2024年海外半导体设备巨头之先晶(ASM)公司研究:深耕薄膜沉积与外延设备,专业化布局的半导体设备龙头
- 来源:东吴证券
- 发布时间:2024/12/03
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海外半导体设备巨头之先晶( ASM )公司研究:深耕薄膜沉积&外延设备,专业化布局的半导体设备龙头.pdf
海外半导体设备巨头之先晶(ASM)公司研究:深耕薄膜沉积&外延设备,专业化布局的半导体设备龙头。ASM早期以CVD技术起家,后通过收购发展为全球ALD&碳化硅外延设备巨头。从1990年代起,ASM开始专注于ALD设备的研发和商业化应用。在1994年和2004年,ASM分别收购了ASMMicrochemistry(专注于ALD设备的研发)和ASMGenitechKorea(专注于PEALD设备的研发)。到了2007年,公司的PulsarALD设备成为全球首个用于大规模生产采用新型铪基High-K介电材料器件的系统,由此确立了其作为全球最大的ALD设备供应商的地位,市场占有率超过5...
公 司 简 介 : 荷 兰 半 导 体 设 备 企 业 之 父 , 深 耕 A L D / 外延设备
荷兰半导体设备企业之父,全球ALD/外延设备龙头
ASM早期以CVD技术起家,后通过收购发展为全球ALD&碳化硅外延设备巨头。ASM的发展历史主要可以 分为四个阶段:1)欧洲半导体设备先驱(1960s):ASM于1968年在荷兰成立,是荷兰首家专注于半导体设 备研发生产的公司,成立之初,ASM最先进入CVD气相沉积炉市场;2)半导体设备帝国雏形(1970s-80s): 1970年后ASM开始拓张其业务版图,1975年ASMPT由ASM于中国香港成立,前者成为半导体后端键合机的 领导者,1977年ASM于纳斯达克证券交易所上市,1984年ASML阿斯麦由ASM和飞利浦合资成立,各自持有 50%股份,前者成为半导体光刻设备的领导者,同期为满足下游客户需求(美国的半导体制程和日本的微电 子/显示器制造),ASM America和ASM Japan成立,分别专注于硅外延和PECVD设备的研发;3)全球ALD 设备龙一(1990s-2010s):1990年之后,ASM专注于ALD设备的研发与商业应用,公司于1994年和2004年分 别收购ASM Microchemistry(ALD设备研发) 和 ASM Genitech Korea(PEALD设备研发),2007年公司 Pulsar ALD 设备成为首个用于大批量制造使用新型铪基High-K介电材料器件的系统,并成为全球最大的ALD 设备供应商,市场占有率超五成;4)拓展碳化硅外延为第二增长曲线(2020s):2022 年公司收购位于意大 利LPE 公司,进军碳化硅外延设备市场,电动汽车市场的迅速扩大也成为该市场快速增长的主要推动力。
ALD/外延是公司前二大业务,亚洲是最大市场
从产品看,ALD设备占公司营收超五成,公司收购LPE后进军碳化硅外延设备市场。2023年公司营业收入为 26亿欧元,其中ALD是公司最大的主营业务,2023年收入约为13亿欧元,占比55%;硅外延是公司第二大主 营业务,2023年收入约为4亿欧元,占比14%。公司在收购LPE后成为全球第二大碳化硅外延设备供应商, 2023年碳化硅外延设备收入约为1.4亿欧元,占比5%。 从地区看,亚洲是公司长期最大收入来源。2023年亚洲地区销售达17.77亿欧元,同比+12%,占公司总营业 收入67%。
公司产品围绕ALD设备、外延设备两大领域布局
公司产品主要围绕ALD、外延两大设备领域布局,并在两个市场皆处于领先地位。(1)ALD设备:公司的 ALD沉积工艺主要可用于制造出材料质量优异、均匀性和一致性极佳的超薄薄膜。ALD沉积被认为是市场上 最先进的沉积方法,也是今年来晶圆设备市场增长最快的领域之一,而ASM作为全球第一大ALD设备供应商, 拥有市场上最广泛的ALD产品和应用。(2)外延设备:公司的外延工艺通过硅或硅化合物的沉积在衬底上形 成单晶薄膜,以改善硅片表面的电气特性。公司的外延技术包括硅外延和碳化硅外延两种,前者广泛应用于 高度复杂的半导体处理器及存储器件,后者则主要应用于电车动力设备。公司是全球第二大硅外延设备商, 全球第一大碳化硅外延设备商。
2024上半年新签订单受益于GAA节点突破大幅增加
受益于GAA节点订单火爆,公司24H1新增订单同比大增。2023年公司新增订单24.38亿欧元,同比减少23%, 2024Q1-Q3公司新增订单22.68亿欧元,同比增长30%,新增订单回暖受益于公司下游客户全栅(GAA)2纳 米技术节点相关订单。2023年公司在手订单达14.34亿欧元,同比-14%。2023年公司库存为5.26亿欧元,同比 -2%。
A L D 沉 积 设 备 : A S M 为全球 A L D 设 备 龙 头 , 受 益 于 先 进 制 程 扩 产
AI发展驱动半导体产业需求高增
AI驱动半导体产业需求高增,计算和存储是主要下游需求。根据Gartner披露,2022年AI半导体销售规模达45 亿美元,其中计算和存储分别以25亿美元和10亿美元位列前二大板块。预计2027年AI半导体销售规模将达到 115亿美元,2022-2027五年CAGR超30%,其中计算、存储、通信分别以62/23/15亿美元位列前三。
随着算力需求提高,要求更多的数据和更高性能的服务器(GPU、ASIC、通信、高带宽DRAM) ,芯片含 量增加,使得晶圆需求增加。
随着器件结构从FinFET到GAA的加速,会带来更多的ALD和EPI需求;高性能NAND/高带宽DRAM推动HighK材料的应用,也会带来更多的ALD和EPI需求。
ALD设备市场:半导体晶圆制造增长最快领域之一
随着AI与先进制程发展对半导体需求的日益增高,ALD成为半导体晶圆设备中增长最快的领域之一。根据 ASM 2023年投资者日披露信息,2022年全球ALD市场规模为26亿美元,预计2025年全球ALD市场规模将达到 31-37亿美元,2027年市场规模将达到42-50亿美元,2022-2027五年CAGR为10%-14%。
ASM是全球ALD设备龙头。根据Gartner披露,2022年ASM市场份额高达55%,约为14亿美元,得益于尖端 ALD技术的不可替代性,公司ALD市场份额逐年提升,由2020年的42%增长至2022年的55%,是全球最大的 ALD沉积设备供应商。
ASMI:全球ALD设备龙一,产品覆盖全品类
公司主要提供热ALD(T-ALD)和等离子体ALD(PEALD)两种ALD技术设备。(1)T-ALD:按沉积材料 的不同,公司的产品包括Pulsar(High-K)、Emer(Metal)、Synergis(Metal+金属氧化物)。Pulsar侧重于 使用固体原材料的高精度沉积,非常适合高k材料应用,特别是在3D晶体管结构中;Emer利用喷头式气体分 配在高纯度膜层应用中表现优异,适合需要复杂形貌的薄膜工艺; Synergis的反应腔室提供了低成本和单片晶 圆的高一致性,适合大规模生产场景中各种材料的T-ALD应用。(2)PEALD:按应用领域不同,公司的产 品包括Eagle、QCM。Eagle主要应用于多重图案化应用的低温间隔,而QCM则是用于先进节点存储器和逻辑 应用的高生产率。目前公司PEALD已能完成200:1的高深宽比氧化物沉积,助力TSV产业化。
碳 化 硅 外 延 设 备 : 800V 碳 化 硅 快 充 时 代 来 临 , 带 动 A S M 设 备 需 求 高 增
新能源汽车驱动碳化硅产业放量
新能源汽车和光伏发电领域是SiC器件主要应用场景, 根据Yole,2027年新能源汽车导电型SiC功率器件市场 规模有望达50亿美元,占比高达79% 。SiC器件主要应用在PCU(动力控制单元,如车载DC/DC )和OBC (充电单元),相比于Si器件, SiC器件可减轻PCU设备的重量和体积,降低开关损耗,提高器件的工作温度 和系统效率;OBC充电时,SiC器件可以提高单元功率等级,简化电路结构,提高功率密度,提高充电速度。
SiC器件主要用于汽车主驱、OBC、DC/DC等系统中
电动汽车电能应用分为驱动和车身/辅助系统两个方向,碳化硅器件有助于电池成本下降和续航里程的提升, 降低单车成本,SiC SBD(二极管)、MOSFET 主要应用于OBC与DC/DC,SiC MOSFET主要用于电驱动。 (1)主驱: SiC 在纯电动车、混动车主驱上都有应用。 Model 3主驱搭载24个SiC模块,拆开封装每颗有2个 SiC裸晶(Die),共计搭载48个SiC MOSFET,已知6寸衬底片为直径150mm的圆片、SiC MOSFET是边长 5.8mm的正方形,所以一个衬底片面积能切约400多个SiC MOSFET,再考虑50%良率约200个。(2)OBC、 DC/DC:相比 SiC主驱逆变器, OBC、DC/DC 所使用的SiC MOS允许更高的导通电阻,技术成熟度更高。
新能源车走进800V快充时代,SiC上车迎来风口
碳化硅是 800V 高压快充标配。800V 高压碳化硅平台能够增加电池续航里程、缩短充电时间。目前电动汽车 电压平台普遍为 400V,将整车平台电压提升到 800V 开始成为主流电动车企的共识,硅基 IGBT 已接近性能 极限,很难满足主驱逆变器的技术需求,碳化硅正在逐渐替代传统的硅基 IGBT。英飞凌、意法半导体、 Wolfspeed、法雷奥和博世等全球领先的功率器件厂商、汽车零部件一级供应商(Tier1)已与车企深度合作, 加速推进高压碳化硅架构上车进程。
SiC产业链包括衬底-外延-器件-应用,70%价值集中在 衬底&外延
碳化硅器件产业链主要包括衬底、外延、器件制造(设计、制造、封测)三大环节。从工艺流程上看,首先由 碳化硅粉末通过长晶形成晶碇,然后经过切片、打磨、抛光得到碳化硅衬底;衬底经过外延生长得到外延片; 外延片经过光刻、刻蚀、离子注入、沉积等步骤制造成器件。 SiC产业链70%价值量集中在衬底和外延环节。碳化硅衬底、外延成本分别占整个器件的47%、23%,合计约 70%,后道的器件设计、制造、封测环节仅占30%。这与硅基器件成本构成截然不同,硅基器件生产成本主要 集中在后道的晶圆制造约50% (碳化硅器件制造也包含晶圆制造,但成本占比相对较小),衬底成本占比仅为 7%。SiC产业链价值量倒挂的现象说明上游衬底厂商掌握着核心话语权,是国产化突破的关键。
硅 外 延 设 备 : 规 模 稳 定 增 长 , A S M 为 传 统 龙 头
外延设备为半导体硅片核心设备,预计稳定增长
全球半导体硅片市场稳定增长。据SEMI数据,2023年全球半导体硅片市场规模约为123亿美元,同比下降 11.5%,主要系半导体终端需求疲软和宏观经济的影响,2019-2023 CAGR为2.6%。2024年,受5G通信、人工 智能等终端市场驱动,全球半导体硅片市场有望复苏,我们预计2024年全球半导体硅片市场将达到131亿美元, 同比增长6.5%。
中国半导体硅片近年来市场增速高于全球。据SEMI数据,2023年中国半导体硅片市场规模约为126亿元,同 比下降8.7%,2019-2023 CAGR为13.1%,显著高于全球。我们预计2024年中国半导体硅片仍将维持高速增长, 预计规模达137亿元,同比增长8.7%。
ASMI:传统硅外延龙头,收购LPE开辟碳化硅外延新线
ASM是传统硅外延领域巨头,22年收购LPE后拓展碳化硅外延新线。ASM自1980年成立ASM America后便深 耕硅外延领域,根据ASM 2023年投资者日披露信息,2022年ASM在硅外延设备市场份额约为16%,是全球第 二大的硅外延设备供应商。2022年,ASM收购意大利碳化硅外延设备公司LPE开拓新产品线,碳化硅外延现已 成为公司成长速度最快的业务之一。
公司主要提供热Si Epi(硅外延)和SiC Epi(碳化硅外延)两种Epi技术设备。在硅外延领域,公司的产品包 括Epsilon、Intreprid。Epsilon为150毫米和200毫米晶片提供各种外延应用,从用于晶片制备的高温硅到用于形 成晶体管应变层的低温选择性或非选择性硅锗;Intreprid专为300mm先进晶体管和存储器应用而设计。在碳化 硅外延领域,公司的产品包括PE106/108(一代)和PE208(二代)。公司碳化硅外延设备将SiC材料沉积在裸 晶片上,或作为晶体管器件制造工艺的一部分,应用于电车动力器件。PE208相较于一代产品,双腔室设计可 实现简单快速的腔室维护,以及带高温装卸的全盒式操作。
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