长鑫科技:国产DRAM龙头技术突破与存储周期上行共振
- 来源:国金证券
- 发布时间:2026/07/28
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长鑫科技-688825-冉冉升起的中国DRAM龙头,充分受益存储高景气周期.pdf
研究目的本报告为国金证券对长鑫科技(688825)的首次覆盖深度研究,旨在分析公司作为中国DRAM龙头的技术突破、产能扩张与行业周期上行共振下的投资价值。核心内容公司成立于2016年,是中国大陆少数实现DRAM规模化量产的IDM企业,全球市场份额位列第四、国内第一。产品矩阵以DRAM为核心,覆盖DDR系列(占比31.60%)与LPDDR系列(占比65.86%),终端客户包括阿里云、字节跳动、腾讯、联想、小米等头部企业。公司依托合肥一期、二期及北京三座12英寸晶圆厂实现产能跃升,产能利用率从2022年85.45%攀升至2025年96%。行业周期与竞争格局全球存储市场正处新一轮上行周期起点,AI驱...
国产DRAM自主制造的关键突破
长鑫科技成立于2016年,是中国大陆少数实现DRAM规模化量产的IDM企业,专注于DRAM芯片的研发、设计、生产与销售。据招股说明书披露,公司全球市场份额位列第四、国内第一,致力于推动国产存储产业自主可控,是国家集成电路产业战略布局的关键载体。公司产品矩阵以DRAM为核心,覆盖DDR系列与LPDDR系列两大业务板块,终端客户涵盖互联网巨头、主流PC与手机厂商,应用场景覆盖服务器、移动设备、个人电脑等领域。
产能扩张与规模化优势显现
公司依托合肥一期、二期及北京三座12英寸DRAM晶圆厂的梯度建设与投产,实现产能规模持续跃升。财务数据显示,公司营业收入从2022年的82.87亿元增长至2025年的617.99亿元,产能释放对营收的拉动作用显著。产能利用率呈稳步提升态势,从2022年的85.45%持续攀升至2025年的96%,连续四年保持增长。规模化扩张的背后,是公司对研发投入的持续加码,2022-2024年累计研发投入超116亿元,研发费用率整体维持高于行业平均水平的投入强度。
存储周期上行驱动业绩高增
全球存储芯片行业的强周期性特征对公司业绩表现产生显著影响。2025年公司营业收入同比增长155.60%,2026年第一季度实现营收同比高增719.13%,净利润同比暴增1268.45%。高速增长主要归因于全球算力需求持续增长、全球主要厂商产能调配等因素影响,全球DRAM产品供不应求,价格自2025年下半年以来持续呈现大幅上涨趋势。公司综合毛利率已修复至37.80%,DDR系列与LPDDR系列毛利率均成功转正,盈利水平持续改善。
全球存储市场格局重塑
长期以来,全球DRAM市场被三星、SK海力士、美光三大厂商主导,占据全球90%以上市场份额,形成高度集中的寡头竞争格局。近年来,多重变量正在打破原有平衡:全球半导体供应链的区域化趋势,促使各国加速推动本土存储产业建设;从DDR4到DDR5的技术升级,以及HBM在AI场景中的快速渗透,为具备后发优势的企业提供换道超车的可能。长鑫科技作为中国大陆少数具备DRAM自主制造能力的企业,正凭借技术突破与产能爬坡,逐步改变全球市场的竞争版图,按2026年一季度收入计,全球份额增长至8%。
政策与需求双轮驱动国产替代
从政策端来看,我国自2014年起便将存储芯片列为集成电路产业的核心发展方向,通过《国家集成电路产业发展推进纲要》明确战略定位,并依托国家集成电路产业投资基金一期、二期、三期的持续投入,为DRAM产业提供了充足的资本保障。科创板上市支持政策、《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》等专项举措,进一步从财税减免、投融资支持、研发激励到市场应用等多维度构建了完善的产业生态。
需求端的结构性增长则成为拉动市场扩容的核心引擎。服务器以50%的占比成为第一大应用场景,在AI算力爆发的驱动下,服务器DRAM需求呈现高速增长态势。移动设备DRAM需求保持稳健增长,个人电脑DRAM需求虽增速放缓但仍保持扩容态势,智能汽车等新兴场景的需求也在快速崛起。政策红利与需求扩容的共振,为长鑫科技等本土企业打开了广阔的成长空间。
技术迭代构筑核心竞争力
公司自成立以来,始终以技术自主为核心战略,构建了覆盖芯片设计、晶圆制造、测试与封测的完整技术体系。在制程技术演进方面,公司已完成三代自主工艺技术平台的迭代与量产,当前量产的第四代工艺技术平台已具备低漏电控制体栅管、精细化薄膜沉积等国际先进技术能力。从产品布局来看,公司的DRAM产品矩阵已实现与国际龙头企业的全面对标,在DDR4、DDR5、LPDDR4X、LPDDR5/5X等主流产品线中,各容量规格均实现量产,这一能力已与全球一线厂商持平。
公司汇聚国内DRAM领域顶尖人才,搭建起经验深厚、结构完善的核心技术团队,核心技术人员均具备头部院校博士等高学历背景,拥有多年全球半导体产业实战积淀,覆盖工艺研发、芯片设计、量产运营、前沿预研等全链条关键环节。团队主导搭建第三代、第四代自主DRAM工艺平台,完成系列存储芯片从研发到量产的全流程突破,同时推进第五代工艺技术平台与下一代产品预研。
盈利预测与投资建议
机构预测未来三年公司营业收入将持续高增长,主要驱动因素包括:DDR5开始迅速放量,产能的迅速爬坡带来产出及销量的增长和产品价格的大幅上涨;LPDDR系列产品在智能手机和平板电脑等领域客户认可度较高,需求旺盛且持续增长。毛利率方面,由于产品价格暴涨,DDR系列与LPDDR系列毛利率预计将继续提升并在高位保持。考虑公司为中国大陆少数具备DRAM自主制造能力的企业,未来在国内及海外市场的渗透率提升空间巨大,机构首次覆盖给予"买入"评级。
风险提示
存储芯片行业具备较强周期性,若后续全球供需格局发生变化,产品均价出现波动,或将对公司营收及盈利水平带来一定影响。半导体行业技术更新速度较快,如果新品研发、技术推进不及预期,可能影响产品竞争力。存储价格若持续上涨,或将导致终端市场需求增长放缓、客户备货节奏调整,将一定程度影响产品销量增长。
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