2026年ASML深度报告：全球高端光刻领导者

当下我们谈论ASML，我们在谈论什么？

Q1：EUV层数或将重新进入上升通道？

逻辑芯片方面，此前受限于晶体管架构从FinFET向GAA切换阶段，EUV层数增长阶段性停滞。GAA并不高度依赖EUV曝光，更多是DUV或其他加工步骤，因此切换阶段EUV层数增长不显著。且对于早期GAA芯片，主要优化目标集中在器件电控优势、短沟道效应控制及良率学习，而EUV的价值通常在更进一步缩小金属线宽时才显现。GAA的切换预计2026年完成，且AI应用对PPA（功耗、性能、面积）的要求显著高于传统芯片，届时制程迭代重心或将重新回到提升光刻强度。

存储客户扩大EUV需求。存储客户如SK海力士将投资重心转移至第六代10nm级（1c）DRAM制程，EUV制程层数将随之增加至6层。现行的第五代10nm级（1b）制程约采用4-5层EUV曝光。

因此，我们认为2026-2030年先进制程和存储EUV制程层数或将进入上行通道。

Q2：三大先进制程晶圆代工客户中有两家发展不顺，影响ASML的订单能见度？

ASML订单能见度以及营运成长性与目前仍在深耕的先进制程三大晶圆代工厂台积电、三星电子、英特尔制程规划休戚相关。而目前台积电在先进制程竞逐中领先优势愈加扩大，其余两家则存在推迟部分制程节点的趋势。不过，美国政府、英伟达、特斯拉等各方以各类形式为三星、英特尔提供金流，无论最终成果为何，总是需要先采购设备，对ASML来说实属利好。

台积电：AI时代，台积电与竞对的差距进一步拉大，议价权显著提升，市占率步步高升，但也存在反垄断风险。

三星电子：三星原本规划于2027年左右量产1.4nm（SF1.4）制程，但目前已决定延后该制程的开发时程，预估量产时间将推迟至2029年。延后原因主要包括先进制程良率偏低、客户订单不足，以及晶圆代工事业部营收恶化等困境。三星短期内正集中资源聚焦2nm等制程的良率改善，争取更多大型客户订单；长期则着眼于1.0nm制程的技术突破与量产准备，配合High-NA EUV等先进设备的导入，期待在2028年后逐步恢复先进制程的竞争力。三星原计划美国泰勒厂2024年投入运营，但由于缺乏客户，项目曾被曝出推迟到2026年才能正式投产。2025年7月，三星与特斯拉签署价值165亿美元、为期8年的芯片代工协议。这笔长期大单或是拯救泰勒项目、提升三星在美国代工话语权的关键。此外，由于台积电产能供给极度紧绷，三星或正积极筹备在泰勒市新建第二座晶圆厂。

Q3：成本效益权衡之下，主要晶圆厂呈观望姿态，High-NA EUV何时能实现大规模商用？

技术复杂度高增加良率风险和成本压力：（1）曝光视场限制与接缝问题。High-NA EUV的曝光视场仅26×16.5毫米，约为Low-NA的一半，对于大型芯片如GPU和CPU，需要两个掩模版并缝合在一起，增加制造复杂度。（2）光罩规格相容性问题。Intel提出使用6×12英寸的光罩以扩大视野并避免接缝，但此举可能影响现有光罩供应链的相容性。（3）材料与制程技术挑战。High-NA EUV需要更先进的光阻材料，如金属氧化物阻剂（MOR），以及由不同厂商主导的涂布和显影技术，这使得制程整合更加困难。（4）设备功率需求提高。High NA EUV的电源功率或增至1000瓦，需在材料和零组件方面做重大变革，增加成本负担。 => 整体制造成本大幅提升：据Tom's Hardware，单台High-NA EUV价格约3.8亿美元，是前代Low-NA EUV机种的2倍以上，每次曝光成本也约为Low-NA的2.5倍。

Q4：ASML中国市场发展趋势？

近年来，半导体设备厂商对中国市场的依赖程度逐年攀升。ASML中国市场收入贡献在2022年约14%，但到2024年，该占比已约36%。ASML预计，2025年，中国市场收入贡献将降至25%左右，实际数据为约29%（2022-2024年该占比分别为14%/26%/36%）。全球五大半导体设备厂商的中国市场设备销售额贡献在2023-2024年都出现了大幅增长，但自2024H2又开始回落至较低水平（尚未完全正常化）。

特朗普政府究竟会采取哪些更严格的限制措施还有待观察。但无论美国下一步采取什么监管举措，都不太可能对ASML及其他海外半导体设备厂商在中国的半导体设备销售产生积极影响。

对ASML来说，中国仍然是重要的收入来源，但其收入贡献在未来几年或下降。ASML当前营收增长的主要动能是EUV光刻机，而中国市场对此没有贡献。因此，即使中国在DUV中的份额保持不变，这也意味着其在ASML整体收入中的份额将被稀释。

镜中的风暴：ASML与光的四十年博弈

创业维艰：边缘求生与技术奠基（1984-2000年）

艰难起步： 1984年由飞利浦与ASMI合资成立，初期仅47名员工，办公室设在简易木棚中，濒临破产边缘。

面对日本Nikon、Canon的市占率超50%的市场环境，美国GCA等老牌厂商衰落，市场生存空间较为有限。

破局关键：PAS 5500系列与竞争市场差异化。

1991年，意欲向IBM出货的PAS 5500光刻机原型机制成；1991-1992年间，ASML陷入严重财务危机，1991年仅售出36台光刻机，远不足以覆盖PAS 5500巨额的研发开支；截至1996年，搭载i-line光源的PAS 5500/200已向美光出货；1998年，推出首款DUV光刻机PAS 5500/500。时至今日，PAS 5500仍是ASML最长青的光刻机设备，也是ASML用途最广泛的产品线之一。在PAS 5500出货之前，ASML在光刻机市场位居第三，远远落在竞争对手Nikon和Canon之后，而PAS 5500的成功使ASML得以晋升第二大光刻机设备商，并为ASML日后在光刻机市场的全球发展打下基础。

避战日本主战场，主攻新兴市场（中国台湾、韩国），1995年上市，全球光刻机销售额市占率从1994年的18%升至1999年的37%。

技术逆袭：浸没式光刻与双晶圆台革命（2001-2010年）

2001年，首款双晶圆台光刻机TWINSCAN AT:750T推出（旧版本的 TWINSCAN为单晶圆台设备）。晶圆被交替地装载到TWINSCAN平台上， 当一个平台上的晶圆正在曝光时，另一个晶圆被装到二号平台进行对准和测 量，然后两个平台交换位置，原来在二号平台的晶圆进行曝光，而一号平台 的晶圆完成卸载。然后，新的晶圆被装载、对准和测量。

双晶圆台设备后续扩展至i-line（AT:400T）和ArF（AT:1100）光源，以跨 越当下使用的光刻技术范围，让所有芯片层都能在新平台上曝光。

2004年，随着从AT系统到XT系统的转换，TWINSCAN进行了第一次改进。 XT系统比AT系统小25%，但具有相同或更好的性能。这使芯片制造商能够 在同样大小的工厂里生产更多的芯片。

编辑：火腿肠