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存储芯片行业专题报告：HBM算力卡核心组件，国内产业链有望受益。大模型催生对高性能存储的需求， HBM有望随着智算中心建设而受益。2021年SK Hynix开发出全球首款HBM3产品，并于2022年量 产。HBM3是第四代HBM技术，由多个垂直连接的DRAM芯片组合 而成，作为高价值产品其主要是提高数据处理速度。HBM3能够每秒 处理819GB的数据，与上一代HBM2E相比，速度提高了约78%。SK Hynix已为英伟达供应HBM3，搭配英伟达的H100计算卡；并已开发 出HBM3E，预计将应用于GH200计算卡。我们认为，HBM3将搭载 于高性能数据中心，有望适用于提高人工智能生成相关的机器学习， 故其应用标志着高性能存储在数据中心的应用迎来新时代。

HBM3和HBM3E或将成为主流，预计2024年市场规模将达25亿美元。TrendForce表示，从高阶GPU搭载的HBM来看，英伟达高阶 GPU H100、A100主要采用HBM2e、HBM3。随着英伟达的A100/H100、 AMD的MI200/MI300、谷歌自研的TPU等需求逐步提升，预估2023 年HBM需求量将同比增长58％，2024年有望再增长约30％。根据 Mordor Intelligence预测，预计 2024年高带宽内存市场规模为25.2亿 美元，到2029年将达到79.5亿美元，2024-2029年年复合增长率为 25.86%。我们认为，随着需求不断扩张，原厂产能持续释放，HBM产 业有望持续受益。

HBM或存在二元催化，一是高端芯片国产替代大趋势，二是算力芯片需求上涨。我们认为美光事件或利好存储芯片国产化，国内存储厂 商将同时受益于供应链国产份额的提升及存储芯片行业的景气周期复 苏。各地相继出台支持算力发展相关政策，带动硬件建设需求。中长 期来看，我们认为存在三因素共振：存储周期回暖、国产推进顺利以 及消费领域新增量。HBM与SiP系统级封装技术关联密切，受益于国 内封装厂在先进封装领域的技术沉淀，国产HBM有望迎来快速放量。