2026年科技行业：关注光模块上游核心材料发展机遇

关注光模块上游核心材料发展机遇：InP、薄膜铌酸锂

大集群建设驱动 AI 算力产业链景气度持续提升。随着全球科技大厂继续加码对 AI 算力的 投入，大规模 GPU 集群作为本轮生成式 AI 算力基建的核心形态，其建设步伐仍在快速推 进。例如博通在 2025 年 6 月业绩会中重申，预计至少三家客户将在 2027 年部署百万卡集 群；Marvell 在 2025 年 6 月的投资者日中亦强调，客户的百万卡集群正在加速建设；Meta 在 2025 年 10 月 OCP 的演讲中提到，正在规划未来数个 GW 级别的超大集群。我们判断 大集群的建设将持续驱动 GPU、光模块、交换机等算力硬件需求的快速释放。

光互联：大集群核心拼图，长期成长空间广阔。目前光互联基于长距离传输等优势，已广 泛应用于大集群的 Scale out 网络，即跨机柜、大规模互联场景；长期来看，我们认为光通 信有望向 Scale up 网络渗透，即机柜内部的互联场景。当前 Scale up 网络由于互联距离较 短、互联规模有限，仍可继续使用铜连接技术；而未来随着信号传输速率的进一步提升、 Scale up 域的进一步扩展至多机柜，光互联优势有望逐步显现，从而获得渗透率提升机遇。 我们认为长期来看，随着光互联向 Scale up 的渗透，光通信在 AI 基础设施投资中的价值量 占比有望进一步提升。

全球光模块市场模块有望快速扩张。在 AI 算力需求快速提升的带动下，全球高速数通光模 块市场规模有望快速扩张。根据 LightCounting 于 2026 年 1 月发布的报告《Optics for AI Clusters》，全球高速率（100G 及以上）以太网光模块市场规模有望由 2025 年的 164 亿 美金扩张至 2031 年的 521 亿美金。

看好光模块上游核心材料发展机遇——InP、薄膜铌酸锂。随着近年 800G、1.6T 光模块需 求量的快速提升，以及未来 3.2T 时代的渐行渐近，我们看好光模块上游核心材料的发展机 遇，本篇报告中我们将系统梳理 InP 衬底与薄膜铌酸锂两大产业的成长逻辑：其中 InP 衬 底受益于光芯片厂商需求的快速拉动，行业呈现供不应求趋势；薄膜铌酸锂基于低功耗、 高带宽等优势，有望于 3.2T 可插拔方案中迎来导入窗口期，产业链成长空间广阔。

InP 衬底：光芯片带动需求侧高增长，行业具备高壁垒

光芯片核心上游原材料，衬底行业迎广阔发展机遇

光芯片：需求端快速释放。随着 800G、1.6T 等高速光模块需求有望继续快速提升，光芯 片（如 100G/200G EML、70 mW /100mW CW 光源等）作为光模块上游核心物料，需求 侧亦有望快速释放。根据源杰科技港股招股书中的数据，全球光芯片市场规模有望由 2024 年的 26 亿美金增长至 2030 年的 229 亿美金，对应期间 CAGR 为 44%。按下游市场拆分， 数据中心占据主导地位；按照光芯片技术路线拆分，EML、CW 光芯片为主力产品。

全球光芯片供应商积极扩产应对产能瓶颈。全球光芯片头部厂商均在积极扩充产能： Lumentum 于 2026 年 2 月的业绩说明会中表示，有望提前实现既定的扩产目标（公司在此 前 2025 年 11 月表示，光芯片产能预计在未来几个季度内扩充 40%）；Coherent 于 2026 年 3 月北美 OFC 中重申正在积极提升 6 英寸 InP 晶圆的产能，且预计在年底前将公司光芯 片的总产能实现翻倍；源杰科技在 2026 年 3 月的投资者关系记录表中表示，随着光芯片需 求增加，公司正稳步推进产能提升工作。 预计光芯片行业供不应求具备较长持续性。我们判断全球光芯片供不应求态势具备较长持 续性。一方面，在下游需求侧高增长的背景下，行业供给端扩产时间周期较长，例如采购 设备（MOCVD 等）、产能爬坡等均需要一定时间；另一方面，行业具备较高准入门槛， 行业格局较为集中。根据源杰科技港股招股书，光芯片行业发展存在客观限制，包括产能 扩产周期长、技术壁垒高而高端产能集中、中短期内核心材料与设备受限、供应链格局失 衡等，无法完全满足下游市场快速增长的需求，整体市场呈现供不应求的态势；具备先进 技术能力（包括外延生长、高精度光栅刻蚀）且在运营效率和快速响应能力方面享有优势 的厂商，能够更好地满足严苛要求，加入国际核心供应链。根据 Lumentum 公司 CEO 于 2026 年 4 月接受媒体采访时表示，公司正越来越跟不上需求，仅需两个季度即可将 2028 年的产能全部售罄，目前来看，这一轮行业周期至少还能维持 5 年左右的景气持续性。 衬底是光芯片的核心基础材料，InP 衬底应用广泛。衬底是半导体器件制造过程中用于支持 和构建其他功能层的基础材料，可通过气相外延生长等技术在其表面生成相应材料和结构。 目前光模块中所需光芯片通常以Ⅲ-Ⅴ族化合物为衬底材料。根据云岭光电公开转让说明书， 其光芯片产品是在衬底上经过外延生长、晶圆制造、芯片加工等多个步骤制备而来。按照 材料划分，光芯片衬底主要包括磷化铟（InP）和砷化镓（GaAs）两种体系，其中 GaAs 衬底主要用于制备 VCSEL 芯片，用于多模光模块中，应用场景为短距离光互联；InP 衬底 则是用于制备 CW、DFB、EML 等边发射激光器芯片和 PIN、APD 探测器芯片的核心原材 料，主要用于单模光模块中，应用场景更为广泛。

衬底是光芯片厂商的核心原材料，在 BOM 中占比较高。据国内光芯片龙头厂商源杰科技招 股说明书中披露的数据，公司 2022 年 1~6 月的主要原材料采购中，衬底的采购金额占比为 27.21%，是 BOM 中最大的单一品类。其次包括金靶、特殊气体（主要包括高纯氢、磷化 氢、液氮等）、三甲基铟、光刻胶、封装材料（包括管帽等）等。

AI 算力需求推动衬底需求持续扩张，行业具备高门槛

市场规模：2026 年全球 InP 市场规模有望达到 2.02 亿美元，下游应用以光模块为核心。 根据北京通美招股书引用 Yole 的预测，全球 InP 衬底销量（折合为 2 英寸）将从 2019 年 的 49.9 万片增加至 2026 年的 128.1 万片，对应 2020-2026 年 CAGR 为 14.42%；全球 InP 衬底市场规模将从 2019 年的 0.89 亿美元增长至 2026 年的 2.02 亿美元，2020-2026 年 CAGR 为 12.42%。

分品类来看，InP 衬底主要应用下游器件包括光模块器件、传感器件、射频器件：1）光模 块器件：受益于人工智能驱动的数据中心建设，全球光模块需求持续增加，据 Yole 预测， 2026 年全球光模块器件 InP 衬底市场规模将达到 1.57 亿美元，约占全球 InP 衬底市场规模 的 77.7%。2）传感器件：InP 衬底可被用于制造可穿戴设备中的传感器，以及 VR 眼镜、 汽车雷达等产品，据 Yole 预测，2026 年全球传感器件 InP 衬底市场规模将达到 0.32 亿美 元，约占全球 InP 衬底市场规模的 15.8%；3）射频器件：InP 衬底在制造高频高功率器件、 光纤通信、无线传输、射电天文学等射频器件领域存在应用市场，据 Yole 预测，2026 年全 球射频器件 InP 衬底市场规模将达到 0.13 亿美元，约占全球 InP 衬底市场规模的 6.4%。

光芯片需求推动 InP 衬底市场景气度快速提升。展望未来，我们认为随着高速光模块市场 规模近年来的快速扩张推动下，其在 InP 下游市场中的比重有望进一步提升。且考虑到相 较于此前主流应用于电信市场的 DFB 芯片等中低端产品，200G EML、超大功率 CW 光源 （400mW，未来有望应用于 CPO 场景）等高端产品的生产难度更高、良率较低、芯片面 积更大，所消耗的 InP 衬底数量预计更多，或有望推动 InP 衬底需求量呈现加速增长趋势。 美国 AXT（北京通美控股母公司）于 2026 年 2 月业绩会中提到，受益于 AI 数据中心需求 的快速扩张，公司 InP 衬底挤压订单达 6000 万美金，创历史新高，且多个客户正在与公司 签署长期协议；公司正积极扩产，目标至 2026 年底将产能较 2025 年底提升一倍。 市场格局：根据Yole的统计，InP衬底材料市场头部企业集中度较高，2020年 CR3约 90%。 InP 衬底的制造包含多晶合成（可外购）、单晶生长、切割、研磨、抛光、清洗、测试等多 个环节，工艺环节复杂，技术门槛较高；同时，InP 衬底逐步向更大尺寸迭代，对企业的设 备、工艺、技术积累要求较高，进一步提升行业准入门槛。据 Yole 数据，2020 年全球前三 大厂商占据 InP 衬底市场 90%以上市场份额，其中 Sumitomo（日本住友）为全球第一大 厂商，占比为 42%；北京通美位居第二，占比 36%；日本 JX 位居第三，占比 13%。