2026年赛英电子北交所新股申购报告：功率半导体陶瓷管壳“小巨人”，受益新能源与智算需求高增

功率半导体器件“小巨人”，2025 年营收同比+31.22%

1.1、 功率半导体器件“小巨人”，主要产品为陶瓷管壳、封装散热基板

公司是专业从事陶瓷管壳和封装散热基板等功率半导体器件关键部件研发、制 造和销售的国家高新技术企业。公司产品主要应用于晶闸管、IGBT 和 IGCT 等功率 半导体器件，应用领域覆盖发电、输电、变电、配电、用电等电力系统全产业链， 在特高压输变电、新能源发电、工业控制、新能源汽车、智算中心、轨道交通等领 域发挥重要作用，市场前景广阔。 公司是国家级专精特新“小巨人”企业、国家高新技术企业、江苏省民营科技 企业及无锡市瞪羚企业。公司承担并完成了 7 项国家级及省级科研项目，包括工业 和信息化部工业强基工程项目“柔性高压直流输电用平板全压接大功率 IGBT 多台架 精密陶瓷结构件产业化”、工业和信息化部电子信息产业发展基金项目“全压接式大 功率 IGBT 多模架精密陶瓷外壳”、科技部科技型中小企业技术创新基金项目“轻型 高压直流输电用平板压接式 IGBT 多模架陶瓷管壳研发及产业化”、“平板全压接式大 功率 IGBT 多模架精密陶瓷管壳”和“大功率集成门极换流晶闸管（IGCT）用精密 外壳”、江苏省科技成果转化项目“高压大功率器件陶瓷封装系列产品研发及产业化”、 江苏省科技支撑计划项目“千安级 IGBT 陶瓷封装结构研究”等，核心竞争力显著增 强。

公司主要产品可分为陶瓷管壳、封装散热基板两大类。 （1）陶瓷管壳：作为晶闸管、IGBT 等功率半导体器件的关键封装载体，具备 高机械强度、优异热稳定性、绝缘性及低热膨胀系数等特性，可以实现芯片防护、 环境隔离、散热传导与电气互联功能。

公司晶闸管用陶瓷管壳系晶闸管的封装结构主要是由下游功率半导体器件制造 企业配套芯片、钼片等与陶瓷管壳组装成晶闸管。

陶瓷管壳由管盖和管座构成，管盖为金属结构，在晶闸管中作为阴极使用；管 座则是金属和陶瓷件通过陶瓷金属化焊接的阳极结构。陶瓷管壳对晶闸管内部芯片、 钼片等进行封装，在晶闸管中起到保护内部芯片、隔离外界环境、高效散热、电气 联通和提供机械支撑等作用。大规格晶闸管主要应用于特高压输变电工程，需在特 高压、高温工况下保证长时间无故障运行，维护难度较高，因此功率器件的稳定性 和可靠性至关重要。陶瓷管壳正是保障器件稳定可靠的关键部件。

IGBT 是一种复合全控型电压驱动式功率半导体器件，可正向和反向关闭，相较 晶闸管更适用于高频应用场景，根据结构设计可分为焊接式 IGBT 与平板压接式 IGBT。 焊接式 IGBT 的制造流程为基于电路版图设计，将 IGBT 芯片贴片到 DBC 基板 上，并用金属线键合连接，同时将 DBC 基板与封装散热基板进行焊接，最终整体灌 封。焊接式 IGBT 加工工艺相对简单，生产成本较低，在中小功率领域的应用上有较 高的可靠性，但在高压场景下易出现功率密度不足、键合线断裂、单面散热效率较 低等问题。 平板压接式 IGBT 结构设计借鉴大功率晶闸管压接封装结构，通过对陶瓷管壳两 端施加压力，使内部芯片与外部电极形成电气联通，实现多芯片并联压接封装，避 免了焊接式 IGBT 封装结构在高压环境下的散热效率较低的问题，具有低热阻、双面 散热、失效短路等优点，应用于柔性直流输电工程等高功率、高频场景。

公司凭借自身成熟的大规格晶闸管用陶瓷管壳生产工艺，成功研发并量产了平 板压接式 IGBT 用陶瓷管壳。该类陶瓷管壳在器件中起稳定支撑、高效散热的作用。 平板压接式 IGBT 需保证各层封装材料间的精准匹配、良好接触，对陶瓷管壳的工艺 精度、强度和稳定性要求较高。

（2）封装散热基板：公司的封装散热基板直接应用于以 IGBT 为主的功率半导 体器件，按照形态可以区分为平底型封装散热基板和针齿型封装散热基板。

公司封装散热基板主要直接用于焊接式 IGBT 器件，按照形态分为平底型封装散 热基板和针齿型封装散热基板。IGBT 功率模块运行时会产生大量热量，如无法高效 散热，易引起芯片温度过高并导致模块性能下降、寿命缩短、模块失效。封装散热 基板作为芯片与外部散热板之间关键的导热介质，可以实现了高效热传导和热扩散， 对 IGBT 的温升水平、可靠性和使用寿命起到关键作用。

采用平底型散热基板的 IGBT 功率模块，基板与散热器之间通过施加一层导热硅 脂，用以填充基板与散热器的空隙，增加散热效率。针齿型散热基板则通过直接与 冷却液接触散热。

截至 2026 年 3 月 6 日，陈国贤直接持有公司 33.94%的股份，陈国贤配偶秦静直 接持有公司 20.00%股份，陈国贤与秦静之女陈蓓璐直接持有公司 4.63%股份，陈蓓 璐配偶陈强直接持有公司 2.78%股份，陈蓓璐与陈强通过分别持有赛英投资 42.50%、 25.00%的份额且陈蓓璐为赛英投资执行事务合伙人而间接控制公司 18.52%的表决权， 四人合计控制公司 79.87%表决权。

1.2、 受益特高压输变电+智算中心等领域，2025 年营收同比+31.22%

近年来，受益于特高压输变电、新能源发电、工业控制、新能源汽车、智算中 心、轨道交通等下游领域的稳定发展，公司业务实现稳定增长。2022 年至 2025 年 公司主营业务收入和归母净利润复合增长率为 39.93%和 26.10%，2025 公司营收和 归母净利润分别为 6.00 亿元和 8807.79 万元，分别同比增长 31.22%和 19.18%。

营收结构方面来看，2023 年以来封装散热基板成为公司业务收入的主要来源。 封装散热基板业务系公司自 2017 年起即着力培育的新业务领域，与中车时代、客户 A、宏微科技等半导体行业内知名客户建立起稳定的业务关系，产品已经在光伏逆变 器、新能源汽车、工控设备等终端设备中批量使用；2023 年以来，该业务实现跨越 式发展，已经成长为公司业务收入的主要来源。

从盈利能力方面来看，公司毛利率和归母净利率略有下滑。2022-2025 公司毛利 率分别为 32.94%、28.85%、27.01%、25.80%，其中 2022-2025 年主营业务毛利率分 别为 33.02%、31.36%、30.09%和 30.25%，整体较为平稳，持续保持在 30%以上的 较高水平。2022-2025 年归母净利率分别为 20.06%、17.18%、16.16%、14.68%。

公司成本管控良好，管理费用率呈现稳步下滑趋势，销售和财务费用率整体稳 定。2022-2025 年公司管理费用率分别为 3.88%、2.89%、2.42%、2.67%；销售费用 率分别为 0.16%、0.25%、0.23%、0.21%；财务费用率分别为-0.59% 、 -0.16% 、 -0.16%、0.11%。

公司重视研发，2022-2025 年研发费用整体稳步增长。2022-2025 年公司研发费 用分别为 831.15 万元、1027.74 万元、1446.00 万元、2205.58 万元；研发费用率分别 为 3.80%、3.21%、3.16%、3.68%。

受益下游多领域行业增长，功率半导体市场发展空间广阔

2.1、 功率半导体下游应用领域广泛，市场发展空间广阔

公司专业从事陶瓷管壳、封装散热基板等功率半导体器件关键部件研发、制造 和销售。其产品上游主要为铜材、瓷件等原材料供应商，下游为晶闸管、IGBT、IGCT 等功率半导体模块厂商。终端应用行业非常广泛，在发电、输电、变电、配电、用 电等电力能源行业全链条环节中扮演重要角色，应用范围覆盖特高压输变电、新能 源发电、工业控制、新能源汽车、智算中心、轨道交通等领域。

按照基础结构类型，功率半导体器件主要分为二极管、晶闸管、晶体管等三类。 二极管由单一的 PN 结构成，仅依赖电压极性导通或关断（被动导通），是不可控器 件，具有单向导电性；晶闸管由四层半导体结构（PNPN 结构）构成，其通过门极触 发电流开启，但无法通过门极关断（主动导通，被动关断），具有半控特性；晶体管 由三层半导体结构（PNP 或 NPN 结构）构成，通过控制信号实现导通与关断（主动 导通/关断），属于全控型器件。

IGBT 需兼顾高频开关与低导通损耗，耐压能力受限，因此晶闸管在超高功率 领域仍具有不可替代的优势。功率半导体器件应用场景十分广泛，涵盖从电力制造、 传输、分配到电力使用、消费等电能各个主要环节，在特高压输变电、新能源发电、 工业控制、新能源汽车、智算中心、轨道交通等诸多领域发挥重要作用。对于下游 而言，功率半导体的能量和频率是选择应用场景的关键考量因素。晶闸管受限于半 控性特点，适用于中低频场景。随着设计和工艺制造技术的成熟，通过采用更低电 阻率、更薄的硅单晶片、控制芯片表面电场强度等方法，实现晶闸管在特高压环境 下的耐压设计，因此大尺寸晶闸管可应用于高电压、大电流、低频率的高压直流输 变电领域。

晶闸管技术相对成熟，主要应用于工业控制的电源模块、电力传输的无功补偿 装置、家用电器的控制板等领域，市场成长性趋于稳定。与其他功率半导体相比， 晶闸管具有更高电压、更大电流的处理能力，在大功率应用领域具有独特的优势。 根据 BusinessResearchInsights 数据，2024 年全球晶闸管行业市场规模约为 10.8 亿美 元，预计 2025-2033 年市场规模将以 3.6%的年均复合增长率增长至 14.8 亿美元。

随着功率器件国产化进程的加速以及国家对新能源产业的大力投资，近年来我 国晶闸管行业保持良好的增长态势。根据 Statista 数据，中国晶闸管行业市场规模自 2020 年开始持续增长，由 2020 年 15.8 亿元增长至 2024 年 32.8 亿元，年复合增长率 为 20.03%。

2.2、 下游多领域行业高增长，驱动功率半导体需求上行

以晶闸管、压接式 IGBT 为代表的陶瓷管壳封装大功率器件终端多应用于特高 压输变电、新能源并网与能源互联、智算中心、轨道交通等基础设施的建设。包含 封装散热基板的 IGBT 模块则凭借其高频开关与低导通损耗特性，在工业控制设备、 新能源汽车电控系统、新能源发电并网系统等现代电子设备中扮演关键角色。

电力行业

电力行业系国家战略、政策聚焦的重点行业，是现代经济发展的基础。在应对 气候变化、保障能源安全、促进可持续经济增长等多重驱动下，电力系统正经历深 刻变革，加速向清洁低碳、安全高效的新型电力系统转型升级，发电侧、电网侧和 用电侧等电力主要环节均迎来升级扩容需求。 2023 年全球电网投资额约 3,200 亿美元，BloombergNEF 预测 2023-2026 年全球 电网投资增速 8%左右，较 2020-2023 年 3%的年均增速显著加速。按照保守估计， 2023 年至 2030 年全球电网投资年均增速预计在 6%左右，至 2030 年年投资额近 5,000 亿美元。若按照碳中和、净零转型路径，高比例新能源、终端电气化需要更多电网 设施配套，2023 年至 2030 年电网投资需求年复合增长率将达到 14%，至 2030 年年 投资额超过 8,000 亿美元。 根据 Wind 数据，2015-2025 年全国电网工程建设完成投资年均复合增长率约为 3.26%，整体保持平稳增长。为满足日益增长的电力需求、推进国家新型电力系统的 构建，根据《2025-2026 年度全国电力供需形势分析预测报告》，2025 年全国电网工 程建设完成投资 6395 亿元，同比增长 5.1%。交直流输电通道的建设，打通了区域电 力输送动脉，资源配置能力进一步提高。整体来看，近年来风光大基地建设推动特 高压直流输电通道工程投资快速增长，2025 年直流工程投资同比增长 25.7%；交流 工程投资同比增长 4.7%。与此同时，跨区、跨省输送电量较快增长。2025 年，全国完成跨区输送电量 9984 亿千瓦时，同比增长 7.9%；跨省输送电量 21237 亿千瓦时， 同比增长 6.3%。受益于国家新型电力系统的构建和电网的持续投资，电力能源产业 将不断优化升级，持续发展，公司晶闸管用陶瓷管壳主要用在直流领域，市场前景 广阔。

光伏、风电等新能源发电领域

功率半导体在光伏行业中的应用主要体现在光伏逆变器上。作为光伏发电系统 的核心部件，光伏逆变器能使光伏发电系统以最大的输出效率将光伏组件产生的直 流电转化为电能质量符合标准要求的交流电，输送给本地负载或电网。IGBT 作为逆 变器中的开关元件，通过控制其导通和关断来生成交流波形，从而实现直流电到交 流电的转化。

编辑：火腿肠