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光刻机产业链专题报告：自主可控核心环节，国产替代迫在眉睫。分辨率、套刻精度、产能为光刻机核心参数。光刻工艺是芯片制造流 程中技术难度最大、成本最高、周期最长的环节，直接决定了芯片的最 小线宽，定义了半导体器件的特征尺寸，先进技术节点的芯片制造需 要 60-90 步光刻工艺，光刻成本占比约为 30%，耗费时间占比约为 40- 50%。光刻中的核心工具包括光掩膜、光刻机和光刻胶，分辨率、套刻 精度、产能为光刻工艺中的关键参数，分辨率是指光刻机能清晰地在 晶圆上投影出的最小特征尺寸，可通过缩短波长、提高数值孔径、降低 K1 工艺因子提高。套刻精度是曝光显影后存留在光刻胶上的图形（当 前层）与晶圆上已有图形（参考层）对准时能容忍的最大误差，可通过 设备优化及材料与工艺协同提升，产能为衡量光刻机生产效率的核心 指标，可通过技术改进。

光源、照明系统、投影物镜为光刻机核心组件。光刻机是芯片制造的 核心设备，光源系统、照明系统、曝光物镜系统为核心组件，光源为光 刻提供能量，不同制程和芯片类型需匹配特定光源，常见光源包括汞 灯、准分子激光和极紫外光。当前先进光刻机光源供应商为 ASML、日 本 Gigaphoton 公司。照明系统对光源发出的激光进行扩束，确保光照 的均匀性和强度，同时提供特定的照明模式以适应不同的工艺需求。 投影物镜为精准成像的关键，将经过掩模版图案后的衍射光收集并聚 焦至晶圆表面的光刻胶上，全球来看，蔡司为投影物镜镜头龙头供应 商，ASML 镜头多由蔡司供应。

全球光刻机市场由 ASML、Nikon、佳能垄断。ASML、Nikon、Canon 三大供应商高度垄断全球光刻机市场，根据中商情报网数据，2024 年 全球光刻机市场规模达 315 亿美元，ASML 在高端光刻机绝对领先，佳 能聚焦中低端光刻机领域。根据 ASML 2024 年财报数据，各类光刻机 收入占比中，EUV 机型贡献了 39.4%，ArFi 机型占比 45.8%，从产品 单价来看，EUV（（NXE）为 1.87 亿欧元，Arfi 产品 ASP 为 0.75 亿欧元。

国产高端光刻机亟待突破，产业链齐发力加速替代。国产光刻机空间 国内需求大于国产供给，据智研咨询数据，2023 年我国光刻机产量为 124 台，需求量为 727 台，供需关系严重不匹配，本土厂商供给能力 有待加强。上海微电子是国内目前唯一前道晶圆制造光刻机整机制造 商，光刻机产品主要对标 CANON。公司自主研发 600 系列前道制造光 刻机已实现 90nm 工艺芯片的量产。但高端光刻机方面仍处于研发阶 段，尚未实现大规模量产。在海外制裁持续缩紧下，国产光刻机产业链 齐发力，上海微电子、国科精密、科益虹源、茂莱光学等厂商加速进行 相关组件研发，替代空间广阔。