GPU供电趋势专题报告:多相DrMOS价值量倍增.pdf

  • 上传者:方*
  • 时间:2025/03/31
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GPU供电趋势专题报告:多相DrMOS价值量倍增。随着 GPU 能耗的不断攀升,单卡配套的 DrMOS 和多相控制器的 价值量呈现出显著的增长趋势。在 AI 服务器领域,高算力需求导致 GPU 功耗大幅提升,以英伟达的 H100 芯片为例,其单颗功耗较高, 对电源供应方案的要求也随之提高。在 PC 供电方面,小模型本地 部署的兴起将带动具备独立显卡的高配置游戏本电脑的销量增长。 由于游戏本的能耗是办公本的数倍,其配套的 DrMOS 和多相控制 器的价值量也相应是办公本的数倍。上述趋势直接推动了单卡配套 的 DrMOS 和多相控制器价值量的持续增长,这一趋势为相关企业 带来了广阔的市场空间和发展机遇。

随着 AI 芯片等高性能计算芯片的发展,其能耗日益攀升。以英伟 达 H100 芯片为例,其热设计功耗高达 700 瓦,远超英特尔 Skylake/Cascade Lake 系列 CPU 的不足 200 瓦。未来芯片为承载更 高计算密度,能耗需求将进一步提升,导致电力传输与转换过程中 的损耗大幅跃升,且损耗增幅远超功耗增长比例。鉴于电力成本在 数据中心运营成本中占据大头,降低电力损耗对于优化总体拥有成 本至关重要,促使从机架层级到芯片层级的供电网络架构被重新规 划与设计,以攻克高耗能计算任务所衍生的电力难题。

企业纷纷从 12V 供电转向 48V 供电以降低整体电阻损耗。以 240W、 工作电压 1.2 伏的 AMD CPU 和 700 瓦、工作电压 0.8 伏的英伟达 GPU 为例,从 12 伏输入降至芯片所需电压时,电流大幅增加,电 阻损耗呈指数级飙升,而从 12 伏提升至 48 伏,所需电流减为四分 之一,损耗随之降低 16 倍。谷歌于 2016 年提出 48V 架构,48V 架 构可以有效提升效率,降低损耗。针对第一阶段降压,英伟达 DGX 服务器采用中间总线转换器模块,GB200 服务器改用配电板模块实 现降压。针对第二阶段降压,通常采用电压调节模块(VRM),将 12V 输入电压转换为适配 SoC 运行所需电压。

多相控制器与 DrMOS 的组合已成为第二阶段最主流的供电方案, AI 渗透率提升驱动相关电源芯片价值量提升。DrMOS 核心壁垒在 BCD 工艺,该工艺充分发挥了 Bipolar 驱动能力、CMOS 高集成度 和低功耗、DMOS 高压大电流通流能力的优势。BCD 未形成统一工 艺标准,各厂家将自己研发的 BCD 工艺视为核心竞争力之一。在价 值量方面:①服务器供电,DrMOS +多相在不同类型服务器上的价 值量存在明显差异,通用服务器中单台电源管理芯片价值量约 80 美 元,AI 服务器中单台多相电源芯片价值量相较于通用服务器有数倍 提升,随着 AI 服务器渗透率持续上升,相关供电芯片价值量上升。 ②PC 供电,大模型本地部署促使 PC 硬件升级,功耗成倍增长,供 电芯片价值量亦成倍增长,高配置 PC 出货占比有望持续上升。

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