2026年机械行业年度投资策略：聚四海星火，淬国之重器——全面为国产算力生产配套

AI为矛，政策引导，集成电路全产业链自主可控

需求端：AI引领全新半导体产业周期

全球来看，海外四大云厂商不断增加AI资本开支，推高算力芯片需求量，IDC数据显示，2024年全球人工智能（AI）IT总投资规 模为3,159亿美元，并有望在2029年增至12,619亿美元，五年复合增长率（CAGR）为31.9%。聚焦生成式AI（Generative AI）， IDC预测，全球生成式AI市场五年复合增长率或达56.3%，到2029年全球生成式AI市场规模将达6,071亿美元，占AI市场投资总规 模的48.1%。 国内来看，IDC基于《IDC中国加速计算服务器半年度市场跟踪报告》及智能加速卡半精度（FP16）相当运算能力数据，测算了 中国智能算力规模。结果显示，2025年中国智能算力规模将达到1,037.3 EFLOPS，预计到2028年将达到2,781.9EFLOPS， 2023-2028年期间，中国智能算力规模的五年年复合增长率预计达到46.2%，相比之下，通用算力规模复合增速预计仅为18.8%。

AI将引领下一个半导体大周期的发展。半导体产业链包括上游的半导体设备和材料，中游的半导体制造产业和下游的半导体应用， AI作为半导体的应用领域之一，未来将成为半导体产业的主要驱动力。最新WSTS公布数据显示，2024年全球半导体销售额同比 增长19.7%至6,305亿美元，预估2025年全球半导体市场销售额将继续保持强势增长，突破7,000亿美元，同比增长11.2%。在AI 的推动下，预测2030年全球半导体市场规模将达突破1万亿美元，服务器、数据中心和存储领域的市场规模将会达到3610亿美元， 占比达到34.32%，2024-2030年复合增速达到了18%，是成长速度最为领先的细分领域。LAM指出，未来5年全球数据中心累计 2.5万亿美元的资本开支将催生2000亿美元的半导体设备需求。

供给端——我国半导体设计、制造、上游设备均存在海外依赖

设计端：预计2025年算力芯片外采比率约42%。Trend Force数据显示，2024年中国AI Server市场预计外购NVIDIA（英伟达）、AMD（超威）等芯 片比例约63%，预计2025年会下降至约42%，而中国本土芯片供应商(如华为等)在国有AI芯片政策支持下，预期2025年占比将提升至40%，几乎与 外购芯片比例平分秋色。 制造端：2025Q2，国产逻辑代工和存储器厂商全球市占率不足10%（上市公司收入口径），但是国内需求占比达到全球的30%，自给率不足。我 们以2025年Q2作为统计窗口，在代工端，台积电以302亿美元的收入居于市占率第一，占比70.2%，中国大陆的三家厂商（中芯国际、华虹集团和 合肥晶合）的合计市占率约8.4%。DRAM领域，SK 海力士、三星和美光合计市占率93.7%，NAND FLASH领域，三星、Sk集团、铠侠、美光和闪 迪合计市占率接近93%。从需求端来看，2025年Q2中国大陆半导体销售额约505.4亿美元，全球占比28.74%，对比国内供给端和需求端的市场占有 率，国内半导体自给率仍然存在不足，尤其在先进节点。 设备端：2025H1，国内半导体设备综合国产化率不足25%。我们以2025年上半年为统计时间窗口，国内主要半导体设备公司的半导体业务销售额 合计约354亿元，而上半年中国大陆半导体设备销售额约1513亿元人民币（中美汇率按7：1计算），可见半导体设备的国产化率不足25%。

外围摩擦，政策引导集成电路全产业链自主可控

1）外围来看，美国政府频频对我国半导体产业实施限制以遏制我国人工智能产业发展。在设计端，不允许我国进口高端算力芯 片，并且对国产设计厂商流片实施限制；制造端，限制高端半导体设备进口以削弱国内的尖端半导体代工能力，设备端，将诸多 设备公司加入清单，实施关键零部件管制。 2）政策端引导尖端半导体全链路国产化。大基金三期持续“补链强链”引领产业发展，2025年1月，大基金三期的三支子基金 （华芯鼎新、国投集新、国家人工智能产业投资基金）先后完成备案，2025年9月，国投集新以不超过4.5亿元认缴拓荆键科新增 注册资本192.1574万元，交易完成后持股比例约12.7137%。如果进展顺利，拓荆键科或将成为大基金三期投向的首个半导体项 目。战略角度来看，2025年10月二十届四中全会审议通过了《中共中央关于制定国民经济和社会发展第十五个五年规划的建议》， 文中（11）条指出将加强原始创新和关键核心技术攻关。完善新型举国体制，采取超常规措施，全链条推动集成电路、工业母机、 高端仪器、基础软件、先进材料、生物制造等重点领域关键核心技术攻关取得决定性突破。科技领域，集成电路被放在首位 ，我 们认为集成电路全产业链自主可控必然实现。

国产AI芯片突围，带动本土先进逻辑扩产需求

智能算力：国产半导体设计公司本地代工需求旺盛

基于以下核心假设，我们测算得到国内中期算力芯片晶圆消耗量为2.1万片/月 1）预计2028年国内智能算力芯片需求500万颗（等效H20）。IDC及浪潮信息发布的《2025年中国人工智能计算力发展评估报告》 显示，2024年国内智能算力需求为725.3EFLOPS，新增需求为308.6EFLOPS，H20单卡算力为148TFLOPS（FP16），对应2024年算力 芯片（等效H20）需求量209万颗，若2028年国内智能算力需求达到2781.9 EFLOPS，当年将新增515万颗算力芯片需求（等效 H20）； 2) 根据Semianalysis，H20的芯片面积为814??2，测算DPW时按800??2计算； 3）国内无法进口EUV，通过多重曝光实现先进工艺生产，预计良率较低，假设为30%； 4）不考虑算力利用率和业务冗余。

智能驾驶：需求不低于智能算力卡

基于以下核心假设，我们测算得到国内2028年智能驾驶（L2+/L2++）芯片晶圆消耗量为4.2万片/月 1）2024年国内乘用车销量2289万辆，不考虑增长，我们假设国内乘用车销量保持在2300万辆左右。根据盖世汽车研究院，2024 年，国内L2/L2+/L2++级别智能辅助驾驶渗透率为36.6%/4.0%/3.7%，Canalys预测2025 年中国市场 L2 级及以上功能渗透率将达 62%，高速 NOA 与城市 NOA 分别达到 10.8% 和 9.9%，预计 2027–2028 年，城市 NOA 增速将反超高速 NOA ，可以预见，智 能驾驶渗透率提升的过程中内部结构也会发生变化，我们假设L2++的渗透率从2025年的9.9%提升至2028年的45%，L2+的渗透 率从2025年的10.8%提升至2028年的20%，由于智能驾驶向更高阶技术演进，L2渗透率下滑至2028年的30%。 L2+/L2++标配域 控制器，假设L2+级自动辅助驾驶不考虑冗余配置，L2++考虑双冗余配置，得到2028年国内智能驾驶（L2+/L2++）产生的智能驾 驶芯片需求为2530万颗； 2）华为Ascend610的面积为401??2，测算按400 ??2进行； 3）国内无法进口EUV，通过多重曝光实现先进工艺生产，预计良率较低，假设良率为35%。

端侧：华为手机SOC芯片代工需求确定性较强

基于以下核心假设，我们测算得到国内2028年华为手机SOC芯片晶圆消耗量为0.8万片/月（不区分中高端手机品牌） 1）2024年国内智能手机销量2.86亿台，其中华为手机占比达到16.6%，对应销量约4748万台，我们假设2028年华为手机销量为 4750万台，并且全部在国内代工； 2）手机SOC芯片面积一般在100 ??2左右； 3）2020年台积电5nm工艺良率大概为80%，峰值大概能到90%，我们假设华为手机SOC总体良率在80%。

供给端来看，存在供需缺口，设备有望受益扩产需求

中期存在供需缺口。根据爱集微，截至2025年7月，国内12英寸月产能约197.1万片，按工艺划分，110nm及以上成熟制程产能占 比约30%，28-90nm制程为主要构成部分，而14nm及以下先进制程产能占比仅1.7%，也就是说，国内当前14nm及以下的先进制 程产能约为3.25万片/月，预计7nm及以下节点产能小于该值，按照2028年智能算力、智能驾驶的AI芯片和华为手机SOC芯片产 生的7.12万片/月的先进逻辑代工需求，国内先进逻辑存在一定的供需缺口。按照7nm节点的每万片月产能的设备投资额23亿美元 计算，国内至少需要89亿美元的设备投资。

AI驱动全球存储周期，看好国产存储厂商扩产

存储兼备高成长性和高波动性，AI驱动新一轮涨价周期

AI驱动新一轮涨价周期。存储器是集成电路的一种，由于产品相对标准化，周期性属性显著强于整体集成电路市场。2010年以来， 存储行业经历了三轮周期，每轮周期持续3-4年，会经历需求拉动+产能受限而引起的涨价，伴随原厂扩产产能释放行业进入下行 周期，此循环周而复始。进入2024年，在AI驱动下存储行业开启新一轮涨价周期，具体而言，DRAM方面， AI服务器需求带动叠 加HBM导致的产能排挤效应，Trendforce预计四季度通用DRAM价格涨幅为18-23%。NAND方面，AI需求激增叠加HDD供应受限， CSP采购转向企业级SSD，而原厂在供应上保持保守，导致价格上涨。

结构性需求拉动，原厂控产导致出现供需缺口

每一轮存储涨价周期都沿着存储涨价->原厂盈利能力提升->出现供需缺口->原厂进行产能扩张->供给增多->存储价格下跌的循环 演绎。而供需缺口出现的原因，一方面是因为需求提升，另一方面是因为行业集中度高，几大原厂形成的存储“卡特尔”组织会 主动控制产能以谋求高利润。 供给端，大厂主动控产，TrendForce预计2026年行业Capex增速有限。DRAM大厂基本都将重点放在制程升级和HBM产能的扩 充上，TrendForce预计2026年资本开支增速14%，显著低于24-25年资本开支增速。NAND端，大厂在看到涨价之后纷纷实施主 动减产，TrendForce预计明年的资本开支主要来自铠侠/闪迪，预计投入45亿美元，年增41%，总体增长仍然有限，预计2026年 NAND行业资本支出增速大约5%左右。

需求端来看，AI服务器成为主要驱动力。在服务器方面，随着人工智能由训练向推理的转变令并发用户和Token数量急剧增加， AI服务器的工作负载正在向通用服务器和边缘设备中转移。同时由于键值缓存（Key-value Cache）从HBM到传统DRAM和SSD 的顺序卸载，以及多个请求的并行处理，memory使用量呈指数级增长。DRAM（HBM、高性能DDR5）和NAND（eSSD）的需 求都在发生结构性转变。在PC/智能手机方面，SK海力士预计2026年PC和智能手机的出货量都将温和增长，但人工智能功能的 日益普及将推动其单机容量的增长。 综合来看，CFM闪存预计2025-2026年，全球DRAM位元需求量增速将分别达到17-19%/20%，全球NAND位元需求量增速将分别 达到18%/20%。而前文提到大厂主动控产，明年DRAM/NAND行业资本支出增速在14%/5%，预计对位元产出贡献较少，因此明 年供需缺口可能进一步拉大。

大厂供给策略专注技术节点升级，国产存储厂商有望成为扩产主力

DRAM领域：三星等巨头此前宣布减产DDR4，并且将重点放在先进技术节点转产上，根据TrendForce，海外大厂目前重点在于 HBM产能的扩充，从产能统计可以看出，三星、SK海力士和美光的TSV产能占比在逐年提升，而在技术节点上，大厂专注1b/1? 和1c/1?制程的开发，相比之下，长鑫存储和南亚科因为在HBM上处在落后地位，大厂转产释出空间，因此产能扩张较快。

长鑫存储逐步具备竞争力，EUV光刻机难以获取背景下有望率先开启 4F2 DRAM 量 产 落 地 。 2024 年 ， 长 鑫 使 用 具 备 成 本 优 势 的 DDR3/DDR4获取市场份额，当年底，公司启动DDR5的生产，目前其 基于G4的DDR5性能基本可以和三个大厂的1y/1z制程产品媲美。 HBM方面， 2026-2027年，长鑫有望实现HBM3的量产。此外，由于 制程微缩，更高阶产品需要使用EUV完成，国内进口EUV受限情况下， 长鑫存储有望率先开启4F2 DRAM产品的量产落地。

扩产景气与自主可控共振，半导体设备深度受益

AI引领本轮半导体创新大周期，带动上游设备支出增长

AI继续成为全球半导体行业的变革力量，推动先进制造产能的显著扩张。SEMI报告指出，全球前端半导体供应商正在加速扩张， 以支持生成式人工智能（AI）应用的激增需求。预计从2024年底到2028年，产能将以7%的复合年增长率增长，达到每月1110万 片晶圆。推动这一增长的关键因素是先进工艺产能（7纳米及以下）的持续扩张，预计将从2024年的每月85万片晶圆增长到2028 年的历史新高140万片晶圆，增长约69%，复合年增长率约为14%，是行业平均水平的两倍。 按照下游领域来讲，Logic/代工、DRAM、NAND在2026年的设备资本开支中有望达到691/233/150亿美元，同步增速分别为 6.6%/12.10%/9.7%，比重有望预计分别为50%/17%/11%。

中国大陆半导体设备规模领跑全球，先进节点扩产预计进入高景气区间

国内先进节点扩产景气度持续提升，资本支出领跑全球。SEMI数据显示，2025年，全球半导体设备市场规模预计为1225亿美元， 中国大陆半导体设备市场规模预计为389亿美元，市场规模占比为31%。Semi预计从2026年到2028年，全球300mm晶圆厂设备 支出将达到3,740亿美元，中国大陆将继续领先全球300mm设备支出，2026至2028年间投资总额将达940亿美元。

报告节选：

编辑：火腿肠