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半导体行业先进封装专题报告：先进封装助力芯片性能突破，AI浪潮催化产业链成长。先进封装：超越摩尔定律，助力芯片性能突破。“后摩尔时代”芯片特征尺寸已接近物理尺寸极限，通过先进封装提升芯片整体性 能或成为趋势。先进封装具有小型化、轻薄化、高密度、低功耗、功能集成的优势， 可广泛应用于 AI、高性能计算、数据中心等新兴领域。先进封装包括四个关键要 素：凸块（Bump）、晶圆（Wafer）、重布线层（RDL）和硅通孔（TSV）技术： Bump 联通芯片与外部的电路，并能缓解应力；Wafer 充当集成电路的载体；RDL 连通 XY平面的上电路；TSV则贯通z轴方向上的电路。

CoWoS和HBM：相辅相成，AI芯片的绝佳拍档

1）CoWoS：AI 时代的先进封装版本答案。算力需求随大模型推出爆炸式提升， GPU等AI芯片深度受益。搭载硅中介层的CoWoS封装性能优异，适用于高性能 计算领域，目前已演进五代，不断增加其中介层面积以及内存容量（HBM）。随 CoWoS封装供不应求，台积电不断上修产能预计，2024年底或达到月产4万片。 三星和英特尔已完成2.5D/3D封装布局，传统封测大厂加速进入CoWoS工艺段。

2）HBM：AI芯片的最佳显存方案。HBM堆叠多层DRAM提升内存容量和带宽， 打破内存墙限制，满足AI高性能动态存储需求。SK海力士官网、三星和美光竞争 愈演愈烈，HBM向更大容量和更高带宽迭代，2024年下半年HBM3e预计将集中 出货。随AI服务器出货暴涨以及GPU芯片的HBM用量提升，HBM需求高增。 TrendForce 预测，2024 年HBM需求增长率接近200%，2025年可望将再翻倍。

本土先进封装产业链：厚积薄发、加速成长

1）刻不容缓：海外高性能芯片管制加强，AI芯片自主可控大势所趋。美国对高性 能芯片出口限制不断加强，英伟达先进GPU芯片供应受阻。中国智能算力市场需 求旺盛，2018-2023 年数据中心机架数量 CAGR达 30%，发展AI芯片自主可控 为大势所趋，国产AI芯片亟待突破放量。此外，集成工艺可助力芯片跨越1-2个 制程工艺节点，在高端光刻机封禁下先进封装有望助力“弯道超车”。

2）提前布局：国产封测大厂打开成长空间。以长电科技、通富微电、华天科技等 为代表的国内封测龙头深耕先进封装工艺，积极布局海外业务，现已具备较强的市 场竞争力。此外国产HBM稳步推进，据Trendforce报道，国内存储厂商武汉新芯 （XMC）和长鑫存储（CXMT）正处于HBM制造的早期阶段，目标2026年量产。

3）未来可期：本土相关设备/材料有望受益。先进封装工艺升级，对封装设备的精 度和用量提出更高要求，相关材料深度受益。