2026年度半导体设备行业策略：看好存储与先进逻辑扩产，设备商国产化迎新机遇

国产设备商业绩高增，持续加大研发投入

业绩端：半导体设备公司营收&业绩延续高速增长势头

我们选取14家半导体设备行业重点标的：北方华创、 中微公司、拓荆科技、华海清科、盛美上海、长川科 技、芯源微、华峰测控、先导基电、精测电子、至纯 科技、赛腾股份、微导纳米、中科飞测。

半导体设备公司营收&业绩延续高增长。2024& 2025Q1-Q3十四家半导体设备企业合计实现①营业收 入732.2/648.0亿元，同比+33/+32%；②归母净利润 119.0/110.4亿元，同比+15/+28%；③扣非归母净利润 104.2/98.0亿元，同比+30/+27%，半导体设备公司营收 &利润端延续高速增长势头，表现亮眼。

盈利能力：半导体设备持续维持高研发投入

毛利率略降，规模效应带动净利率提升。2024&2025Q1-Q3十四家半导体设备企业销售毛利率为45.3/43.2%，同 比-3.3/-4.5pct ，整体来看有所下降；销售净利率为12.6/13.5%，同比-5.1/+2.9pct。

2025年控费能力不断优化，持续维持高研发投入。2024&2025Q1-Q3十四家半导体设备公司期间费用率为 34.7/32.2%，同比+0.5/-6.6pct，2022-2024年半导体设备行业期间费用率上涨主因系研发费用不断加大；25Q1-Q3 期间费用率同比回落。

存货&合同负债&现金流：在手订单充足，存货金额创历史新 高

在手订单充足，存货金额持续攀升。2024&2025Q1-Q3十四家半导体设备公司存货金额分别为626.9/786.7亿元， 同比增长34%/23%，创历史新高。主要受益于下游需求延续、发出商品与原材料备货提升，以及部分企业应对 全球供应链紧张而主动加库存。

合同负债稳步增长，订单支撑强劲。2024&2025Q1-Q3十四家半导体设备公司合同负债金额达192.1/213.6亿元， 同比增长14%/1%，连续三年创历史新高，进一步验证行业在手订单支撑强劲，短期业绩增长具备保障。

经营性现金流回暖，2025年前三季度阶段性承压。2024年十四家公司合计经营性现金流净额为41.5亿元，同比大 幅改善；但受在手订单增加、供应链紧张等因素影响，原材料备货上升，2025Q1-Q3经营性现金流净额阶段性承 压，为-30.8亿元。

看好先进逻辑+存储扩产，技术节点进步带来 资本开支持续上行

AI驱动先进制程扩产，全球半导体设备市场持续扩张

AI驱动下，2025年全球半导体设备支出预计创历史新高。据SEMI预测，2025年全球半导体设备销售额预计 将达1330亿美元，同比增长13.7%，创历史新高；2026/2027年有望进一步升至1450/1560亿美元。增长动能 主要来自人工智能相关投资，覆盖先进逻辑、存储及先进封装等关键领域。

分环节来看：（1）前道晶圆设备：据SEMI数据，2024年创1040亿美元纪录后，预计2025年增长11.0%至 1157亿美元，主要系DRAM及HBM投资强于预期、中国持续扩产。2026、2027年预计再增9.0%和7.3%，分 别达1261/1352亿美元。（2）后端测试/封装：据SEMI数据，2025-2027年半导体测试设备销售额预计分别增 长48.1%/12.0%/7.1%至112/125/134亿美元，封装设备销售额预计分别增长19.6%/9.2%/6.9%至64/70/75亿美元。 驱动力来自器件架构复杂度提升、先进/异构封装加速渗透及AI与HBM对性能的严苛要求。

中国大陆为半导体设备重要市场，占全球比重达40%

据SEMI数据，2024年全球/中国大陆半导体设备市场规模增速分别为10%/35%，中国大陆增速高于全球市场增 速，我国半导体设备销售额占全球比重提升，2023年Q3以来占比持续超30%。2024年全球半导体设备销售额 为1171亿美元，中国大陆半导体设备销售额占全球销售额42%，达到495亿美元，超出中国台湾(14%)、韩国 (17%)、北美(12%)，连续四年成为全球最大半导体设备市场。2025Q1-Q3全球半导体设备市场销售额为987.8亿 美元，中国市场占全球销售额37%。

中国晶圆厂仍有较大扩产空间

中国大陆晶圆制造仍是当前半导体行业的短板，自主可控驱动本土晶圆厂逆周期大规模扩产。中国大陆晶圆 全球产能占比已从2021年的16%提升至2024年的22%，但相较于2024年中国半导体销售额全球占比的30%仍 有提升空间。外部制裁事件频发的背景下，晶圆环节自主可控需求越发强烈，看好后期扩产持续性。

两存上市在即，看好融资扩产产能翻倍

长鑫存储营收持续扩大，2025年预计营收550-580亿元。随着产品品类增多&先进产品放量，长鑫存储营收规 模长期维持约100%增长，2025Q1-Q3营收320.8亿元，同比+98%，据公司招股说明书，预计全年营收550-580 亿元，同比+127%~+140%。

先进产品突破&工艺提升&存储涨价带动长鑫亏损持续收窄。随着公司工艺稳定、高毛利先进产品批量出货， 据公司招股说明书，公司2025年亏损预计收窄到-16~-6亿元，相较于2024年数十亿元亏损，已显著改善。

制程迭代带动设备放量，设备商刻蚀、薄膜沉 积形成差异化布局

制程节点演进带动设备投资额成倍数增长

芯片制程持续迭代，推动制造工艺体系深度升级。（1）逻辑：工艺路径已从FinFET向GAA架构 迈进，FinFET自2012年导入以来，支撑至5nm节点，GAA预计2025年量产2nm、并在1.4nm/1nm 节点持续演进，CFET有望于2031年以后导入至7Å以下工艺节点，配合背面供电、EUV等先进工 艺同步升级。（2）存储：3D NAND于2022年进入2xx层堆叠，据ASM数据，预计2026年突破4xx 层、向1000层演进，DRAM则由6F²结构迈向4F²（2028年），并在2032年起进入3D DRAM阶段， 位密度逐步提升至220L（2034年）。工艺结构复杂化带动刻蚀、薄膜沉积、原子层工艺等核心环 节设备与材料体系加速迭代，国产厂商有望在趋势中持续受益。

龙头陆续实现先进制程的量产，后续进程有望加速。1）DRAM：SK海力士于2024年成功实现12 层与8层HBM3E的量产，并计划于2025年实现HBM4量产；国内长鑫存储亦在现有DRAM量产基 础上加速推进HBM相关技术布局。2）NAND：我国长江存储2021年已实现128层量产，目前已完 成232层3D NAND的量产。3）逻辑：台积电早在2020年就实现5nm的量产，2022年起可量产3nm 级别，并于2025年底实现2nm的量产；国内在设备与工艺积累推动下，有望在5nm节点逐步迈入 GAA架构阶段。

各设备商形成差异化竞争，刻蚀、薄膜领域各有所长

刻蚀机与薄膜、光刻并列为图形化三大核心装备。刻蚀在前道产线中价值占比21%，仅次于薄膜沉积的23%。 按晶圆类型划分，NAND刻蚀需求最高，占25%；DRAM占20%，逻辑占16%。

当前ICP/CCP刻蚀设备用量最高，先进制程新增高选择比刻蚀等新兴刻蚀设备。现阶段主流设备均为干法工 艺，ICP与CCP各占比45%；随着逻辑制程进入7nm及以下、NAND堆叠至3xx层，对高选择比等先进刻蚀机 的需求快速释放，其用量已占刻蚀设备总量的10%。

编辑：火腿肠