微导纳米如何打造竞争优势？

ALD 技术优势打开市场，推动技术平台化发展。

1.半导体：ALD 技术引领者，突破卡脖子技术

实现高端半导体 ALD 设备国产化从 0 到 1 突破，有望快速占领市场。首套用于 300mm（12 英寸）晶圆的 High-k 栅氧层薄膜沉积的 ALD 设备在客户 28nm 生产线上获得 验证，设备总体表现和工艺关键性能参数达到国际同类水平，并已取得客户重复订单，实 现了国产半导体 ALD 设备在 28nm 集成电路制造关键工艺量产线上的突破，该设备荣获中 国第十五届半导体创新产品。半导体 ALD 设备的国产化实现了从 0 到 1 的突破，自主可控 背景下公司 ALD 设备有望实现快速放量。

半导体 ALD 技术行业领先，产品性能达到国际同类水平。公司自 2019 年布局半导体 ALD 设备以来，仅一年时间即推出 ALD high-k 设备发往客户，九个月即获得下游客户验 证并用于量产，充分体现公司技术实力。公司专注于 ALD 技术，解决了先进制程中薄膜沉 积均匀性、金属污染及颗粒污染等工艺难题，满足了先进器件产品生产要求。从半导体薄 膜沉积设备性能指标来看，公司半导体 ALD 设备的设备产能、平均故障间隔时间、平均修 复时间、均匀性、薄膜颗粒控制、金属污染控制等多个技术指标已达到国际同类设备水 平，反应源的可拓展性、机台稳定运行时间等部分指标数据占有优势。

布局逻辑+存储+显示+化合物半导体，已获多个先进领域订单。公司已在逻辑芯片、 先进存储、化合物半导体等多个半导体细分应用领域获得知名半导体公司的商业订单。至 2022 年 6 月末，公司半导体设备合同金额超过 1.5 亿元。ALD 技术在先进逻辑芯片、新型 存储芯片、化合物半导体、新型显示芯片等半导体领域中拥有良好的应用前景，①在逻辑 芯片领域，“28nm 逻辑芯片中高 k 栅介质层”是国内集成电路突破 28nm 先进制程节点最 难的工艺之一，公司设备已实现客户量产线验证。②在存储芯片领域，“存储芯片的高 k 栅 电容介质层、介质覆盖层、金属层”应用于新型存储器，如新型铁电存储器具有非易失性 铁电场效应，将有助于克服高速处理器和低速大容量内存之间的速度差异造成的传输瓶颈问题，成为下一代主流存储方向之一。③在新型显示芯片领域，“硅基微型显示芯片的阻水 阻氧保护层”应用于硅基 OLED 微型显示芯片，该类显示芯片采用集成电路 CMOS 工艺， 作为半导体和 OLED 结合的一种新型显示技术，具有较大发展前景。④在化合物半导体领 域，“第三代化合物半导体的钝化层和过渡层”应用第三代化合物半导体功率器件，具有广 阔的市场前景。⑤“半导体量子器件的超导材料导电层”应用于半导体量子器件，属于目 前半导体领域的前沿技术。

2. 光伏：光伏技术布局全面，订单有望高速增长

公司以 ALD 技术为核心，已发展三代光伏设备产品：一代 ALD 设备、二代 PECVD/ 祝融 PEALD/羲和扩散炉、三代 TOPCon 工艺整线设备。公司在光伏领域持续以 ALD 技术 路线为核心，深化发展包括热工艺 ALD 和等离子体工艺 PEALD 在内的 ALD 技术，同时 兼顾 PECVD 等其他技术路线，以满足 TOPCon、HJT、IBC、钙钛矿等不同电池对不同薄 膜工艺设备的需求。

公司 ALD 设备在新型电池产线中具备技术优势。PERC 中背面 Al2O3 镀膜使用 PECVD 和 ALD 设备镀膜效果差别不大，但在 TOPCon 电池正面（具有金字塔结构的绒 面）Al2O3 钝化层的制备中，PECVD 的生长速率快可能会导致钝化效果略差于 ALD，且 ALD 技术具有优异的保形性且薄膜材料密度一致，因此成为 TOPCon 电池正面 Al2O3 钝化 层的主流技术路线。2022 年 1-6 月开标的 TOPCon 产线项目中正面 Al2O3 钝化层制备均使 用 ALD 技术。公司 ALD 设备在新型电池产线中得到下游客户广泛认可，2022 年上半年 TOPCon 及 xBC 电池公开招标产线中，公司 ALD 设备中标规模达 75%。

在 TOCon 领域，公司 ALD 设备市占率高达 60%-70%，逐步向整线设备商迈进。公 司开发的 PEALD 二合一平台，集成了 PEALD 和 PECVD 两种工艺，分别用于制备隧穿层 和多晶硅层，能够弥补 LPCVD 技术存在的不足。2021 年 4 月，微导纳米与尚德电力就 2GW TOPCon 整线项目签订合作协议，携手打造全球首条 GW 级以原子层沉积技术为核心 的 TOPCon 整线，可兼容 182 mm 及 210 mm 硅片电池，目前量产效率已达到 25%，处于 行业领先水平。2023 年 1 月，公司公告拟向彭山通威销售 ALD 钝化设备及 PE-Poly 设备， 合同金额总计人民币 45,180.00 万（含税），代表公司 PE-Poly 设备的龙头客户的突破，为 进一步推动整线设备导入客户树立标杆作用。

技术布局全面，xBC、HJT、钙钛矿有望放量。在 xBC 领域，公司已获得隆基、爱旭 批量设备订单。在 HJT 设备领域，公司正在研发采用 ALD 技术实现 TCO 薄膜的制备，也 在依托 ALD 技术开发沉积新型 TCO 薄膜的设备，例如采用 AZO（ZnO:Al）等资源储量丰 富的薄膜材料制备 TCO 薄膜，以改善目前 HJT 电池的生产技术、降低 HJT 电池片生产成 本。在钙钛矿领域，公司具备钙钛矿叠层电池产品和技术储备，ALD 设备已出口欧洲。

3.依托 ALD 技术延展性，拓展新应用领域未来可期

国家级专精特新“小巨人”，在多个领域具有技术先进性。公司先后承担了江苏省科 技厅“基于原子层沉积（ALD）技术的微纳器件制造关键技术研发”、“ALD 钝化下的“超 级黑硅电池”技术及其量产装备合作开发”和“高介电常数栅介质材料原子层沉积设备的 研发及产业化”等 3 项重大科研项目。公司荣获了十余项省级以上荣誉，包括专精特新 “小巨人”企业、国家高新技术企业、江苏省“双创”团队、江苏省首台（套）重大装备 产品、苏南国家自主创新示范区独角兽企业等。公司拥有江苏省原子层沉积技术工程技术 研究中心、江苏省博士后创新实践基地、江苏省省级企业技术中心等 6 个省级研发平台， 产学研结合共同推动新技术研发。公司通过各项核心技术生产的设备在多个工艺性能上具 有先进性，包括出色的成膜质量、超高的产能、优异的稳定性和多种薄膜工艺的制备能力 等。

积极推进 ALD 技术在新产业的应用。ALD 技术是具备前瞻与共性的关键真空镀膜技 术，不仅应用于集成电路、光伏新能源、柔性电子等领域，还可应用于显示领域、燃料电 池、微机电系统及传感器、光学器件、生物医药、高功率器件等重要产业。公司作为国内 ALD 技术领军者，积极拓展 ALD 技术在各个领域的应用，如新型显示领域、新能源领 域、化合物半导体和微机电领域的研发，未来有望实现更多应用领域突破。