晶盛机电在碳化硅衬底生产领域取得哪些技术突破？

公司在碳化硅衬底生产领域通过晶体实验室和中试线的研究，已经在以下技术方面取得突破：

（1）通过有限元仿真模拟和实验结合，推演晶体生长过程中传质、传热和生长界面演变和缺陷形成等基础 机理，完成 6-8 英寸晶体生长的热场和设备开发，解决超高真空度的获取、高温及硅蒸汽腐蚀下的热场稳定性 和均匀性、自动化控制等核心技术问题，为后续批量化稳定生产奠定基础。

（2）籽晶固定技术：通过自主开发的夹持技术，大大提高籽晶的温度均匀性，并抑制籽晶背面导致的缺陷 产生，有效提高晶体质量一致性及良率。经过第三方检验，目前中试线产出衬底片的微管和位错达到业内要求。

（3）在半导体硅、蓝宝石和碳化硅等硬脆材料加工技术的基础上，通过多种研磨抛光技术路线的对比，发 挥出公司在半导体材料加工装备的技术优势，完成了加工中试线的技术路线选择和布局。

客户认可度高，已取得 23 万片碳化硅衬底意向合同。公司凭借先进的技术、可靠的产品和完善的服务，在 业内积累了较高的品牌知名度，与产业链上下游厂商建立了良好的合作关系。截至 2022 年 3 月 10 日，客户 A 已与公司形成采购意向，2022 年-2025 年公司将优先向其提供碳化硅衬底合计不低于 23 万片，具体金额将参照 届时市场价格确定，根据募投项目可行性研究报告的预测单价测算，该意向性合同预计金额为 13-14 亿元。客 户 A 在满足同等技术参数和价格的前提下，将优先采购公司的碳化硅衬底产品。