2026年存储行业深度报告：骐骥驰骋，AI“存”变，国产“储”势，星火燎原

综述：数据扩张+AI 扩散，存储新周期加速到来

AI 驱动数据生成总量增长，存储需求伴随基础设施应运而生

根据国际数据公司 IDC 预计，2025 年全球将产生 213.56ZB 数据，到 2029 年将增长一倍以上达到 527.47ZB。其中，中国市场 2025 年将产生 51.78ZB 数据，到 2029 年增长至 136.12ZB，CAGR 将达 到 26.9%。

其中云端数据生成量将大幅增长，2029 年约有 43%的数据直接在云端生成，高于 2024 年的 24%和 2019 年的 13%，从 2024 到 2029 年的复合年增长率达到 40.9%。 我们认为大模型训推产生的数据仍将驱动数据总量保持高速增长。以谷歌为例，2025 年 10 月，谷 歌月均处理的 Tokens 数量已突破千万亿级大关，达到 1.3 千万亿。此外，OpenAI、国内的字节跳动、 百度等公司亦达到了日均万亿 Tokens 的处理量级。

资本支出方面，随着北美云端服务大厂陆续更新指引，TrendForce 将 2025 年全球八大主要 CSPs 资 本支出总额年增率从原本的 61%上修至 65%。2026 年 CSPs 仍将维持积极的投资节奏，合计资本支 出将进一步推升至 6,000 亿美元以上，同比增长约 40%。我们认为 AI 基础建设的长期成长潜能依然 充沛。

而存储为数据中心资本支出中重要组成部分，典型数据中心的资本支出中存储占比约为 12%，伴随 AI 基础设施资本支出的持续投入以及存储技术的加速迭代，我们认为其在数据中心成本中的占比还 有望提升，我们将在后文逐一论述。

现货价格一路上扬，半导体存储器有望开启景气新周期

从现货价格来看，无论是上游的 Flash Wafer 和 DDR 以及下游的 SSD 及内存条均出现大幅上涨。 根据闪存市场，从资源端看，25Q4 现货 512Gb 及以上容量的 NAND 资源价格累计涨幅环比普遍超 一倍。而 25Q4 末，部分原厂释放小批量资源供应但价格高昂，下游存储厂商基于此前囤积的较低 价库存结合当下回补的高价资源，尚能平铺整体成本。随着低价库存快速消耗，未来高成本压力将 日益显著增加。

“端”“云”两侧纷至沓来，下游诸多细分迎来边际催化

存储产品长期增长态势稳健。根据佰维存储港股招股书，2020 年全球市场规模为 1499 亿美元。在 数字经济各领域对存储技术需求不断扩大的推动下，市场规模持续上升，至 2024 年达到 1928 亿美 元，期间复合年增长率为 6.5%。展望未来，随着人工智能技术更深层次地融入各类产业，存储产品 的应用场景预计将进一步拓宽。全球市场规模有望从 2025 年的 2633 亿美元增长至 2029 年的 4071 亿美元，此期间的复合年增长率将达到 11.5%。 从下游应用结构来看，AI 端侧领域存储需求的增长速度显著高于其他细分市场，已成为推动全球存 储市场扩张的关键动力。根据佰维存储港股招股书，随着 AI 手机、AI PC、AI 眼镜以及智能驾驶等 新兴应用场景的快速发展，AI 端侧应用对存储产品的需求呈现迅速增长态势。2020 年至 2024 年间， AI 端侧存储市场的复合年增长率高达 99.5%，2024 年市场规模达到 179 亿美元。2025 年至 2029 年 期间，其复合年增长率将保持在 36.4%的较高水平，领先于所有下游应用领域。 大模型技术热潮带动 AI 服务器需求快速增长，服务器领域存储需求亦将保持较高增速。根据佰维 存储港股招股书，其存储市场规模从 2020 年的 268 亿美元提升至 2024 年的 594 亿美元，复合年增 长率为 22.0%。到 2029 年，该市场规模或将进一步扩大至 1458 亿美元。同时，全球数据中心的持 续建设与扩容，以及大模型部署、实时数据处理等场景对 AI 推理需求的高速增长，也成为重要的驱 动因素，持续刺激对高性能存储产品的需求，进而推动整体市场的增长。

云侧方面：AI 服务器为核心驱动

根据佰维存储港股招股书，2024 年，全球服务器出货量约为 1600 万台，2029 年或有望增长至约 1880 万台。作为人工智能应用的核心计算基础设施，AI 服务器提供了强大的并行计算能力。随着 AI 技 术在各行业的持续渗透，市场对 AI 服务器的需求呈现稳步增长态势。2024 年，全球 AI 服务器出货 量约为 200 万台，2029 年或将增至约 540 万台。 在 AI 服务器架构中，DRAM 主要用于临时数据存储。DDR5 等内存凭借其高带宽与低延迟特性，有 效保障了深度学习、图像识别等高计算密度任务的顺畅执行。此外，LPDDR 凭借其低功耗与小体积 的优势，常被应用于对功耗和空间有严格限制的 AI 服务器场景。同时，SSD 承担长期数据存储任务， 为满足 AI 应用需求，需具备更大容量与更高传输速度。上述存储器件共同协作，推动 AI 服务器在 性能与能效方面的整体提升。

供给端：结构性供给受限持续，原厂竞逐新技术蓝海

原厂 26 年资本支出供给仍有限，现货资源供给趋紧或将持续

根据 TrendForce，随着存储器平均销售价格持续提升，供应商获利也有所增加，DRAM 与 NAND Flash 后续的资本支出将会持续上涨，但对于 2026 年的位元产出成长的助力有限。DRAM 和 NAND Flash 产业的投资重心正逐渐转变，从单纯地扩充产能，转向制程技术升级、高层数堆栈、混合键合以及 HBM 等高附加价值产品。

DRAM 方面，美光是资本支出策略最为积极的厂商，其 2026 年资本支出预计为 135 亿美元，年增 长率达 23%，主要投资方向为 1 gamma 制程技术的导入及 TSV 设备建设。SK 海力士亦呈现显著增 长，2026 年资本支出预计为 205 亿美元，同比增长 17%，主要用于 M15x 厂区 HBM4 产能的扩张。 三星预计资本支出为 200 亿美元，同比增长 11%，重点投向 HBM 相关 1C 制程的推进及 P4L 晶圆 产能的小幅提升。 然而，在产能扩张方面存在结构性制约。据 TrendForce 分析，目前无尘室资源已趋于紧张，在 现有 DRAM 供应商中，仅三星与 SK 海力士仍具备小幅扩产的空间。美光则需待其美国 ID1 新 厂于 2027 年投产后方可实现产能提升，因此 2026 年内任何资本支出的上修对实际位元产出的 贡献均较为有限。 NAND Flash 方面，铠侠/闪迪因未涉足 DRAM 业务，是最为积极扩产的厂商，其 2026 年资本支出 预计为 45 亿美元，同比增长 41%，主要用于加速 BiCS8 量产及投入 BiCS9 研发。美光计划小幅提 升NAND Flash 产能，并聚焦于 G9 制程发展与企业级固态硬盘业务，预计资本支出年增幅高达 63%。 相比之下，三星与 SK 海力士/Solidigm 则计划缩减或限制 NAND Flash 资本支出，将资源优先配置 于 HBM 与 DRAM 领域。 尽管需求强劲，部分厂商因历经多次行业景气循环，在资本支出与产能扩张策略上趋于保守。2026 年资本支出重点将转向制程技术升级与混合键合等先进工艺的导入，而非规模性扩产。我们认为， 2026 年 NAND Flash 位元供给增长幅度有限，供不应求的市场状态或将持续全年。

HBM 仍是兵家必争之地，HBF 专门为推理而生

根据 TrendForce 的预测，从供应端来看，2025 年全球 DRAM 供应将同比增长 24%，2026 年将同比 增长 20%。从具体的内存类型来看，在 2025 年的 DRAM 供应当中，HBM 同比增长 88.1%，消费类 内存同比下滑 1.2%，用于图形处理的显存同比下滑 0.3%，移动端内存同比增长 23.3%，服务器内存 同比增长 28.4%，PC 端内存同比增长 4.4%。从 2026 年的 DRAM 供应来看，HBM 的增长幅度降至 38.2%，消费类将增长 6.2%，显存将增长 23.6%，移动端将增长 17.3%，服务器将增长 23.1%，PC 端将增长 5.1%。

从 HBM 技术路线来看，根据 Tom’s hardware 援引韩国国家研究机构 KAIST 论文。当前头部内存 大厂研发的 HBM4 的每个堆栈的 HBM 容量将从 288GB 增加到 348GB，而演进到 HBM8 将有望从 上代的 5120GB 增加到 6144GB。此外，功率要求将随性能而变化，从 HBM4 的每堆栈 75W 上升到 HBM8 的 180W。