直写光刻技术在先进封装领域相比传统步进式光刻的核心优势体现在哪些方面？

直写光刻技术在先进封装领域的核心优势主要体现在数字化曝光能力与大尺寸适配性两个方面。

一、数字化曝光实现动态补偿，提升封装良率

在Fan-out WLP及CoWoS-L等工艺中，RDL制程需完成芯片焊盘与再布线层的高精度对准。晶圆重构及贴片过程中不可避免存在晶粒偏移，传统掩膜光刻采用固定Mask进行统一曝光，无法针对单颗晶粒位置偏差进行补偿，容易造成RDL与焊盘错位。芯碁微装WLP系列直写光刻设备可在曝光前完成晶粒位置高精度测量，并实时生成数字掩膜，对每颗晶粒分别进行曝光补偿，实现RDL与焊盘精准对准，有效提升互连良率并降低返工成本。

二、无需实体光罩，适配小批量多品种生产需求

直写光刻无需制作实体Mask，产品设计修改仅需更新曝光数据即可，进一步提升工艺灵活性和开发效率。这一特性更适用于先进封装小批量、多品种及快速迭代的生产需求，显著缩短产品开发周期。

三、大尺寸幅面曝光与实时纠偏能力

随着封装尺寸扩展至大尺寸晶圆甚至面板级，传统步进式光刻单次曝光面积受限于Reticle尺寸，需多次拼接完成整板曝光，拼接误差随曝光次数增加不断累积。LDI技术基于对准标记实时识别基板翘曲及局部形变，动态修正曝光路径，降低大面积曝光过程中的对位误差，在5μm及以下RDL制造中优势尤为突出。

四、产业化进展与客户验证

根据芯碁微装2025年年报，WLP系列已在多家先进封装头部客户完成验收并实现量产，获得重复订单。2026年7月，公司510×515mm板级封装直写光刻设备PLP 2000获得重要客户订单，标志着PLP产业化突破。随着CoWoS-L、CoPoS、CoWoP及PLP等先进封装持续扩产，公司泛半导体业务有望进入加速放量阶段。