2026年源杰科技首次覆盖报告：CW需求提升，硅光和CPO时代发力

源杰科技：光芯片领域国内领先

2.1. 公司概况：国内领先激光器芯片企业

陕西源杰半导体科技（简称：源杰科技）成立于2013年，目前在国内10G\25G 高速激光器芯片出货量业内排名第一，是一家专注于高速半导体激光器芯 片研发、设计与生产的高新技术企业。2013 年 12 月，面向国内快速发展的 光纤接入市场，公司推出第一款 2.5G 1310nm DFB 芯片，并于次年陆续推 出 2.5G 1490nm 和 1550nm 的 DFB 芯片。2016 年，面向国内光纤接入和 4G 无线的应用，公司在 8 月推出首款 10G DFB 激光器产品。2018 年，公司完 成 1000 万颗 DFB 激光器芯片出货，是发展史上重要的里程碑。2019-2020 年，面向国内高景气的 5G 无 线 市 场 ， 公 司 陆 续 开 发 出 25G CWDM/LWDM/MWDM 激光器芯片产品，并在 2020 年实现大批量出货。 根据和弦产业研究中心（C&C）的统计，2020 年在 lnP（磷化铟）基的半导 体激光器芯片厂商中（对外销售口径），公司收入排名第一，在高速率的10G 、 25G 激光器芯片业务上均为业内排名第一，2.5G 激光器出货在业内领先。 同年，公司硅光大功率 CW 产品推出。公司已构建起从半导体晶体生长、 晶圆工艺、芯片测试到封装的完整自主产业链，并实现了规模化量产。公司 产品覆盖 2.5G 至 50G 全系列磷化铟激光器芯片，拥有完全自主知识产权。 产品广泛应用于光纤到户、数据中心与云计算、5G 移动通信网络、通信骨 干网及工业物联网等核心领域。凭借卓越的技术性能与稳定的产品质量，公 司市场覆盖率及行业地位均位居国内前列。

公司技术积淀深厚，核心产品性能与品质稳居国内领先地位。依托全流程 IDM（垂直整合制造）模式，公司实现了从芯片设计、晶圆制造到封装测试 的自主可控，牢牢掌握产业链核心技术。该模式具备两大显著优势：其一， 可快速响应多元化市场需求，灵活调整产品研发与生产，无需额外采购适配 性大型自动化设备，大幅降低产能切换成本；其二，能够精准定位产品设计、 生产及测试的技术痛点，实现高效优化。 在核心工艺层面，有源区外延技术直接决定光芯片的性能上限与可靠性。公 司精通 MOCVD（金属有机化合物气相沉积）设备操作及配套制造工艺，可 实现量子阱结构的埃米级（0.1nm）精度调控，精度误差控制在 0.1%以内， 量子阱应力精度误差低于 0.2%，工艺水平达到行业先进标准。同时，公司攻克二次外延与低缺陷多次外延技术难关，具备掩埋型、EML（电吸收调制 激光器）等多元高端光芯片结构的量产能力，为技术与产品升级奠定基础。 研发成果方面，公司已成功研制出大功率 2.5G 激光器芯片、输出功率达 70mW 的硅光激光器芯片，并完成 100G PAM4 EML 芯片的设计定型，系列 化产品矩阵为公司开拓高端市场、实现长期可持续发展提供了核心支撑。

2.2. 股权结构

董事长为实际控制人，高管研发履历丰厚。董事长、总经理 ZHANG XINGANG 为公司的创始人、实际控制人和第一大股东，股份占比 12.36%， 他技术与管理经验并重，曾担任Luminent研发员、研发经理，SourcePhotonics 研发总监等职。产业资本入股助力企业长期发展。中际旭创通过旗下宁波创 泽云（持股比例 3.83%）与先导光电（持股比例 1.87%）两大主体持有公司 股份。公司前十大无限售条件股东中的哈勃投资，其全资控股股东为华为投 资。中际旭创与华为海思均为公司下游核心客户，头部企业的资本入股与业 务合作形成双重加持，为公司的长期发展潜力提供了强有力的资本背书。

2020 年，公司设立覆盖各部门 28 位员工的持股平台欣芯聚源，持有公司发 行前 2%的股权。此外，2021 年 7 月公司实施新的股权激励计划，合计向 106 名激励对象授予 151.15 万份股票期权。

2.3. 营收和归母净利润大幅增加，数据中心业务占比提升

营收和归母净利润大幅增加。2025 年前三季度公司实现营业收入 383.25 百 万元，同比增加 115.09%；实现归属于上市公司股东的净利润 105.89 百万 元，同比大幅增加 19348.65%。在人工智能等终端应用领域拉动下，公司高 毛利率的数据中心板块业务大幅增加，产品结构进一步优化，整体收入和利 润同比增加。

数据中心业务占比大幅提升。2025 年上半年，公司的电信市场业务实现收 入 9,987.35 万元，较上年同期减少 8.93%。公司的数据中心及其他业务实现 收入 10,460.17 万元，较上年同期上升 1,034.18%。2025H1 电信市场业务基 本保持平稳，公司进一步优化产品结构，在原有 2.5G、10G DFB 光芯片的 基础上，加大 10G EML 产品的客户推广。面向下一代 25/50G PON 网络的 光芯片产品实现批量交付并形成了规模收入，产品技术指标对标国际厂商。 电信市场中，EML产品已经成为重要的收入组成部分之一。2025年上半年， 在 AI 算力需求爆发的背景下，公司在 AI 数据中心市场实现大幅度增长， 尤其是硅光方案所需的大功率 CW 激光器芯片。该芯片要求同时具备大功 率、高耦合效率、宽工作温度的性能指标，对激光器芯片无论从设计、生产 制造工艺以及测试稳定性提出更高要求。公司基于多年在 DFB 激光器领域 “设计+工艺+测试”的深度积累，针对 400G/800G 光模块需求，成功量产 CW 70mW 激光器芯片，在市场端加强了商务拓展，逐步进入更广泛的客户 供应链。2025 年上半年，主要系在人工智能等终端应用领域拉动下，公司 高毛利率的数据中心板块业务大幅增加，产品结构进一步优化，整体收入和 利润同比增加。整体来看，公司在持续深耕电信市场的基础上，积极把握 AI 发展带来的数据中心市场机遇，加速完成“电信+数通”双轮驱动的高端光 芯片解决方案供应商的转型。

公司毛利率和净利率提升，费用率稳定。光芯片具有技术壁垒高、工艺流程 复杂、产品种类繁多且升级迭代较快的特点，因而毛利率水平整体高于产业 链下游厂商，并且光芯片在光模块成本中的占比很高。2021-2024 年，公司 受电信市场增速下滑影响，毛利率和净利率逐年下滑。2025 年上半年，公 司数据中心业务占比大幅提高，带动毛利率和净利率回升。费用方面，公司 研发费用逐年提升，由于提升幅度小于营收增长幅度而略微下降，总体费用 率较稳定。

2.4. 产品结构：主要应用于数据中心市场、电信市场、车载激光 雷达市场等

公司聚焦于光芯片行业，主营业务为光芯片的研发、设计、生产与销售，目 前公司的主要产品为光芯片，主要应用于电信市场、数据中心市场、车载激 光雷达市场等领域。其中电信市场可以分为光纤接入、移动通信网络。在光 通信领域中，主要产品包括 2.5G、10G、25G、50G、100G、200G 以及更高 速率的 DFB、EML 激光器系列产品和 50mW、70mW、100mW、150mW 等 大功率硅光光源产品，主要应用于光纤接入、4G/5G 移动通信网络和数据中 心等领域。在车载激光雷达领域，公司产品涵盖 1550 波段车载激光雷达激 光器芯片等产品。 经过多年研发与产业化积累，公司已建立了包含芯片设计、晶圆制造、芯片 加工和测试的 IDM 全流程业务体系，拥有多条覆盖 MOCVD 外延生长、光栅工艺、光波导制作、金属化工艺、端面镀膜、自动化芯片测试、芯片高频 测试、可靠性测试验证等全流程自主可控的生产线。通过持续的研发投入构 建差异化竞争优势，公司从电信市场收入为主的光芯片供应商，逐步发展成 为国内领先的“电信市场+数通市场”协同拓展的光芯片供应商。公司将继 续深耕光芯片行业，致力成为国际一流光电半导体芯片和技术服务供应商。 公司深耕光芯片领域，主营光芯片研发、设计、生产与销售，核心产品覆盖 2.5G、10G、25G 及更高速率激光器芯片系列，广泛应用于光纤接入、4G/5G 移动通信网络与数据中心等场景。

目前公司已实现对全球客户及国内主流光模块厂商批量供货，产品落地中 国移动、中国联通、中国电信、AT&T 等国内外知名运营商网络，稳居国内 光芯片行业领先地位。作为全球领先的专业光芯片供应商，公司 2.5G 系列 产品市场份额领先，10G 系列产品全球市占率第一；现阶段正积极攻坚 CW 光源、100G EML 等高端产品，加速推进海外同类产品的国产替代。产品结 构方面，公司高速产品收入占比逐年提升，产品速率与盈利水平呈显著正相 关；受电信市场竞争加剧影响，低速率 2.5G 产品毛利率持续承压下滑。

2.5. 公司产品技术壁垒高，高性能产品持续推进

光芯片存在极高技术壁垒。更高速率、更高功率、更长传输距离的光芯片的 技术研发、工艺设计具有更高开发难度与门槛。一方面，随着需求提升，光 芯片的结构设计的精度要求极高，技术研发及工艺开发需结合高速射频电 路与电子学、微波导光学、半导体量子力学、半导体材料学等多学科，设计 合适的芯片结构，满足芯片精度及尺寸的要求；另一方面，激光器芯片的生 产需要几十至几百道工序，每道生产工序都将影响产品最终的性能和可靠 性，因此对生产线工艺成熟和稳定有极高要求。此外，高速率激光器芯片相 较于中低速率产品，在量子阱有源区、光栅层结构区、模斑转化器区域、光 波导结构区、电流限制结构区、高频电极结构、谐振腔反射膜等关键结构的 设计与开发上，需综合考虑光电特性、产品可靠性、制备工艺可行性等相互 制约因素，因此存在极高壁垒。 公司产品稳步推进，持续推进高性能产品研发。公司电信市场领域，对原有 的 2.5G、10G 的 DFB、EML 产品持续加强生产过程管控，借以提升产品的 良率和稳定性。随着无线和 10G PON 光纤接入部署逐步进入成熟期，行业 需求增长放缓。公司在此背景下，积极配合海内外设备商提前布局下一代 25G/50G PON 所需 DFB/EML 产品，此应用需根据不同的上下行要求对应 不同芯片规格，公司具备和客户一同推进方案开发的先发优势，在良好的产 品匹配度下，已实现批量发货，为把握未来电信市场增长机遇奠定了坚实的 基础。数据中心领域，随着 AI 技术的快速发展，光模块正加速向高速率演 进，逐步从 400G/800G 向 1.6T 等更高速率发展。2025 年，公司的 CW 70mW 激光器产品实现大批量交付，并逐步优化工艺水平。该产品采用非制冷设计， 具备高功率输出和低功耗特性，适用于数据中心高速场景，成为公司新的增 长极。公司推出的 CW 100mW 激光器产品，在同样具备高可靠性的前提下， 通过客户的验证。公司的 100G PAM4 EML 产品已完成性能与可靠性验证， 并完成了客户端验证。更高速率的 200G PAM4 EML 完成产品开发并推出， 相关技术成果在 2025 年 OFC 大会上进行发表。与此同时，CPO 技术通过 高度集成实现了更高的带宽密度和更低的功耗，被视为 1.6T 及以上速率的 解决方案之一。2024 年，OIF 发布 3.2Tbps CPO 标准，推动行业标准化进程。公司瞄准这一机遇，研发了 300mW 高功率 CW 光源，并实现该产品的 核心技术突破，以满足与 CPO/硅光集成的协同创新。针对 OIO 领域的 CW 光芯片需求，公司已开展相关预研工作。

2.6. 内功扎实：全流程 IDM 模式，掌握核心技术

公司采用全流程自有工艺进行激光器芯片制造，涵盖外延生长、光刻、刻 蚀、薄膜沉积、测试等关键步骤。为满足光通信高速增长的市场需求，2025 年上半年，公司持续增加晶圆工艺、芯片工艺设备的采购，扩大产能；持续 推进设备升级，制程优化，提升生产效率；持续加大自动化生产和智能制造 系统的投入，优化工艺参数，以提高良率，并降低生产成本。同时，公司强 化关键原材料、关键设备的采购管理，加强与上游供应商的合作，降低供应 链风险，并进一步完善全球的产能布局。

公司掌握几大核心技术优势。在有源区外延工艺方面，公司仅衬底与气体源 外购，完全达到外延自主开发与生产；具备 InGaAsP 与 AllnGaAs 双材料外 延技术和掩埋型波导外延技术；在光栅工艺方面，公司拥有全息光栅曝光技 术、电子束相位光栅技术、100nm 纳米级线宽刻蚀技术；在二次及以上外延 工艺方面，公司依托多年外延技术积累，已形成稳定的多次外延工艺能力， 能够有效保障复杂结构器件在多轮外延过程中的良率与一致性；同时具备 异质对接外延技术，实现不同材料体系的高质量结合；并通过高效电注入材 料与功能性光波导材料的实现，提升器件光电转换效率与传输性能。在晶圆 工艺方面，公司积累了丰富的晶圆制程经验，对关键工艺细节持续优化；并 通过系统化的制程参数统计与过程管控，实现晶圆制造过程的稳定性与一 致性控制。在自动化芯片测试方面，公司引进国际先进的全自动芯片测试设 备，实现芯片级全量测试与质量把控；具备常温、高温、低温（-40~95°C） 全温区筛选能力，以严格测试体系替代设计冗余保障产品性能；同时具备光 功率、光谱特性、温度敏感参数、背光与发散角等关键指标的综合测试与分 析能力，并建立传纤灵敏度测试系统，可提前预判客户端系统端测试表现。 在芯片高频测试方面，公司具备自主 CoC 封装设计能力，可对芯片级高频 性能进行验证；配备全温眼图及带宽测试系统，对出货产品进行严格性能检 测；同时建立 RIN 测试系统，对激光器噪声特性进行稳定控制，确保产品 在高速通信场景中的信号质量。在可靠性测试验证方面，公司建立完善的芯 片级可靠性验证体系，对每片晶圆进行逐片考核与质量评估；同时具备气密 与非气密老化测试、高温老化测试、双 85 测试、低温储存、温度循环、ESD 及推拉力等多维度可靠性测试能力，从而全面保障产品长期稳定运行。