芯碁微装：mSAP驱动LDI量价齐升，大尺寸封装打开成长空间

AI驱动高端PCB工艺升级，mSAP成为LDI核心增长引擎

AI算力需求爆发推动高速光模块向800G及以上速率迭代，PCB线路精度与布线密度要求持续提升。mSAP（改良半加成工艺）凭借更精细的线路制造能力，逐步成为800G及以上光模块PCB的主流工艺路线。与传统减成法相比，mSAP通过超薄种子层与差分蚀刻技术，可将线宽线距压缩至15-25μm级别，铜线路侧壁接近垂直，显著抑制侧蚀效应。

工艺升级直接拉动高精度LDI（激光直接成像）设备需求。mSAP制程中，线路图形由LDI曝光定义，闪蚀带来的6-10μm侧蚀要求设备具备更高的分辨率与对位精度。根据博敏电子高端PCB技改项目测算，LDI+DI设备投资占整线设备投资比例超过五分之一，为价值量最高的核心设备环节。其中外层干膜LDI因技术门槛更高，在LDI+DI内部投资结构中占比过半。

2026年以来，中国PCB厂商已披露扩产投资累计达数百亿元规模，主要投向高阶HDI、mSAP及高多层PCB。扩产项目多集中于2026年下半年至2027年进入建设投产阶段，2028年新增产能有望全面释放。本轮资本开支聚焦高端制程，高精度LDI设备作为产线升级的核心增量设备，需求进入加速释放期。

光模块PCB对应LDI需求进入高速增长通道

光模块PCB向全增层mSAP工艺演进，单只PCB的mSAP曝光面积随速率升级显著扩大。800G产品存在HDI+mSAP混合方案与全层mSAP方案两类技术路线，1.6T及以上产品基本采用全层mSAP方案。随着高速光模块出货持续增长及全层mSAP方案加速渗透，行业mSAP总曝光面积快速提升，对应高精度LDI设备理论需求进入高速增长阶段。

先进封装大尺寸化趋势凸显，直写光刻渗透率持续提升

AI芯片封装技术持续向大尺寸、高密度互连方向演进。CoWoS-L、CoPoS、PLP及玻璃基板等技术路线均围绕更大封装尺寸、更细RDL线路持续升级，对曝光尺寸、解析精度及套刻精度提出更高要求。面板级封装（PLP）采用矩形大尺寸载板替代传统圆形晶圆，介质基板面积利用率显著提升，边角切割废弃物大幅减少，成本优势逐步显现。

直写光刻技术凭借无需实体光罩、可实时读取数字版图并动态修正曝光路径的优势，更适配先进封装大尺寸、细线化、小批量多品种的生产特点。与传统步进式光刻相比，LDI可降低大面积曝光过程中的对位误差，提高细线路RDL及多层RDL的制造精度，产品迭代时仅需更新曝光数据即可，显著缩短开发周期。

芯碁微装：全球LDI龙头，双轮驱动成长

芯碁微装为全球PCB直写光刻设备头部厂商，也是中国唯一可覆盖PCB、IC载板、晶圆级及面板级封装全场景的LDI设备厂商。公司PCB LDI产品矩阵完善，覆盖图形层与阻焊层光刻两大核心工艺，并配套激光钻孔设备，可满足HDI、mSAP及类载板等高端PCB制造需求。

在泛半导体领域，公司已形成覆盖IC载板、WLP及PLP的先进封装直写光刻产品体系。WLP系列已完成多家先进封装头部客户验收并实现量产，获得重复订单；PLP 2000设备获得重要客户订单，标志着公司完成PLP产业化突破。泛半导体业务毛利率显著高于PCB系列业务，随着该业务占比提升，公司盈利能力有望持续改善。

公司2025年全球PCB直接成像设备市场份额位居行业首位。随着mSAP渗透率提升及先进封装产业化加速，公司有望充分受益于PCB高端工艺升级与先进封装大尺寸化双重趋势，实现量价齐升。