IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极晶体管）是半导体器件，是一种高压、高性能、大电流开关管。IGBT结构简单，其特性介于金属氧化物场效应管（MOSFET）和双极型晶体管（BJT）之间，不仅具有MOSFET控制容易、驱动电流小，而且具有BJT大电流、大功率承载的特点，因此在控制功率电子领域得到广泛应用。
IGBT器件主要由N型MOSFET压控型、P型双极晶体管开关型和N型双极晶体管开关型三种不同工作方式组成。其中，P型双极晶体管开关型的应用最广泛。
目前，我国IGBT产业整体规模较小，主要分布在南方的广东、浙江、上海等地。根据相关数据显示，2019年，我国IGBT市场规模约为218亿元，其中，封装市场规模为120亿元，芯片市场规模为98亿元。2020年，受新冠疫情影响，我国IGBT市场规模略有下降，约为215亿元。未来几年，随着新能源、工业自动化、电动汽车等领域的发展，我国IGBT市场将逐步增长。
中国IGBT行业市场受行业技术壁垒和行业入门门槛较高的限制，在市场份额方面主要有三个国际知名企业把控：Infineon、Mitsubishi Electric、Fuji Electric。其中，Infineon占据我国IGBT市场份额最大，达到近一半。
1.市场需求延伸上游领域
目前，IGBT主要应用于功率电子领域，如电机驱动、光伏逆变器、UPS等等。未来，随着汽车、航空航天、轨道交通等领域的发展，IGBT将逐渐延伸到更高-end、更加复杂的市场，如电动汽车、高铁、新能源风电等行业。
2.技术需求更高
随着市场的需求延伸，IGBT领域的技术和品质要求也越来越高，未来IGBT产品将趋于高效、高可靠、高性价比等特点，并提高创新意识和核心技术的保护水平。
3.竞争格局将逐渐优化
目前，中国IGBT市场基本被国际巨头把控，但是伴随着国内产业集群逐渐形成，以及中国自主研发能力不断提升，中国IGBT行业发展前景十分广阔。未来，我国IGBT市场的竞争格局将逐渐优化，市场份额由国外品牌向国内品牌转移，加强中国IGBT企业在技术、服务、成本、品质等方面的建设和提升。
中国IGBT产业整体面临着发展缓慢、技术壁垒高及受国际巨头把控等困境。未来IGBT市场需要推动技术进步、提升行业水平，加速自主创新的发展步伐，以保证IGBT市场的持续稳定增长。
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