2025年华海清科公司研究报告：CMP龙头新品加速放量，先进封装拓宽增长空间

第一章 深化“装备+服务”平台化布局，核心新品产业化进展顺利

华海清科：深化“装备+服务”平台化布局，核心新品产业化进展顺利

华海清科起源于清华大学摩擦学国家重点实验室，2013年正式成立，持续深化“装备+服务”平台化发展战略，现已建立起 涵盖化学机械抛光、离子注入、减薄、划切、边缘抛光及湿法等高端半导体装备产品矩阵，并通过不断拓展晶圆再生、耗 材维保等配套服务，构建了全方位、多维度的服务体系，主要产品及服务已广泛应用于集成电路、先进封装、大硅片、第 三代半导体、MEMS、Micro LED等制造工艺。

核心新品产业化进展顺利。全新抛光系统架构CMP机台Universal-H300已经获得批量重复订单；12英寸超精密晶圆减薄机 Versatile–GP300订单量大幅增长；12英寸大束流离子注入机批量交付国内多家集成电路制造头部企业。

股权结构：清控创业为第一大股东，实控人为四川省国资委

实控人为四川省国资委。根据2025年三季报，清控创业投资有限公司直接持有公司28.14%的股份，是华海清科第一大股东。 目前华海清科直接控股股东为清控创业投资有限公司，间接控股股东为四川能源发展集团，实控人为四川省国资委。

营收：25Q3营收创历史新高，多元业务矩阵持续完善

2025年前三季度公司营收为31.94亿元，同比增长30.28%，增长动能强劲。25Q3营收为12.44亿元，同比增长30.28%，环比 19.97%，创历史新高。

“装备+服务”平台化布局的持续落地，多元业务矩阵持续完善。CMP装备作为核心业务持续贡献主要收入，市占率不断提高； 同时，随着公司CMP产品的市场保有量不断扩大，关键耗材与维保服务等业务规模逐步放量。磨划装备、晶圆再生及耗材维 保等业务收入实现较大比例增长，收入占比显著提升，成为营收增长的重要补充。

毛利率/净利率：部分产品处于市场开拓阶段导致毛利率下降，持续加码研发投入

25Q3公司毛利率净利率同环比均有下滑，主要系确认收入 的部分产品处于市场开拓阶段导致毛利率下降；同时持续 加码研发投入与生产能力建设，稳步推进人员扩充，使得 职工薪酬增加并推高期间费用导致净利率呈现阶段性。

公司将通过持续开发新客户新产品、改进工艺提升效率、 降本增效等管理措施推升毛利率及净利率。

利润：25Q3利润环比延续增长趋势，高端新品放量推动利润高速增长

2025年前三季度华海清科归母净利润为7.91亿元，同比增长9.81%；扣非归母净利润为7.23亿元，同比增长17.61%。单季度 看，25Q3华海清科归母净利润为2.86亿元，同比基本持平，环比增长5.14%；扣非归母净利润2.63亿元，同比增长6.54%， 环比增长5.77%。

随着CMP、离子注入、减薄等高端新品加速放量，并积极推进降本增效等措施，公司利润有望保持高速增长。

第二章 本土供应需求推动成熟产能快速增长，先进工艺扩产需求旺盛

China for China供应链正在成形，中国大陆成熟制程产能快速增长

为了顺应供应链本土化需求，英飞凌、NXP、意法半导体等海外IDM大厂相继宣布“China for China”战略，将部分产品交 由中国大陆晶圆代工厂代工，以解决中国大陆客户在供应安全方面的担忧。

中芯国际表示，China for China供应链正在成形（尤其是汽车产业），未来将配合国际客户建立SiC和GaN等第三代半导体 产能。

国产算力芯转向国产供应链，先进逻辑&先进封装产能加速扩张

国产算力芯片以实现自主可控为核心目标，积极转向中芯国际7nm工艺， 并通过采用Chiplet技术以增强性能、降低成本。

根据IDC数据，2024年中国AI芯片出货量结构，英伟达以190万张占据 70%的市场份额。随着国产算力芯性能持续升级以及产业链配套日渐成 熟，国产算力芯片份额有望加速提升。

半导体设备国产化率仍处于较低水平，替代空间广阔

美国对中国半导体技术限制范围在2024-2025年持续扩大，旨在限制中国人工智能和先进半导体的发展。

半导体设备国产化率仍处于较低水平，替代空间广阔。中微公司表示2025年半导体设备国产化率达18%，同比提升4个百分 点。然而，部分国内晶圆厂为保障自身生存、维持现金流稳定，最终仍会选择采购海外设备。根据钛媒体数据，目前有近 70%的晶圆制造公司尚未使用国产半导体设备，且越高端越依赖进口。

先进产能扩产需求旺盛，国产设备商有望以新结构等创新为契机加速先进节点国产替代

当前本土先进节点晶圆产能难以满足高速增长的算力所需，先进节点产能扩产需求旺盛，半导体设备市场空间加速拓宽。

摩尔定律放缓同时光刻技术受限，需通过多维度创新实现性能提升。相比海外厂商，国产设备公司具备有效服务、定制能 力和紧密围绕客户需求三大独特优势，有望通过与下游客户的紧密合作，以新结构等创新为契机，加速先进节点国产替代。

第三章 先进制程CMP占比快速提升，减薄/离子注入规模化应用提速

CMP可实现晶圆表面纳米级全局平坦化，已成为0.35μm以下制程不可或缺的工艺

CMP工艺是通过表面化学作用和机械研磨的技术结合来实现晶圆表面微米/纳米级不同材料的去除，从而达到晶圆表面的纳 米级全局平坦化，已成为0.35μm以下制程不可或缺的平坦化工艺。

CMP设备市场规模约占IC制造设备市场规模的4%。1万片月产能8英寸晶圆约需6-10台CMP设备，1万片月产能12英寸晶圆约需 12-16台CMP设备。

制程迭代推升CMP工艺步骤数量，先进封装+第三代半导体催生新需求

随着制程节点的进步，多层布线的数量及密度增加，CMP工艺步骤持续增加。以逻辑芯片为例，65nm制程芯片需经历约12道 CMP步骤，而7nm制程芯片所需的CMP处理则增加为30余道。随着NAND向3D结构演进，CMP工艺步骤数近乎翻倍。 先进封装需求正迅速攀升，TSV、3D封装等技术的快速发展推动CMP应用需求的显著增长。 第三代半导体由于正逐渐由多片晶圆抛光转向单片晶圆抛光，对CMP装备的需求大幅增加。

NAND：CMP制程可分为氧化物研磨、多晶硅研磨和金属研磨三类

3D NAND X-tacking制备中，CMOS结构和Array结构分别为两片晶圆进行制造，CMP制程可以分为氧化物研磨（Oxide CMP）、 多晶硅研磨（Poly-Si CMP）和金属研磨（Metal CMP）三类。 Oxide CMP：包含浅沟槽隔离（STI CMP）和层间电介质（ILD CMP）两种类型。 Poly-Si CMP：Poly CMP工艺中是将多晶硅薄膜进行研磨，停止在其它氧化物界面层，利用研磨浆料对不同介质材料的高选 择比，在停止层界面感应研磨转盘扭矩的变化进行研磨过程的停止。 Metal CMP：包含金属钨（W CMP）和金属铜（Cu CMP）两种类型。

DRAM：3D DRAM所需CMP步骤将大幅增加

随着DRAM制程持续迭代以及电容器（Cylinder → Pillar）和晶体 管（FinFET → GAA）结构变化，所需CMP步骤不断增加。同时，Mo、 Ru、Co等新金属材料的应用也催生了CMP工艺的新需求。 传统的平面缩放技术难以满足DRAM所需的存储密度提升，3D DRAM 成为DRAM未来发展趋势，届时所需CMP步骤将大幅增加。

先进制程CMP订单占比快速提升，部分先进制程CMP在多家头部客户实现全部工艺验证

全球CMP设备市场份额主要被美国应用材料和日本荏原垄断。华海清科是国内CMP设备龙头，根据智研咨询数据，2024年公司CMP设备国内市占率达35%。其他国产CMP 厂商（晶亦精微、杭州众硅等）产品主要为6、8寸CMP设备，12寸CMP设备仅有少量出货。

华海清科12英寸及8英寸等CMP装备在国内客户端已占据较高市场份额。公司新签CMP装备订单中先进制程的订单已实现较大占比，部分先进制程CMP装备在国内多家 头部客户实现全部工艺验证。未来公司将持续推出满足更多材质工艺和更先进制程要求的CMP装备。

关键耗材与维保服务：CMP保有量不断提升，耗材与维保成为公司新的利润增长引擎

华海清科关键耗材与维保服务主要是向客户的CMP装备提供设备关键易磨损零部件的维保、更新服务，以保证设备的稳定运 行。关键耗材主要包括抛光头、保持环、气膜等，维保服务主要包括为客户进行多分区抛光头维保等。

CMP装备是运动损耗较多、材料消耗较多的半导体工艺设备，在运行过程中会产生大量的耗材和零部件消耗，为保障设备稳 定性能，需在运行至特定周期后开展持续性维保，或对相关模块进行替换。

随着终端需求端回暖，客户产线利用率预计将提升并维持高位，叠加公司CMP装备在客户处保有量的不断攀升，耗材零部件、 抛光头维保服务的潜力将进一步释放，成为公司新的利润增长引擎。

离子注入：低能大束流市场占比约60%，国产化率不足10%

离子注入机可精确控制离子掺杂，并能重复控制掺杂浓度和深度，是目前最重要的掺杂方式，为集成电路制造关键制程设 备，与光刻机、刻蚀机、薄膜沉积设备并称为“四大核心工艺设备”。28-40纳米工艺里离子注入工序多达50-60道。

离子注入机可分为低能大束流、中束流、高能离子注入机。随着芯片尺寸逐渐微缩，为制备先进制程中的超浅结，低能大 束流离子注入机逐渐成为市场主流，市场占比约为60%，中束流和高能离子注入机分别约占20%。

离子注入设备销售额占半导体工艺设备整体销售规模的比重约为3-5%。根据观研天下数据，2024年中国大陆离子注入机市 场约121.26亿元。沙利文数据显示，2024年离子注入机国产化率不足10%，市场主要被美国应用材料、亚舍立垄断。

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编辑：火腿肠