AI推理重塑存储范式，国产存储迎产业升级机遇

供需共振驱动存储市场跨越式增长

自2024年生成式AI爆发以来，AI服务器对HBM、DDR5及高容量NAND的需求呈现指数级增长，同时海外存储原厂在经历行业亏损后自2023年起陆续减产，导致供给端收缩。随着减产效应的深化以及AI推理需求的加速拉升，全球存储行业进入供不应求的加速爆发期，打破了过往二十年的常规波动周期。根据IDC数据，全球DRAM营收在2025年突破1500亿美元后，预计2026年市场有望增至5607亿美元以上，同比增长显著；NAND营收也有望从2025年的671亿美元增至2026年的2890亿美元，同比增长幅度巨大。在供需错配的背景下，存储价格自2025年第三季度以来加速拉升，尽管2026年第二季度后环比增速可能放缓，但在AI应用持续深化与海外原厂保持谨慎扩产的双重共振下，存储价格有望维持高位，行业景气度持续。

AI需求重塑存储新范式

AI需求正在重塑存储新范式，存储已不再是单纯的算力配套资源，而是成为了决定AI系统整体性能与上限的核心基础设施。服务器逐步超越手机成为存储需求最主要的市场，2026年服务器DRAM占比预计将超过50%，服务器NAND Bit需求预计大增超60%并首次成为最大应用。为了打破AI海量数据与有限显存之间的“内存墙”，一方面企业级SSD加速对传统机械硬盘的替代，同时催生出高带宽闪存（HBF）充当GPU的“高速硬缓存层”；另一方面，DRAM技术中长期向3D DRAM架构演进以满足快速提升的存储需求。AI推理侧对低时延与成本效益的追求，直接推动了高密度、低功耗、超大容量企业级QLC SSD对传统机械硬盘的加速渗透，而HBF则凭借高带宽、大容量、低成本优势成为紧贴AI加速芯片的“超大容量高速硬缓存层”，适配“读多写少”的AI推理场景。

国产存储迎产业升级期

海外巨头将资本开支与有限的晶圆产能全力向HBM、DDR5以及AI企业级SSD等高附加值领域倾斜，战略性退出传统存量市场，这为国产存储产业链打开导入“窗口期”。在2D NAND与传统DDR4利基市场，国产存储厂商有望填补需求缺口。此外，国内存储原厂与模组厂迎来“市占率提升与利润释放”的进阶期：2026年第一季度长江存储在NAND全球市占率升至6.8%，长鑫存储在DRAM全球市占率升至7.5%；国内模组厂商则通过进入中高端手机、企业级等市场实现规模跃升，进入“规模增长-客户加速导入-产品结构升级”的正向循环。独立第三方主控芯片厂商有望随国产原厂与模组厂增长同步扩张，随着产业链分工重构，国产存储厂商在上行周期中有望实现利润增长与客户加速导入的良性互动。