2026年存储行业深度跟踪报告：26全年预计供给偏紧状态持续，产业链公司整体展望乐观

需求端：AI 推理构建多级存储架构，数据中心 引领 ZB 级扩容

中长期全球存储位元需求 CAGR 维持 20%，数据中心引领行业迈入 ZB 级扩容 周期。英伟达Rubin平台引入独立存储机柜与DeepSeek Engram架构的落地， 推动了 NAND 在 AI 推理中的战略地位显著跃升，并带来确定性的结构性新增需 求。 2026 年全球存储行业市场规模预计近 3000 亿美元，同比高增 39%。根据 WSTS 数据，2026 年全球存储行业市场规模预计为 2948 亿美元，同比增长 39%。全 球存储行业在经历 2023 年低点后，连续三年同比大幅增长，在存储价格持续上 涨与供应短缺情况下，存储行业景气度预计将持续高涨。

1、中长期存储需求 CAGR 增速约 20%，服务器市场占比逐 步提升

AI 时代下存储需求加速增长，数据中心存储容量需求将从 EB 级别增至 ZB 级别。 AI 时代下数据量级加速增长，①希捷：希捷预计数据中心对存储的需求有望从 2020 年的 600EB（1EB=1024PB）增至 2028 年的 2.4ZB（1ZB=1024EB）， 2024-2028 年需求 CAGR 增速预计为 mid-20%，存储需求核心驱动力从手机、 互联网厂商等转变为生成式 AI 且显著加快，存储收入将从手机、云时代的低两 位数 CAGR 增速（2016-2024 年）增长至 AI 时代的 mid-teens CAGR 增速 （2024-2028 年）。②闪迪：根据闪迪 FY26Q2 法说会内容，其上调 2026 年数 据中心 NAND 数据量增速达 60%（此前为 mid-40%）。

2026 年 DRAM 位元需求增速预计快于 NAND 达 16%。根据 TechInsights 预测， 预计 2026 年 DRAM 总需求为 372.4Eb，同比增长 16%，预计 2026 年 NAND 总需求为 1168.1EB，同比增长 13%。根据海力士预测，2026 年 DRAM 位元需 求增长率仍将保持在 20%以上，NAND 位元需求增长率将达 19%。

AI 算力的爆发式增长是 DRAM 需求的核心驱动力，预计 2023-2030 年需求 CAGR 为 20.3%。根据 TechInsights 预测，2023-2030 年，数据中心 DRAM 位 元需求 CAGR 达 28.3%，远超 PC（10.8%）、移动（11.3%）等传统领域。预计 到 2026 年，数据中心将占全球 DRAM 位元需求的 50%，成为最大单一市场。

数据中心对 NAND 需求增速超过 DRAM，预计 2023-2030 年需求 CAGR 达 19.8%。根据 TechInsights 预测，2023-2030 年，数据中心 NAND 位元需求 CAGR 达 32.6%，超过 PC（12.1%）、移动（14.2%）等传统领域。

2、AI 推理三层存储架构需求激增，NAND 在数据中心重要 性日益凸显

AI 大模型推理包含 HBM、DRAM、NVMe NAND 三层存储架构。随着生成式 AI 步入应用爆发期，算力基础设施的核心逻辑正从“训练端的高带宽吞吐”向“推 理端的复杂存储架构”转变。在推理负载下，AI 服务器形成了由 HBM（第 0 层 /核心带宽）、DRAM（第 1 层/大容量缓存）与 NVMe NAND（第 2 层/持久化存储）构成的三级金字塔体系：其中，HBM 与 DRAM 共同承载模型权重的静态驻 留与 KV Cache 的动态交互，以实现亚秒级响应；而 NVMe NAND 则凭借高性 价比的大容量优势，成为 RAG（检索增强生成）海量外部知识库与模型参数、 日志持久化的核心载体。

大模型对 HBM 与 DRAM 需求主要来自模型权重的静态内存与 KV Cache 的动 态内存，对 NAND 的需求主要来自 RAG。从价值分配角度看，推理过程中的数 据流动重塑了存储组件的增长动力：HBM 与 DRAM 的需求弹性主要受模型参数 规模及自回归生成模式下的 KV Cache 溢出频率驱动，是确保推理速度的“性能 底座”；而 NAND 的需求增量则更多来源于企业级 RAG 应用的深度渗透，其通 过将 TB 级知识库离线存储并实时检索，解决了 LLM 的“幻觉”痛点，使得持久 化存储从边缘角色上升为支撑行业垂直化应用的关键生产要素。

大模型从生成图片到视频所需内存容量成倍增长。大模型生成一张图片需要 1MB 存储数据，生成歌曲/音频需要 5MB 存储数据，而生成一分钟视频需要 50MB 数据，如果大量用户生成多种类型视频，那么所需内存量将成倍增长，根据 Seagate 内容，AI 用 1.5 年生产的图片容量相当于人类过去 150 年拍照的总和，而视频大模型所需要的内存容量是图片的 100 多倍，内存需求量激增。

英伟达Context Memory新增存储机柜，NAND需求未来可明确量化趋势提升。 随着推理负载朝着长上下文、多轮次、多智能体的方向演进，推理状态的存续时 间已逐渐超过单个 GPU 的执行周期。KV 缓存与可复用上下文必须能够在 GPU 内存之外持久化保存，且能在多个请求间被高效访问。根据 CES 2026 英伟达演 讲，英伟达在 Rubin 平台推出了由 BlueField-4 智能网卡驱动的推理上下文内存 存储方案，新增存储机柜，其在演讲中提到新存储机柜为每 GPU 再额外增加 16TB 内存，NAND 存储需求将受益于 AI 需求增长而同步增长。根据闪迪 FY26Q2 法说会，初步估计 2027年这部分可能会额外带来大约 75-100 EB的数据量需求， 次年这个数字可能会翻倍，这将再次证明 NAND 闪存在 AI 架构中处于核心地位。

DeepSeek 最新论文介绍 Engram 模块，利用更多 DRAM/SSD 降低 HBM 计算 压力，同时最大化提高模型智能。Engram 模块将最高频访问的知识嵌入向量放 在速度最快的 GPU 显存（HBM）中，中频访问的放在容量较大的主机内存 （DRAM）中，而海量的、低频出现的长尾知识则可以存储在廉价的 NVMe SSD 硬盘上，这种分层设计使得模型可以在不牺牲速度的前提下，拥有海量的“记忆容量”。

供给端：2026 年新增供应有限，位元出货量预 计增长 20%

原厂加大 Capex，但受制于技术升级及扩产周期，产能扩张有限，供给缺口或 延至 2027 年。2026 年 DRAM 与 NAND 位元出货量预计增长 20%，服务器占 比持续提升。

1、2025 年存储始终处于供需紧平衡状态，2026 年存储位 元出货量预计增长约 20%

2026 年 DRAM 与 NAND 位元出货量预计均增长约 20%，受供应限制需求仍大 幅超过供给。根据公司法说会内容： 1）SK 海力士：预计 2026 年服务器端存储产品出货量将实现 high teens 增长， 主要受益于 AI 服务器需求爆发和通用服务器规格升级，而 PC 和移动设备受 组件成本与消费者信心影响，需求增速将低于行业整体； 2）三星电子：预计 2026 年行业 DRAM 和 NAND 位元出货量增长受供应限制而 增速温和，其中 Q1 DRAM 位元出货量环比增长限制在低个位数，NAND 环 比增长为中个位数；同时 AI 驱动下，HBM4 市场需求大幅增长，PCIe Gen 6 SSD 需求加速，而移动和 PC 领域需关注出货量潜在下滑风险； 3）美光：2026 年预计 DRAM 与 NAND 位元出货量预计均较 2025 年增长约 20%；HBM市场将以约40%的CAGR增长，2026年出货量增速超整体DRAM 行业，同时 2025 年服务器、PC 出货量预计实现 high-teens 增长，智能手机 实现低个位数增长； 4）闪迪：受 AI 驱动 NAND 行业向结构性增长转变，预计 2026 年之后各终端市 场客户需求仍将大幅超过供应，公司中长期位元出货量 CAGR 将维持在 mid-to-high teens；2026 年数据中心 NAND 的 EB 需求增长率达 high-60%； 消费端市场向高端倾斜，2026年消费级NAND位元出货量增速为中个位数， 平均售价增速为两位数； 5）西部数据：AI 推理推动数据生成激增，2026 年 HDD 行业 EB 出货量增速维 持在 low-20%，Nearline HDD 占比超 85%；技术迭代驱动增长，30TB 以上 ePMR 等高端 HDD 需求提升，2027 年 HAMR 技术量产后将带动增速升至 mid-20%，2026 年 UltraSMR 技术在 Nearline HDD 中的出货占比超 50%。 2026 年 DRAM 与 NAND 位元出货量中预计服务器应用在两者占比均超 45%。 根据 Counterpoint 数据，DRAM 方面，25Q4 开始服务器领域位元出货量占比将 超过 45%，移动、PC、HBM 位元出货占比将分别在 20%、10%、20%左右； NAND 方面，2026 年服务器领域出货量占比也将超过 45%，移动、PC 位元出 货占比分别为 20%、15%左右。

2025 年下半年 DRAM 与 NAND 供给普遍紧缺，随着产业链备货及原厂加大生 产供给缺口逐月缩小。根据宇瞻 25Q3 法说会数据，2025 年 7 月 DDR4 供给缺 口大幅扩大至 15.5%，随后逐月缩小，但供给缺口仍较大，DDR5 则始终处于供 需紧平衡状态；NAND 方面，供给缺口保持在 0.3%左右，到年底有所缓解。

2、2026 年原厂资本开支增长明显，供应短缺将持续至 2027 年

2026 年海外三大原厂预计资本开支增长显著，将进一步加大投资以扩充高端产 品产能。 1）三星：2025 年 DS 部门资本开支为 47.5 万亿韩元，内存业务因公司向先进 工艺转型以扩大 HBM 等高附加值产品的销售，投资同环比均有所增长，2026 年公司预计内存业务资本开支将进一步增加。根据 TrendForce 预测，2026 年三星预计投入 200 亿美元，同比+11%； 2）海力士：2025 年前三季度资本开支为 110.5 亿美元，2026 年资本开支预计 同比将显著增长，主要用于产能扩张与基础设施建设。根据 TrendForce 预 测，2026 年海力士预计投入 205 亿美元，同比+17%； 3）美光：预计 2026 年资本开支约 200 亿美元，将优先支持 HBM 供应能力与1-gamma 技术产能扩张。

2026 年新增产能有限，大部分产能在 2027 年以后释放且原厂开始重视 NAND 扩产。根据 TrendForce 资料及各公司法说会内容， 1）三星电子：扩产主要用于用 HBM 的 1C 制程导入，同时公司投资美国泰勒工 厂，预计 2026 年投产； 2）美光：目前扩产积极，重点投向 1-gamma 制程渗透及 TSV 设备建置。另外， 美光于 1 月 16 日于力积电签署协议，计划以 18 亿美元购买其铜锣 P5 厂房， 以扩充 DRAM 产能。同时，根据 Digitimes 报道，美光将在新加坡投资扩产 NAND 闪存，计划未来 10 年内在新加坡追加投资 240 亿美元，晶圆产出预 计将于 2028下半年开始，此前还建设有价值 70亿美元的HBM先进封装厂， 预计于 2027 年投产； 3）海力士：重点布局 M15X 以备战 HBM4。同时加速筹备 P&T7 工厂，以支撑 NAND 业务扩张； 4）南亚科：新 DRAM 厂设计月产能 4.5 万片，一阶段 1.5-2 万片/月，预计 2027 上半年投产； 5）华邦：投资 400 亿新台币，将 DRAM 月产能扩充至 2.4-2.5 万片，预计 2026 年底位元供应量将翻倍，同时预计台中厂 Flash 产能也将增约 20%； 6）旺宏：计划投资 220 亿新台币，将 NOR Flash 12 寸厂的月产能自 2 万片增 至 3 万多片规模。 国内方面，长江存储武汉三期正加速建设，原定于 2027 年才能达成的量产目标， 有望提前至 2026 年下半年正式启动。

编辑：火腿肠