海外光通信深度:技术演进与价值量变迁分析

  • 来源:申万宏源
  • 发布时间:2026/07/01
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海外光通信行业深度暨GenAI系列之75:光通信,从光电分立走向集成,如何看价值量变迁.pdf

本报告深入分析了海外光通信行业在AI算力驱动下的高增趋势及技术演进路径。报告指出,AI算力芯片出货量高增及单芯片互联密度提升,确立了光进柜间、光进柜内的长期发展方向。预计到2027年,全球AI数通领域新投产AI芯片对400G以上光模块/光引擎需求量将迈向1.55亿支,对应市场规模(TAM)将超过700亿美元,其中1.6T光模块为增长主要来源,3.2T预计于2027年量产爬坡。技术演进方面,报告指出光通信正从光电分立走向集成,主要呈现三大趋势:一是EML向硅光迁移,调制部分流向硅光PIC,光源部分功率提升且价值量增加;二是单通道互联速率提升,从800G迈向1.6T乃至3.2T,对DSP/SerD...

行业需求高增与市场规模扩张

AI算力芯片出货量的持续增长以及单芯片互联密度的提升,确立了光进柜间、光进柜内的长期发展方向。随着AI数通领域对高速光模块及光引擎需求的爆发,全球市场规模呈现显著扩张态势。预计未来几年内,新投产AI芯片对400G以上光模块/光引擎的需求量将迈向亿支级别,对应的市场总规模(TAM)将突破数百亿美元大关。其中,1.6T光模块将成为2026年至2027年增长的主要来源,3.2T光模块预计将在2027年开始初步量产爬坡。英伟达GPU、谷歌TPU等核心算力厂商的需求是驱动这一增长的核心动量,亚马逊Trainium和AMD GPU的需求亦紧随其后。

技术演进三大趋势:硅光迁移、速率提升与封装集成

光通信行业正经历从光电分立走向集成的深刻变革,主要呈现三大技术趋势。首先是EML向硅光迁移,这本质上是光芯片的集成过程。调制部分流向硅光PIC设计制造,而光源部分保持为连续波(CW)光源,随着互联速率和通道数的提升,光源功率要求提高且单价上涨。高精密光电封装、耦合、测试以及硅光设计环节将获得更多的价值量增加。其次是单通道互联速率的提升,从800G全面迈向1.6T乃至3.2T,这对DSP/SerDes性能、模拟电芯片线性度、光源功率及光器件性能提出了更为严苛的要求,从而带动各环节价值量提升。最后是CPO/NPO方案的推进,通过将电芯片与光芯片综合集成,拉近传输距离以降低插损。尽管可插拔方案因易维护性和生态包容度仍将保持较高占比,但“xPO”方案中能够演进为下一代电芯片或硅光芯片链主的公司,将在光电集成中获得更高价值量。

价值量变迁:聚焦高壁垒与潜在提升环节

在技术演进过程中,不同环节的价值量分配发生显著变化。基于SerDes的交换芯片和DSP/SerDes IP壁垒最高,博通和Marvell有望演进为CPO互联领域的链主。尽管CPO/NPO方案中独立DSP可能取消或降配,但SerDes IP的价值将持续提升。模拟电芯片方面,随着互联速率提升和CPO/NPO趋势对线性度等性能要求的提高,TIA、Driver等模拟芯片的价值量明确提升。硅光设计制造平台作为光芯片侧集成度提升的关键,将新增价值量环节,台积电、格芯、Tower等硅光代工企业受益。光芯片方面,从以EML为主走向EML和硅光并进,硅光方案将传统EML的调制部分转移至硅光PIC,而CW激光器等光源部分因单颗价值量及用量增加而受益。

核心竞争格局与标的聚焦

行业竞争格局呈现高度集中态势,核心标的主要集中在具备高技术壁垒和综合解决方案能力的平台型巨头。在DSP/交换芯片/SerDes IP领域,博通和Marvell凭借深厚的技术积淀和生态优势,有望成为光电互联链主。在光芯片综合平台方面,Lumentum和Coherent凭借其在EML和硅光领域的领先地位,占据重要市场份额。硅光代工制造领域,Tower作为开放代工平台,已获多家大客户长期订单,充分受益硅光化趋势。模拟电芯片领域,Semtech和MACOM凭借在TIA和Driver等高端模拟芯片的技术优势,成为关键受益者。国内厂商需关注从光模块链主延伸扶持弱势环节,以及具备初步SerDes能力的厂商实现技术突破的可能性。

编辑:流星雨
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