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半导体行业深度跟踪：存储现货价格高位趋稳，设备材料等业绩趋势向好。

26 年 AI 终端创新与算力建设持续推进，驱动全球晶圆厂资本开支持续增长， 展望 26-27 年国内先进逻辑及存储产线扩产有望提速，设备国产化率迎来从 1 到 N 提升阶段；国产算力需求持续高增，海光及沐曦 26Q1 彰显高增长态势； 26Q1 存储合约价延续高增，大厂 26 年盈利预期乐观，结构性紧缺机会凸显； 消费及车规等市场温和复苏，各类 SoC 厂商持续发力端侧 AI 落地。建议关注 受益于供需紧张的存储、扩产周期的设备材料、需求持续向好的算力及代工等， 同时建议关注各科创指数和半导体指数核心成分股。

3 月 A 股半导体指数跑输费城半导体指数及中国台湾半导体指数。半导体 （SW）行业指数-14.87%，电子（SW）行业指数-13.51%，同期费城半导体 指数/中国台湾半导体指数-6.30%/-12.96%。

行业景气跟踪：需求或受存储涨价影响，预计存储供给持续紧张。

1、需求端：26 年受制于存储涨价，AI 终端创新与算力建设是亮点。手机： counterpoint 预计 2026 年全球手机销量将同比-12.4%，中低端安卓手机下降 压力较大，关注各大手机品牌 AI 手机新品迭代。PC：25Q4 全球出货量同比 +9.6%，符合预期，26 年有存储压力，26-27 年 AI PC 升级周期望启动。可 穿戴：25Q4 全球 AI 眼镜出货同比高增 525%，预计 26 年全球 AI 眼镜销量达 1600 万台；持续关注智能眼镜、AI 耳机等新形态终端创新，例如 OpenAI 新 品、国内阿里/字节等龙头创新。服务器：26Q1 CSPs 需求推升服务器 DRAM 采购，短期供给仍紧缩，26M3 信骅营收 10.1 亿新台币，同比+34%/环比持 平。汽车：年初行业进入季节性调整期，26M1 国内汽车产销量环比回落。传 统燃油车与新能源车表现分化，新能源板块受春节假期及补贴退坡预期影响， 短期需求有所走弱。

2、库存端：功率 MCU 及模拟 DOI 环比下降，库存调整基本完成。25Q4 海 外手机链芯片大厂平均库存环比上升但 DOI 环比下降；PC 链芯片厂商 25Q4 库存及 DOI 环比增长。TI 与 NXP 库存备货支撑业务需求或增长，ST 与安森 美实现去库存且优化成效显著，均与业务战略或市场需求相匹配。

3、供给端：2026 年全球晶圆厂资本开支持续增长，国内先进及成熟制程扩 产均可期。1）存储方面，预计 2026 年 DRAM 和 NAND 资本开支增长，但 预计整体位元产出有限。①预计 2026 年 DRAM 资本支出增长 14%，三大原 厂面向 1c 制程及 HBM4 扩张。②预计 2026 年 NAND 资本支出增长 5%，主 要系铠侠 BiCS9/BiCS8 研发量产及美光 G9 和 eSSD。考虑到洁净室空间限 制，DRAM 及 NAND 位元增长有限。③国内存储原厂预计持续扩产，市占率 有望持续提升；2）逻辑方面，2026 年全球晶圆代工资本支出的年增长预估 为 13%，多数企业的资本支出呈现小幅成长或持平状态，资金主要投向先进 工艺产能，成熟制程工艺仍然处于积极扩产态势；中芯/华虹等明年持续有新 增产能释放。

4、价格端：26Q2 DRAM 和 NAND 合约价预计环比持续上涨，NAND 涨幅 将超过 DRAM 达 70-75%。DXI 指数近期涨势放缓。现货价方面，3 月 DRAM 出现回调，目前供需紧缺仍较高，预计不影响后续价格走势。NAND 价格近 期涨势强劲，数据中心对 NAND 需求持续增长，同时原厂扩产重心在 DRAM 与 HBM，预计后续价格仍强劲。合约价方面，26Q2 预估整体一般型 DRAM 合约价格仍将季增 58-63%。NAND Flash 市场持续由 AI、数据中心需求主导， 全产品线连锁涨价的效应不减，预计第二季整体合约价格将季增 70-75%。