2026年电子行业存储专题系列2：如何看待此轮存储周期的不同

如何看待此轮存储周期的不同

近期市场对存储板块的担忧集中在价格上涨动力、CSP 资本开支、终端消费电子 需求、存储行业周期位置及国内存储大厂竞争五个方面。具体包括： 1）存储价格涨幅环比增速在 2026Q2 可能放缓 。2）2027 年之后 CSP 资本开支增速放缓。 3）消费电子（PC、手机）需求承压。 4）存储周期位置 。5）国内存储厂商扩产带来的竞争压力。

我们认为本轮周期实质是 AI 驱动存储产业从传统的周期性向成长性转变的逻辑， AI 拉动 HBM、企业级 SSD 等高附加值产品需求高增长，行业周期属性逐步弱 化，存储供需紧张持续至少到 2027 年。 1）目前从产业反馈来看，由于存储市场全面进入卖方市场，具有很强的定价权， 我们预计 26Q2 存储价格环比涨幅仍较高。而由于 2026Q1 大幅涨价之后基数较 高，我们认为 26Q2 涨价略有放缓是合理的，重点关注绝对价格水平仍在快速提 升。 2）根据 TrendForce，预计 2026 年八大主要 CSP 的合计资本支出将超越 7,100 亿美元，同比增长约 61%。若未来 AI 应用爆发，企业盈利有望大幅提升，CSP 在 2027 年之后依旧有望大幅提升资本开支。 3）存储涨价对消费电子需求虽存在较大冲击，但本轮周期是由 AI 数据中心和云 服务商主导，这些客户对价格敏感度较低，AI 推理需求爆发是存储需求的主要驱 动力，我们预计存储下游需求中服务器占比将超过 40%。整体来看，AI 对存储需 求拉动高于消费电子下滑对存储需求的影响，行业周期属性逐步减弱，行业整体 需求呈现向上趋势。 4）由于 2026 年供需持续紧张，价格呈现持续上行趋势，目前存储行业仍处于上 行周期，短期见顶可能性非常低。 5）国内存储大厂长鑫和长存目前在全球市场份额仍然偏低，预计 10-15%左右， 2026 年国内两大存储厂商扩产对行业竞争格局影响有限。

AI 加速存储需求高增长

从需求端来看，AI 推理需求爆发是存储需求的主要驱动力。根据 TrendForce， 预计 2026 年八大主要 CSP 的合计资本支出将超越 7,100 亿美元，同比增长 约 61%。虽然存储涨价对消费电子需求存在较大冲击，但本轮周期是由 AI 数 据中心和云服务商主导， AI 对存储需求拉动高于消费电子下滑对存储需求的 影响。 智能手机：受 DRAM 与 NAND 闪存供应短缺、价格持续上涨影响，IDC 预计 2026 年全球智能手机出货量同比下降 12.9%，2027 年智能手机市场将迎来 1.9%的温和增长，2028 年实现 5.2%的较强反弹。

PC：由于存储价格大幅上涨，对于价格敏感的消费者和中小企业而言，这将导致 延迟设备购买计划，延长更换周期，影响 PC 出货量。IDC 预计 2026 年全球 PC 出货量同比下降 11.3%。

服务器：随着 AI 浪潮不断推进，模型快速迭代能力大幅提升，对存储需求也将大 幅提升。预计未来存储行业景气度具有较强持续性。从四家 CSP 云厂的最新业绩 会来看，25Q4 的 capex 再创新高，且对未来 capex 指引也有上修：Google 本季 度 capex 达 279 亿美元，预计 2026 年全年资本支出 1750-1850 亿美元；Meta 当季度 capex 为 214 亿美元，预计 2026 年全年 capex 为 1150-1350 亿美元；微 软当季 Capex 为 375 亿美元（含融资租赁），预计 2026 财年的增长率将高于 2025 财年；亚马逊本季度资本开支为 385 亿美元，预计 2026 年全年资本开支将会达 到 2000 亿美元。

从部分海外存储原厂对需求端表述来看，AI 对存储需求拉动巨大。 美光表示由于模型快速迭代，Token 数量激增，上下文窗口变得更长，推理变得 更加密集，agent 调用等加速驱动存储需求高增长。

闪迪表示 NAND 处于 AI 基建扩张的核心位置，AI 工作负载驱动 SSD 需求增长， 特别是推理应用驱动终端部署容量大幅增长，预计短期、长期内都将实现显著增 长。预计 2026 年，数据中心将首次成为 NAND 最大的市场，数据中心市场需求 增长率上调至 60%以上（以 EB 为单位），具体来看，2027 年预计新增约 75- 100EB 的数据量，到 2028 年需求量将翻倍增长。 HBM 方面，AI 推动 HBM 市场空间快速增长，目前主要由美光，海力士，三星占 据主要市场。据 YOLE 数据，HBM 市场在 2024 年达到了 170 亿美元，2025 年 预计达到 340 亿美元，预计到 2030 年将会到达 980 亿美元，其 CAGR24-30 为 33%。竞争格局方面，海力士、三星、美光分别占据 54%、39%、7%的市场份额。

推理算力大幅爆发驱动 AI 服务器需求快速增长，同时芯片升级拉动 HBM 规格持 续升级迭代。近期英伟达正式推出 rubin 系列芯片，rubin 成为首款集成 HBM4 内存芯片的 GPU，其带宽为 22 TB/s，而 Blackwell NVL72 HBM3E 为 16 TB/s； 其同时推出了 Rubin NVL72 架构系统，其 HBM4 容量达到 20.7TB，而 Blackwell NVL72 HBM3E 为 13.4TB/s，Rubin 系列在带宽和容量上都对 HBM 提出了更高 的要求。

在 HBM 之外，HBF 也有望给存储带来新的增长点。闪迪的 HBF 是一款带宽优 化的 NAND 产品，采用了与 HBM 基本一致的设计思路（大量 I/O 引脚、多层 堆叠）并与 HBM 共享相同电气接口，带宽也能与 HBM 匹配。不过 HBF 对协 议进行了调整以适应存储介质从 DRAM 到 NAND 的切换，因此 HBF 和 HBM 不完全兼容。在 HBF 中多层核心裸晶（Core Die）采用微凸块（Micro Bump） 的方式通过硅通孔（TSV）的手段堆叠在一起，整个 HBF 堆栈底部则是负责同 计算芯片通信的逻辑裸晶（Logic Die）。 闪迪宣称其 HBF 技术可实现超低的裸晶翘曲，目前已可实现 16 层堆叠，单堆栈 容量可达 512GB，这意味着 2.5D 集成 8 个 HBF 堆栈的单个 AI GPU 就能拥 有高达 4096GB（4TB）的存储空间，是纯 HBM 方案的 20 倍以上，可满足参 数约 1.8T 的前沿 LLM 模型的推理运行需求。

据半导体产业纵横， HBF 的商业化落地将在 2027 年底至 2028 年左右实现， 初期将率先应用于人工智能推理场景。未来融合 HBM 与 HBF 技术的混合存储 架构，有望成为人工智能领域的标准存储方案。

海外存储大厂产能扩张有限，产能向高端存储倾斜

供给侧：海外存储原厂加大 Capex 投入，但受制于技术升级及扩产周期，产能扩 张幅度以及无尘室空间有限，我们预计供需紧张有望持续到 2027 年之后。 三星：产能规划 1.三星电子计划在平泽 P4 晶圆厂综合体建设一条用于生 产 HBM4 内存所需 1c nm DRAM Die 的大型生产线，月产能达 10~12 万片晶 圆。并将平泽 P4 工厂的投产时间从 27Q1 提前至 26Q4，生产规划前移约三个 月。2.三星已决定重启其位于韩国平泽市的先进晶圆厂 P5 的建设工程，预计将于 2028 年投入运营，且不排除因市场需求紧迫而提前投产的可能性。3.三星电子计划在 2026 年大幅提升其高带宽内存（HBM）生产能力，目标是将理论产能从目 前的每月约 17 万片晶圆提升至约 25 万片，增幅接近 50%。 海力士：预计 2026 年服务器存储出货量实现 high teen%增长，主要受益于 AI 对 存储容量和带宽需求不断提升，而手机和 PC 短期内出货将调整，主要由于存储 成本上升和消费者信心减弱，需求增长预计低于整体行业增长。公司 2026 年的 HBM 已全部售罄，满足客户需求的生产计划已经分配完毕。鉴于目前的生产计划， 很难在 2026 年对 HBM 和标准型 DRAM 的产线进行有意义的调整。 产能规划：1.SK 海力士将提前实现韩国清州 M15X 工厂产能最大化，主要用于提 升 1b nm DRAM 产能，支持 HBM3E 和 HBM4 生产；公司计划 26Q2 启动 321 层第 9 代 NAND 的转换投资，目标是在清州 M15 确保月产约 3 万片晶圆的 V9 产能 2. SK 海力士加速韩国龙仁集群建设，首座工厂总投资飙至 31 万亿，二 至六阶段 5 个洁净室同步铺开，首座洁净室提前至 2027 年 2 月投产。3. SK 海 力士将在其忠清北道清州市生产基地投资 19 万亿韩元建设面向 HBM 等 AI 内存的需求的先进封装后端晶圆厂 P&T7，计划于 2026 年 4 月开工建设，预计 于 2027 年底竣工，其将与 SK 海力士的清州 M15X DRAM 前端晶圆厂构成有 机整体，加速最新 AI 内存的生产制造。4. SK 海力士计划在美国印第安纳州西拉 法叶（West Lafayette）建立其首条 2.5D 先进封装量产线，定位为 AI 内存专用 的最先进封装生产基地，总投资额约为 38.7 亿美元，目标是在 2028 年下半年正 式投入营运。

美光：一些关键客户只能满足其需求的 50% 到 2/3。无论是大客户还是小客户， 这种无法供应的情况在各个市场都普遍存在。HBM 占比提升限制整体 DRAM 供 给增长。由于 HBM 的晶圆消耗约为标准 DRAM 的 3 倍，HBM 占比提升将挤占 传统 DRAM 产能。未来随着 HBM 4、HBM4E 和 HBM5 推出，比例随着时间推 移还在增加，进一步限制了供给。供给侧新增产能主要在 27H2 之后。 公司已经完成了 2026 年全年 HBM 供应的价格和数量协议，包括美光行业领先的 HBM4。美光 HBM4 拥有业界领先的 11Gbps 以上速度，正按计划推进量产，预 计将于 2026 年第二季度实现高良率量产。 产能规划：1.爱达荷州 1 号工厂预计首片晶圆将于 2027 年中期投产。 2.公司宣 布在爱达荷州建设第二座晶圆厂的计划，该晶圆厂将于 2026 年开工建设，并于 2028 年底投入运营。3.公司计划于 2026 年初在纽约州启动首座晶圆厂的建设， 预计该晶圆厂将为 2030 年及以后提供晶圆供应。4.公司在日本推动未来 DRAM 技术的转型，还在广岛工厂增设洁净室空间，以支持这些先进节点。5.公司印度 组装和测试工厂的进展顺利，该工厂已启动试生产，并将于 2026 年量产。6.公 司将在新加坡投资扩产 NAND 闪存，计划未来 10 年内在新加坡追加投资 240 亿美元，预计 2028 年下半年投产。7.公司在新加坡建设有价值 70 亿美元的 HBM 先进封装厂，预计于 2027 年投产。8.公司计划收购力积电铜锣乡的 P5 晶圆厂区， 该厂区将于 2027 年下半年开始为其带来显著的 DRAM 晶圆产量，预计 P5 厂区 满载后每月可生产约 5 万片 12 英寸晶圆，有望在短期内提升美光整体 DRAM 年 产能约 10%至 15%。

闪迪：公司专注于 BiCS8 过渡阶段的稳健执行，力争实现长期平均 bit 增长率维 持在 15%-20%区间。 公司已完成 PCIe Gen5 高性能 TLC 固态硬盘在第二家超大规模数据中心的认 证。预计未来几个季度将在更多超大规模数据中心完成认证，BiCS8 TLC 解决方 案也将很快推出。 Stargate 正在继续推进与两家主要超大规模数据中心的认证 工作；预计将在未来几个季度开始出货并产生收入。 产能规划：1.公司拥有两大核心生产基地，分别是四日市工厂和北上工厂。闪迪 和铠侠宣布正式将双方位于铠侠四日市工厂的合资协议延长五年，原协议将于 2029 年 12 月 31 日到期，此次延期后有效期将顺延至 2034 年 12 月 31 日。当 下所有工厂均处于满产状态，而北上基地是产能扩张核心。 2.公司刚落成了北上 二期工厂 Fab2（K2），预计将在 2026 年上半年开始实现规模化产出。