钼在3D NAND存储中的技术替代逻辑与产业化进展如何？

钼替代钨的核心技术逻辑在于纳米尺度下的电阻优势与工艺兼容性。随着3D NAND字线层持续减薄，钨的有效导电面积减少导致电阻上升、RC延迟增加，成为制约垂直微缩的关键瓶颈。相较钨，钼在纳米尺度下具有更低的有效电阻率，可直接在介电材料表面沉积而无需氮化钛等阻挡层，从而扩大有效导电截面。原子层沉积工艺通过依次通入气相前驱体实现薄膜逐层生长，具备较高的膜厚控制精度和保形覆盖能力，可在高深宽比字线腔体中形成低电阻、低空洞的金属结构。Lam Research推出的ALTUS Halo钼ALD设备已实现保形沉积、选择性沉积及自下而上填充，多数应用中较传统钨方案实现超过50%的电阻改善。

产业化进展方面，三星电子已率先在2024年4月量产的286层第九代3D NAND中引入钼金属化工艺，并正逐步拓展至更多生产环节。SK海力士于2026年6月完成375层3D NAND生产验证，计划年底量产，关键设计调整为将部分字线材料由钨切换为钼。据业内估算，三星电子钼采购量由2025年约4吨增至2026年约10吨，预计2027-2030年分别达到25、40、60、80吨；SK海力士2027年钼用量约4吨。短期增量相对有限，但AI存储升级有望推动钼在先进制程中的应用渗透，并带动高纯钼原料及含钼前驱体等高端产品需求增长。