SK海力士：AI存储核心受益标的，LTA锁定高利润

AI驱动存储超级周期，供需格局重塑

全球存储芯片市场正经历由人工智能基础设施建设驱动的超级周期。与历史周期不同，本轮周期的核心特征在于需求端的结构性变化与供给端的刚性约束。在需求侧，HBM（高带宽内存）相较于传统DRAM具有更强的定制化属性，且由于良率损失，同等位元产出下HBM消耗的晶圆资源显著高于传统DRAM。随着AI模型向推理阶段延伸，Token消耗量激增，不仅拉动HBM需求，也带动了CPU DRAM和企业级SSD（NAND）的同步增长。在供给侧，2022至2023年的行业下行周期导致主要存储原厂严重亏损，资本开支大幅缩减，加之EUV等关键设备产能受限，使得新增产能释放缓慢。这种供需错配使得存储行业从单纯的价格波动转向产能与成长驱动，供需缺口有望在中期内维持。

长期协议（LTA）强化议价能力，平滑周期波动

为应对供给紧张并锁定成本，存储原厂与下游客户正加速推进长期协议（LTA）的签订。LTA不仅有助于客户保障供应链安全，更赋予存储原厂更强的议价能力，通过设定价格下限和强制采购条款，有效维持高利润率并减少业绩的强周期性。目前，美光等厂商已签署大量涵盖数据中心、消费电子及汽车市场的SCA（战略客户合作协议），部分协议价格下限已超越历史周期顶点。作为HBM领域的领先者，SK海力士有望通过提升LTA在出货中的占比，进一步巩固其盈利稳定性，推动行业属性从“涨价品种”向“成长品种”转变。

HBM技术领先，全栈式布局深化客户绑定

SK海力士在HBM市场占据绝对领先地位，2026年第一季度市占率达到58%。公司自HBM2E以来持续迭代，在HBM4及HBM4E技术上保持领先，并与英伟达等头部AI芯片厂商建立深度技术合作，参与下一代AI平台的前置定义。这种从“标准供货”向“定制化协同”的转变，显著增强了客户粘性。此外，公司在DRAM和NAND领域均保持全球第二的市场份额，并积极布局SOCAMM、HBF等新兴存储技术，构建了全栈式AI存储受益标的的地位。高盈利能力为公司提供了充足的现金流，支撑其在Yongin、Cheongju等地的扩产计划，预计未来五年存储晶圆产能将实现翻倍。

美股ADR发行有望修复估值折价

SK海力士计划在美国发行美国存托凭证（ADR），募集资金用于长期扩产及设备采购。此举旨在扩大投资者基础，提升流动性，并有望缩小相对于美光等美股存储巨头的估值折价。随着AI存储核心资产属性的凸显及全球投资者配置的便利性提升，公司估值逻辑有望从传统的韩国存储周期股向全球AI核心资产切换，带来估值修复空间。