CPO技术量产落地对光模块测试设备提出了哪些新要求？

CPO架构推动测试环节由模块级向晶圆级、芯粒级前移。由于CPO系统将交换ASIC、硅光PIC、EIC电芯片进行多芯片异构集成，任一芯粒或光电器件失效即可能导致与之共封装的昂贵计算芯片整体报废，因此必须在合封前完成晶圆级、裸片级测试与老化筛选。

按照测试插入点，CPO测试可划分为四个阶段：第一阶段为光子晶圆单面测试，需在未切割晶圆上完成高精度光耦合与多参数并行测试；第二阶段为晶圆级双面测试，测试对象为PIC、EIC与硅衬底三片晶圆键合后形成的三明治结构，需采用双面晶圆测试设备同时完成直流及互连性测试；第三阶段为切割贴装与OE裸片级测试，产出OE KGD；第四阶段为CPO模块级系统测试，需在统一平台上完成电信号与光信号的协同验证。

当前硅光/CPO大规模测试仍面临三大结构性缺口。一是光学探测标准化缺失，现有方案主要依赖主动式多轴对准，每次测试接入均需消耗对准时间，直接限制大批量制造的吞吐量。二是光纤连接器处理未标准化，面对光纤阵列、精密光学连接器和光路校准时，现有自动化程度不足。三是光学仪器依赖定制化堆叠，配置高度定制化且测量系统本身容易成为误差来源，与大规模芯片制造所要求的标准化、高吞吐量模式存在差距。测试设备正由分立仪器向光电一体化自动平台升级，具备整线协同与标准化接口的设备商将占据优势。