碳化硅行业研究报告：国内弯道超车趋势已现.pdf

碳化硅行业研究报告：国内弯道超车趋势已现。碳化硅具有耐高温、高压等优势，渗透率提升空间大。随着应用场景提出更高的要求，以碳化硅、氮化镓等 为代表的第三代半导体材料发展迅速。与第一代半导体材料硅相比，碳化硅具备更高的击穿电场强度、饱和 电子漂移速率、热导性和热稳定性，更适合在高压、高频、高功率等领域中应用，并且能实现器件小型化、 轻量化。根据Yole数据，2024年SiC材料渗透率从2020年4%提升到15%。

海外大厂发生较多变动，SiC竞争格局或收敛。Wolfspeed在2024年关闭达勒姆6英寸工厂，2025年5月正 式启动破产保护申请程序，近期宣布将依据重组协议申请破产；瑞萨电子终止原定2025年量产的群马县SiC 工厂计划，解散业务团队；罗姆为应对财务压力，已将其位于宫崎县的新SiC工厂的生产时间从2024年推迟 到2025年。

各个环节我们竞争力如何？1）衬底、外延环节国产厂商弯道超车趋势已现。2）器件环节，国产厂商竞速发 展。以比亚迪半导体代表的国产碳化硅模块企业表现出了强劲的增长态势，如芯联集成、斯达半导、基本半 导体等不仅具备模块的供应能力，还可自主供应碳化硅芯片。

未来需要关注什么？1）衬底端，AR眼镜打开碳化硅衬底的第二增长曲线。2）价格端，外延+衬底在产业 链制造成本占比；3）器件端，国内新能源车上碳化硅节奏。