FY2028年归母净利润为678.1/1,109.1/1,154.4亿美元，对应当前市值PE分别为14.9/9.1/8.8X。考虑到HBM量价齐升与企业级SSD结构性扩张，业绩兼具确定性与成长性，首次覆盖给予“买入”评级。