半导体设备行业深度：AI发展带动HBM需求爆发，看好半导体设备商充分受益.pdf

全球AI大模型训练与推理需求持续膨胀，驱动GPU、ASIC等AI芯片出货量快速提升，进而带动高带宽存储器（HBM）需求爆发。HBM向更高容量、更多堆叠层数及更大带宽方向演进，单芯片HBM配置持续升级，同时HBM生产对DRAM晶圆产能形成显著挤占，导致全球DRAM供需维持紧平衡，存储涨价潮向智能手机、新能源汽车等终端传导，压缩下游利润空间并抑制需求。

核心测算与数据

全球HBM wafer需求量预计从2024年的2.9万片/月增长至2028年的44.2万片/月，年均复合增速超过90%；HBM产能占DRAM比重预计从2025年的17.1%提升至2027年的22.5%；AI需求占HBM产能比重从2025年的58.5%提升至2027年的79.5%。薄膜、刻蚀及量测设备合计占存储设备资本开支超过50%。

产业链影响与投资逻辑

HBM带动DRAM制程升级，3D NAND向更高层数发展，先进存储单位产能设备投资额持续提升。国内外存储厂商同步扩产，海外三星、SK海力士、美光加大HBM及先进DRAM投入，国内长鑫存储、长江存储扩产节奏加快。平台化设备龙头及薄膜沉积、刻蚀、量检测等高价值量环节核心厂商有望充分受益，国产替代空间广阔。