2024年中微公司研究报告：刻蚀持续高增，薄膜开启放量

财务：刻蚀+MOCVD设备驱动营收年均增速 >35%

营收年均增速>35%

营收：公司从2012年到2023年超过十年的平均年营业收入增长率超过35%，其中2020-2023年等离子体 刻蚀设备营收年均增长大于50%，MOCVD设备受终端市场波动影响，收入有所下降。2024年上半年度 公司实现营收34.48亿元，同比+36.46%，其中刻蚀设备/MOCVD设备分别实现营收26.98/1.52亿元，同 比+56.68%/-49.04%，新产品LPCVD设备实现首台销售，收入0.28亿元。

盈利能力持续提升

利润：公司2023年归母净利润17.9亿元（其中出售部分拓荆股权税后净收益4.06亿元），较2022年同比 +52.7%；2024年上半年归母净利润5.2亿元，同比-48.48%，扣非净利润4.83亿元，同比只减少6.9%， 主要由于公司显著加大研发力度，以尽快补短板，实现赶超。

综合毛利率稳健提升

毛利率：公司2016-2019年综合毛利率波动主要系产品结构变化，2016-2018年公司MOCVD设备的毛利 率分别为33.82%/38.13%/26.33%，刻蚀设备的毛利率分别为43.13%/38.37%/47.52%，MOCVD营收 占比较高使得综合毛利率较低，后续公司刻蚀设备占比显著提升带来综合毛利率的显著增长。2024H1公 司的毛利率为41.32%，主要系公司根据会计准则2024年新规定将本期产生的预计产品质量保证损失 9,477.58万元计入营业成本。

持续保持高研发

销售费用：销售费用变动主要系公司规模扩大，职工薪酬、股份支付等费用增加。 管理费用：管理费用变动主要系公司规模扩大，职工薪酬、股份支付等费用增加。 研发费用：研发费用变动主要系耗用的原材料和低值易耗品、职工薪酬、股份支付费用等影响。 财务费用：财务费用变动主要系当期利息收入影响。

研发投入资本化情况

2024H1，公司研究开发支出共计9.70亿元，政府补助抵减研发费用1,841.38万元，研究开发支出净额为 9.52亿，其中计入研发费用5.68亿元，开发支出资本化3.84亿元，研发费用率为16.5%。2024H1研发投 入资本化的比重较去年同期增加9.56个百分点，主要系随着研发项目持续推进，本期在研项目达到资本化 标准的金额增加。已资本化的开发阶段的支出在资产负债表上列示为开发支出，自该项目达到预定用途之 日起转为无形资产内部开发技术，内部开发技术按开发阶段满足资本化条件发生的实际成本入账，并按预 计使用年限7年平均摊销。

产品：刻蚀+薄膜+量检测，现覆盖约33%集成电 路设备

产品覆盖：三维发展；现覆盖约33%集成电路设备

目前公司覆盖约33%集成电路设备 市场，包括等离子体刻蚀设备、薄 膜设备以及检测设备。  同时公司继续瞄准世界科技前沿， 持续践行三维发展战略，聚焦集成 电路关键设备领域，扩展在泛半导 体关键设备领域应用并探索其他新 兴领域的机会，推进公司实现高速、 稳定、健康、安全发展。公司坚持 以市场和客户需求为导向，积极应 对复杂形势，继续加大研发投入和 业务开拓力度，推动以研发创新为 驱动的高质量增长策略，抓住重点 客户扩产投资机会，推进订制化、 精细化生产模式，公司在刻蚀设备、 薄膜沉积设备、MOCVD设备等设 备产品研发、市场布局、新业务投 资拓展等诸多方面取得了较大的突 破和进展，产品不断获得海内外客 户的认可，为公司持续健康发展提 供了有力支撑。

订单：24H1新增订单47亿元，同比+40%

公司2023年新增订单金额约83.6亿元，同比增长约32.3%。其中刻蚀设备新增订单约69.5亿元，同比增长 约60.1%；由于公司MOCVD设备已经在蓝绿光LED生产线上占据绝对领先的市占率，受终端市场波动影响， 2023年MOCVD设备订单同比下降约72.2%。 2024年上半年公司新增订单47.0亿元，同比增长约40.3%。其中刻蚀设备新增订单39.4亿元，同比增速约 50.7%；LPCVD上半年新增订单1.68亿元，新产品开始启动放量。公司2024年上半年新增订单中，来自存 储客户的占比较高，先进制程（包括先进逻辑及存储）占比超过70%。 2024年前三季度公司新增订单76.4亿元，同比增长约52.0%。其中刻蚀设备新增订单62.5亿元，同比增长 约54.7%；LPCVD新增订单3.0亿元，新产品开始启动放量；预计2024年累计新增订单将达到110-130亿元。

产值：24年前三季度产值94亿元，同比+287%

根据客户订单需求，公司2024年前三季度（1-9月）共生产专用设备1,160腔，同比增长约310%，对应产 值约94.19亿元，同比增长约287%，为公司后续出货及确认收入打下了较好的基础。  为扩充资产规模、增强公司实力以持续做大做强主业，公司产业化建设项目正在顺利推进中。公司位于南 昌的约14万平方米的生产和研发基地已建成完工，并于2023年7月正式投入使用；公司在上海临港的约18 万平方米的生产和研发基地主体建设已基本完成，并于2024年8月正式投入使用；上海临港滴水湖畔约10 万平方米的总部大楼暨研发中心也在顺利建设，将于2025年投入使用。三年之内厂房面积将扩大15倍， 为公司今后十几年大发展奠定坚实的基础。

CCP刻蚀设备：应用覆盖度完善

公司已有的 CCP 刻蚀产 品已经覆盖28纳米以上 逻辑器件制造的绝大部 分CCP刻蚀应用；在存 储器件制造工艺中，公 司的成熟产品可以覆盖 存储器件制造中的绝大 部分应用。同时公司积 极布局超低温刻蚀技术， 在超低温静电吸盘和新 型刻蚀气体研究上投入 大量资源，积极储备更 高深宽比结构刻蚀的前 卫技术。

CCP刻蚀设备：24H1交付超过700个反应台

公司CCP刻蚀设备中双反应台中 Primo D-RIE、Primo AD-RIE、Primo AD-RIE-e 新增付运量保持高速增 长，2024年上半年付运量超过2023年全年付运量。单反应台CCP刻蚀设备 Primo HDRIE，Primo HDRIEe 和 Primo UD-RIE 付运势头强劲，2024年上半年付运量较2023年全年增加约3倍。截至2024年6月，公司累计生产付运超过3600个CCP刻蚀反应台，2024 年上半年新增付运设备数量创历 史新高。

CCP刻蚀：金属掩膜一体化大马士革刻蚀工艺验证顺利

可调节电极间距的双反应台 CCP 刻蚀机 Primo SD-RIE 在首家先进逻辑客户端针对金属掩膜一体化大马士 革刻蚀工艺的验证进入良率测试阶段，已经进入第二家客户开展现场验证，并与多家客户达成评估意向， 目前实验室开发进展顺利。 Primo SD-RIE 采用双反应台平台设计，在满足严苛工艺指标的同时可以有效的降低生产成本。Primo SD-RIE 具有实时可调电极间距功能，可以在同一刻蚀工艺的不同步骤使用不同的电极间距，能灵活调节 等离子体浓度分布和活性自由基浓度分布。针对复杂膜层结构的刻蚀工艺，Primo SD-RIE 可以通过动态 调节电极间距以及多区调温静电吸盘对的温度来达到最优的刻蚀均匀性。

CCP刻蚀设备：积极储备深宽比结构刻蚀前卫技术

在存储器件制造工艺中，公司的成熟产品可以覆盖存储器件制造中的绝大部分应用。同时，公司针对超高 深宽比刻蚀自主开发的具有大功率400kHz偏压射频的Primo UD-RIE已经在生产线验证出具有刻蚀≥60:1 深宽比结构的量产能力。该设备适用于DRAM和3D NAND器件制造中最关键的高深宽比刻蚀工艺。同时， 公司积极布局超低温刻蚀技术，在超低温静电吸盘和新型刻蚀气体研究上投入大量资源，积极储备更高深 宽比结构刻蚀的前卫技术。同时公司新开发的晶圆边缘 Bevel 刻蚀设备也计划在2024年投入市场验证。

市场：中国大陆未来四年每年300+亿美元晶 圆厂设备投资，国产化进程加速推进

全球半导体集成电路销售：24年开启上行周期

近年来数码产业蓬勃发展，已成为国民经济发展的重要引擎。随着数码产业的发展，全球半导体芯片和晶 圆制造领域的持续投资，促进了半导体设备行业的快速发展。数码产业占全球企业总产值40%以上，而且 在不断增长，和传统工业已经成为国民经济的两大支柱，数码产业的发展正在彻底改变人类的生产方式和 生活方式。半导体微观加工设备是发展集成电路和数码产业的关键，已成为人们最关注的硬科技产业之一。

全球半导体集成电路生产线设备Capex：预计持续增长

半导体设备是集成电路和泛半导体微观器件产业的基石，而集成电路和泛半导体微观器件，又是数码时代 的基础。半导体设备微观加工的能力是数码产业发展的关键。没有能加工微米和纳米尺度的光刻机，等离 子体刻蚀机和薄膜沉积等设备，就不可能制造出集成电路和微观器件。随着微观器件越做越小，半导体设 备的极端重要性更加凸显出来。

SEMI上调24年全球晶圆厂设备销售额至980亿美元

中国持续强劲的设备支出及对DRAM和HBM的大量投资推动SEMI上调24年全球晶圆厂设备销售额。美国 加州时间2024年7月9日，SEMI在《2024年中总半导体设备预测报告》提出包括晶圆加工、晶圆厂设施和 掩模/掩模版设备在内的晶圆厂设备领域预计将在24年增长2.8%，达到980亿美元，与SEMI在其先前 《2023年终设备预测报告》中预测的930亿美元相比有了显著增长。在人工智能计算的推动下，中国持续 强劲的设备支出以及对DRAM和HBM的大量投资推动了预测上调。展望25年，由于对先进逻辑和存储应用 的需求增加，晶圆厂设备领域的销售额预计将增长14.7%，达到1130亿美元。

Foundry/logic：根据SEMI，由于对成熟节点的需求疲软，以及上一年先进节点的销售额高于预期，24年 用于Foundry和Logic应用的晶圆厂设备销售额预计将同比收缩2.9%至572亿美元。由于对前沿技术的需求 增加、产能扩张采购和新设备架构的引入，foundry/logic设备投资预计在25年将增长10.3%至630亿美元。

memory：与memory相关的资本支出预计将在24年出现最显著的增长，并在25年继续增长。随着供需正 常化，NAND设备销售额预计在24年将保持相对稳定，略增长1.5%至93.5亿美元，为25年增长55.5%至 146亿美元奠定了基础。得益于用于人工智能部署和持续技术迁移的HBM需求的激增，24年和25年， DRAM设备销售额预计将分别以24.1%和12.3%的速度强劲增长。

报告节选：

编辑：火腿肠