半导体行业深度报告：功率密度跃升驱动800V DC架构升级，宽禁带功率器件打开成长空间.pdf

研究背景与目的

本报告由东吴证券发布，聚焦AI数据中心功率密度跃升背景下800V DC供电架构升级趋势，分析宽禁带功率器件（SiC、GaN）在其中的应用空间与成长机遇。随着AI机柜功率从百千瓦级向兆瓦级演进，传统低压大电流供电方式面临铜耗、线缆、空间等多重瓶颈，推动供电架构向800V DC升级。

核心逻辑

800V DC架构的本质是将传统机柜内PSU承担的AC/DC与DC/DC功能解耦：AC/DC外移至侧边柜或基建侧，计算机柜内仅保留DC/DC降压环节。SiC因高耐压、低损耗特性更适合Power Rack侧大功率AC/DC；GaN因高开关速度、低开关损耗更适合IT Rack侧高频DC/DC。

四阶段演进路径

第一阶段（2026—2027年）：Sidecar推动AC/DC外移，PFC、LLC和BBU为核心增量，SiC成为PFC主流，GaN渗透LLC和BBU。

第二阶段（2027—2028年）：800V DC下沉至计算节点，板载高频DC/DC加速GaN渗透，探索800V直接降至12V/6V方案。

第三阶段（2028—2029年）：整流环节集中上移灰区，MW级整流与直流保护系统成为核心增量，早期沿用硅基IGBT/晶闸管，中长期SiC替代。

第四阶段（远期）：SST直连中压电网，SiC级联与低压GaN级联两条路线并行演进。

产业链标的

上游材料：天岳先进、天科合达；代工：芯联集成；功率器件：斯达半导、士兰微、华润微、扬杰科技、东微半导、英诺赛科、时代电气、新洁能、宏微科技、捷捷微电等。

风险提示

800V DC架构落地进度不及预期；宽禁带器件渗透率及技术路线不及预期；行业竞争加剧及产品价格下行。