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电子行业MemoryS 2026闪存大会跟踪报告：行业缺货或将延续至27年，关注未来存储技术创新重构。

招商电子团队近日参加了在深圳举办的 MemoryS 2026 闪存大会，三星电子、 铠侠、闪迪、Solidigm、江波龙、群联电子、大普微等国内外存储公司出席了大 会并对 AI 推理对 NAND 需求变化、eSSD 技术演进、端侧 AI 存储发展等做了 非常详细的主题演讲，我们整理了本次大会演讲的核心观点，供投资者参考。

需求端：AI 正快速吞噬存储半导体产能，eSSD 为 2026 年 NAND 最大应用 市场。AI 服务器存储用量是通用服务器的 4-5 倍，2026 年 AI 需求中 SOCAMM、服务器 NAND、服务器 DRAM、HBM 预计同比增长 150%、63%、 44%、35%。DRAM 的下游中，服务器 2026 年占比将超过 50%。AI 推理驱 动 eSSD 成为 2026 年 NAND 最大应用市场，预计 KV Cahce 的占用提升叠 加 HDD 短缺带来的 QLC 增长将会导致服务器 2026 年占 NAND 应用的 37%。 上下文的增长带来 KV cache 呈现指数级增长，据估算，单次提示推理上下文 128k tokens 会产生约 61GB KV cache，如果 100k 用户每次对话 64k tokens， 均进行 15 次对话，则会产生 45PB KV cache，HBM 与 DRAM 无法承接庞大 的 KV cache，因此需要下放到 eSSD，高性能 eSSD 能够降低成本同时满足 推理需求。关于谷歌 TurboQuant 技术有效降低 KV cache 内存消耗，行业人 士认为部分自媒体解读有所偏颇，普遍认为并不会对存储需求造成影响，其 降低每 token 成本会使得 token 消耗量会被进一步放大，存储需求消耗也将更 为庞大。

供给端：结构性错配，短缺已成常态。2026-2027 年存储产能增量有限，2026 年全球没有任何一类主流 AI 存储可以实现完全供需平衡，预计存储短缺将持 续至 2027-2028 年。供给也从野蛮扩产转向纪律性增产，2023-2026 年整体 NAND bit 出货量增长保持在 10%-20%的增速。

价格端：预计存储价格在 2026 年全年维持上涨，且呈现逐季收敛态势。根据 大会各位演讲嘉宾以及会下和各展台行业人士交流，大家普遍认为 2027 年价 格趋势预测难度较大，尚未给出准备判断。

库存端：消费级产能被持续挤压，DOI 已跌至历史安全线以下。存储原厂先 进产能投入高毛利 AI 存储，成熟制程、消费级产能被持续积压，行业库存周 转天数从 2023 年的 10-12 周→2024 年 8-10 周→2025 年 5-6 周→2026 年的 4 周，跌到历史安全线以下。