HBM产能扩张对DRAM传统应用市场的影响机制与传导路径

HBM与传统DRAM共享晶圆产能，HBM产能扩张对传统DRAM市场形成显著挤出效应。从产能结构看，SK海力士、三星、美光三大厂商的HBM晶圆投入占比持续攀升，SK海力士已接近30%，三星和美光分别提升至约23%和19%。由于HBM生产需消耗更多晶圆产能（单颗HBM需多层DRAM Die堆叠），HBM产能占比提升直接压缩传统DRAM供应空间。

这种挤出效应在下游终端市场产生连锁反应。智能手机领域，AI功能普及推动存储容量需求提升，但存储涨价导致2026年全球主要手机厂商出货量显著下降，小米将全年出货预期下调约30%至9500万部左右，OPPO和vivo降至9000万部以下。新能源汽车领域，中端车型受存储涨价影响最为严重，问界M7月销量从高点超20000辆下跌至8383辆，M8销量下滑至4007台。按中性口径估计，某国产中档豪华车厂商因存储成本上涨而减少的利润高达13.7亿元，单车销售由盈转亏。

存储厂商的扩产决策面临HBM高毛利与传统DRAM基础需求的平衡。一方面，HBM产品毛利率显著高于传统DRAM，且AI需求持续高增长，厂商有动力将更多产能转向HBM；另一方面，传统DRAM仍是消费电子、汽车电子等领域的基础需求，过度挤出可能导致终端价格暴涨、需求萎缩，反噬长期市场。SK集团会长崔泰源已表示当前存储价格处于非正常高位，若持续向终端传导可能形成"芯片通胀"，削弱消费需求。因此，增加供给而非依赖涨价成为行业共识，中韩存储龙头均加速扩产以缓解供需错配。

从设备投资角度，存储扩产带动薄膜、刻蚀、量测等设备需求增长，但厂商需在技术迭代节奏与产能释放周期之间把握平衡，避免过度投资导致周期性波动。